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AP9962GMA
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
SO- 8相似的区域占位面积和引脚分配
低栅电荷
开关速度快
符合RoHS
G
S
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
40V
20mΩ
36A
D
描述
该APAK -5封装是首选的所有商业,工业
表面贴装应用,并适用于低电压应用
诸如DC / DC转换器。
S
S
s克
APAK-5
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
40
±20
36
23
120
37
0.29
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
3
价值
马克斯。
马克斯。
3.4
85
单位
℃/W
℃/W
数据和规格如有变更,恕不另行通知
200523061-1/4
AP9962GMA
电气特性@ T
j
= 25 ℃(除非另有规定)
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
o
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=250uA
分钟。
40
-
-
-
0.8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.02
-
-
-
20
-
-
-
14
3
9
8
48
23
7
165
110
1.5
MAX 。单位
-
-
20
30
2.5
-
1
25
±100
22
-
-
-
-
-
-
-
-
2.25
V
V/℃
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
Ω
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ,我
D
=1mA
R
DS ( ON)
静态漏源导通电阻
2
V
GS
= 10V ,我
D
=20A
V
GS
= 4.5V ,我
D
=16A
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
栅极阈值电压
正向跨导
2
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ,我
D
=20A
V
DS
=40V, V
GS
=0V
V
DS
=32V ,V
GS
=0V
V
GS
= ±20V
I
D
=20A
V
DS
=30V
V
GS
=4.5V
V
DS
=20V
I
D
=20A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=1Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
漏极 - 源极漏电流(T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流(T
j
=150
o
C)
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
1160 1860
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
2
测试条件
I
S
= 20A ,V
GS
=0V
I
S
= 20A ,V
GS
=0V,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
31
25
MAX 。单位
1.3
-
-
V
ns
nC
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项:
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Pulse宽度<300us ,占空比<2 % 。
3.表面安装在FR4板。
2/4
AP9962GMA
100
90
T
C
=25 C
80
o
10V
7.0V
5.0V
I
D
,漏电流( A)
60
T
C
=150 C
o
10V
7.0V
5.0V
4.5V
I
D
,漏电流( A)
60
4.5V
40
30
V
G
=3.0V
20
V
G
=3.0V
0
0.0
2.0
4.0
6.0
0
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
70
1.6
I
D
= 16 A
T
C
=25
I
D
=20A
V
G
=10V
归一化
DS ( ON)
50
1.2
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
30
0.8
10
2
4
6
8
10
0.4
25
50
75
100
125
150
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
j
,结温( C)
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
50.0
20
15
T
j
=150
o
C
T
j
=25
o
C
R
DS ( ON)
(m)
40.0
30.0
I
S
(A)
10
V
GS
=4.5V
20.0
V
GS
=10V
10.0
5
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.0
0
10
20
30
40
50
60
70
V
SD
,源极到漏极电压(V )
I
D
,漏电流( A)
图5.正向特性
反向二极管
图6.导通电阻与
漏电流
3/4
AP9962GMA
f=1.0MHz
12
10000
V
GS
,门源电压( V)
I
D
=20A
9
C( pF)的
V
DS
= 20 V
V
DS
= 25 V
V
DS
= 30 V
C
国际空间站
1000
6
3
C
OSS
C
RSS
0
0
10
20
30
40
100
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
,总栅极电荷( NC)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
Fig7 。栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
1000
1
归热响应(R
thJC
)
占空比系数= 0.5
100
100us
I
D
(A)
10
0.2
0.1
1ms
10ms
100ms
DC
0.1
0.05
P
DM
t
0.02
0.01
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
1
T
C
=25
o
C
单脉冲
0.1
单脉冲
0.1
1
10
100
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V
DS
,漏极至源极电压( V)
T,脉冲宽度(S )
图9.最高安全工作区
Fig10 。有效的瞬态热阻抗
80
V
DS
=5V
60
V
G
T
j
=25 C
o
T
j
=150 C
o
I
D
,漏电流( A)
Q
G
4.5V
40
Q
GS
Q
GD
20
收费
0
0
2
4
6
8
Q
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图11.传输特性
图12.栅极电荷波形
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