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AP9960GD
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
低导通电阻
开关速度快
PDIP - 8封装
G2
D1
D1
D2
D2
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
40V
25mΩ
7A
PDIP-8
S2
G1
S1
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合,
加固装置的设计,超低导通电阻和
成本效益。
D1
D2
G1
S1
G2
S2
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
40
± 20
7
5.6
20
2
0.016
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
价值
马克斯。
62.5
单位
℃/W
数据和规格如有变更,恕不另行通知
200528031
AP9960GD
电气特性@ T
j
=25
o
℃(除非另有规定)
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=250uA
分钟。
40
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.032
MAX 。单位
-
-
25
40
3
-
1
25
±100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V/℃
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ,我
D
=1mA
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
GS
= 10V ,我
D
=7A
V
GS
= 4.5V ,我
D
=5A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ,我
D
=7A
V
DS
=40V, V
GS
=0V
V
DS
=32V ,V
GS
=0V
V
GS
= ± 20V
I
D
=7A
V
DS
=20V
V
GS
=4.5V
V
DS
=20V
I
D
=1A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=20Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
-
-
-
25
-
-
-
14.7
7.1
6.8
11.5
6.3
28.2
12.6
1725
235
145
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流(T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流(T
j
=70
o
C)
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
V
SD
参数
连续源电流(体二极管)
测试条件
V
D
=V
G
=0V , V
S
=1.3V
I
S
= 2.3A ,V
GS
=0V
分钟。
-
-
典型值。
-
-
MAX 。单位
1.54
1.3
A
V
正向电压上
2
注意事项:
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ,占空比<2 % 。
在3.Mounted 1
2
FR4电路板的铜垫;安装在分当90 ℃ / W 。铜垫。
AP9960GD
36
32
T
A
=25 C
o
T
A
=150
o
C
10V
6.0V
5.0V
4.5V
I
D
,漏电流( A)
24
I
D
,漏电流( A)
24
10V
6.0V
5.0V
4.5V
16
V
GS
=4.0V
12
V
GS
=4.0V
8
0
0
1
2
3
4
0
0
1
2
3
4
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
80
2
I
D
=7.0A
T
A
=25
60
I
D
=7.0A
V
GS
=10V
归一化
DS ( ON)
1.4
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
40
0.8
20
0
2
4
6
8
10
12
0.2
-50
0
50
100
150
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
j
,结温(
o
C)
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
3.5
10
3
1
2.5
V
GS ( TH)
(V)
I
S
(A)
2
Tj=150
o
C
Tj=25
o
C
0.1
1.5
1
0.01
0
0.4
0.8
1.2
0.5
-50
0
50
100
150
V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温(
o
C)
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
AP9960GD
f=1.0MHz
12
10000
I
D
=7.0A
V
GS
,门源电压( V)
9
6
C( pF)的
V
DS
=12V
V
DS
=16V
V
DS
=20V
西塞
1000
100
科斯
CRSS
3
0
0
5
10
15
20
25
10
1
7
13
19
25
31
Q
G
,总栅极电荷( NC)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
DUTY=0.5
归热响应(R
thJA
)
0.2
10
1ms
I
D
(A)
10ms
1
0.1
0.1
0.05
0.02
100ms
1s
0.1
0.0
P
DM
0.01
单脉冲
t
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
R
thJA
=90℃/W
T
A
=25
o
C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
DC
0.001
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
,漏极至源极电压( V)
T,脉冲宽度(S )
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
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