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AP9962GM
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
低导通电阻
D2
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
G2
S2
40V
25mΩ
7A
▼
单驱动要求
▼
表面贴装封装
D1
D1
D2
SO-8
S1
G1
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，超低导通电阻和
成本效益。
D1
D2
G1
S1
G2
S2
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
, V
GS
@ 10V
连续漏电流
3
, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
40
+20
7
5.5
20
2
0.016
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -A
参数
最大热阻，结到环境
3
价值
62.5
单位
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
1
200901202
AP9962GM
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
o
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
V
GS
= 10V ，我
D
=7A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=7A
V
DS
=40V, V
GS
=0V
V
GS
= +20V, V
DS
=0V
I
D
=7A
V
DS
=32V
V
GS
=10V
V
DS
=20V
I
D
=1A
R
G
=5.7Ω,V
GS
=10V
R
D
=20Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
分钟。
40
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.1
-
-
-
11
-
-
-
25.8
4.4
9.1
10.6
6.8
26.3
12
1165
205
142
MAX 。单位
-
-
25
40
3
-
1
25
+100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V/℃
m
m
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏极 - 源极漏电流（T
j
=70 C)
V
DS
=32V ,V
GS
=0V
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= 1.7A ，V
GS
=0V
Is=7A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
21.2
16
MAX 。单位
1.2
-
-
V
ns
nC
t
rr
QRR
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse测试
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫;安装在分当135 ℃ / W 。铜垫。
本产品是敏感的静电放电，请小心处理。
将本产品作为一个重要组成部分在生命支持或其它相似的系统是不授权。
APEC并不承担因任何产品或电路的应用或使用描述任何责任
此处;它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
APEC保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品，以提高权
可靠性，功能或设计。
2
AP9962GM
25
25
20
T
A
=25
o
C
10V
8.0V
5.0V
4.0V
I
D
，漏电流（ A）
T
A
=150
o
C
20
10V
8.0V
5.0V
4.0V
I
D
，漏电流（ A）
15
15
10
10
V
G
=3.0V
5
5
V
G
=3.0V
0
0
1
2
3
4
5
6
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
35
1.8
图2.典型的输出特性
I
D
=7A
o
T
A
=25 C
1.6
I
D
=7A
V
G
=10V
归一化
DS （ ON）
3
4
5
6
7
8
9
10
11
30
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
1.4
25
1.2
1.0
20
0.8
15
0.6
-50
0
50
100
150
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（
o
C)
图3.导通电阻V.S.栅极电压
100
图4.归一导通电阻
V.S.结温
3
2.8
10
2.6
2.4
I
S
(A)
T
j
=150 C
1
o
T
j
=25
o
C
V
GS
（ TH ）
2.2
2
1.8
1.6
0.1
1.4
1.2
0.01
0
0.4
0.8
1.2
1.6
1
-50
0
50
100
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
结温（ C）
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3
AP9962GM
f=1.0MHz
14
10000
12
V
GS
，门源电压（ V）
I
D
=7A
V
DS
=20V
V
DS
=25V
1000
10
C
国际空间站
8
V
DS
=32V
C（ pF）的
6
100
4
C
OSS
C
RSS
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS ，
漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
DUTY=0.5
归热响应（R
thJA
)
10
0.2
0.1
0.1
I
D
(A)
1ms
1
0.05
10ms
100ms
P
DM
0.02
0.01
t
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
0.01
单脉冲
0.1
1s
T
A
=25
o
C
单脉冲
Rthja = 135 ℃ / W
DC
10
100
0.01
0.1
1
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
R
D
V
DS
对
D
V
DS
对
示波器
0.5倍额定V
DS
D
示波器
0.8倍额定V
DS
G
S
V
GS
R
G
+
10V
-
G
S
V
GS
+
1 3毫安
-
I
G
I
D
图11.开关时间电路
图12.栅极电荷电路
4
先进的电力电子股份有限公司。
封装外形： SO- 8
D
MILLIMETERS
符号
民
喃
最大
8
7
6
5
E1
E
A
A1
B
c
D
E
E1
e
1.35
0.10
0.33
0.19
4.80
5.80
3.80
1.55
0.18
0.41
0.22
4.90
6.15
3.90
1.27 （典型值）
0.254 TYP
1.75
0.25
0.51
0.25
5.00
6.50
4.00
1
2
3
4
e
B
G
L
α
0.38
0.00
－
4.00
0.90
8.00
A
A1
G
1.所有尺寸以毫米为单位。
2.Dimension不包括模型突起。
最热资讯&包装： SO- 8
产品型号
封装代码
符合RoHS要求
9962GM
YWWSSS
日期代码（ YWWSSS ）
Y：最后一位的年
WW ：周
SSS ：序
5
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推荐型号
AM31L01/BFA
AME8501AEFTCF24
AZ761-1A-24D
AM2917APC
ATR1841
AS432ABSB
Am29DL800BB90FIB
Am29LV800BB90WBCB
AT87C51RB2-SLSUM
AS7C36432-6QC
Am29F200BT-120DG1
Am27C256-45JI
AM29F010B-45EI
AME8501CEETDD28
A29L320UV-90F
AD7547AQ
AP4835GMT-HF
ADCMP361YRJZ
AD4016M182RLB-5
AAT1415-Q8-T
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AP9962GM
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    -
    -
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AP9962GM
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联系人：朱咸华
地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
AP9962GM
VB
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35500
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联系人：张女士
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