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AP9936GM
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
DC- DC应用
▼
双N沟道器件
▼
表面贴装封装
G2
S2
D1
D1
D2
D2
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
30V
50mΩ
5A
SO-8
S1
G1
描述
D1
D2
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，超低导通电阻和
成本效益。
G1
S1
G2
S2
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
30
+ 20
5
4
20
2
0.016
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -A
参数
最大热阻，结到环境
3
价值
62.5
单位
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
1
200901203
AP9936GM
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
V
GS
= 10V ，我
D
=5A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=3.9A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 15V ，我
D
=5A
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
GS
= + 20V, V
DS
=0V
I
D
=5A
V
DS
=15V
V
GS
=5V
V
DS
=15V
I
D
=1.5A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=10Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
分钟。
30
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.037
MAX 。单位
-
-
50
80
3
-
1
25
+100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V/℃
m
m
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
-
-
-
6
-
-
-
6.1
1.4
3.3
6.7
6.4
22.1
2.1
240
145
55
漏极 - 源极漏电流（T
j
=70
o
C)
V
DS
=24V ,V
GS
=0V
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
V
SD
参数
连续源电流（体二极管）
测试条件
V
D
=V
G
=0V , V
S
=1.2V
T
j
=25℃, I
S
= 1.7A ，V
GS
=0V
分钟。
-
-
典型值。
-
-
MAX 。单位
1.67
1.2
A
V
正向电压上
2
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse测试
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫;安装在分当135 ℃ / W 。铜垫。
本产品是敏感的静电放电，请小心处理。
将本产品作为一个重要组成部分在生命支持或其它相似的系统是不授权。
APEC并不承担因任何产品或电路的应用或使用描述任何责任
此处;它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
APEC保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品，以提高权
可靠性，功能或设计。
2
AP9936GM
50
40
10V
40
10V
T
A
=150 C
o
T
A
=25
o
C
8.0V
I
D
，漏电流（ A）
30
8.0V
I
D
，漏电流（ A）
30
5.0V
6.0V
20
20
4.0V
10
4.0V
10
V
GS
=3.0V
V
GS
=3.0V
0
0
2
4
6
0
0
2
4
6
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
120
1.8
I
D
=5A
T
A
=25
℃
100
I
D
=5A
V
GS
=10V
1.6
归一化
DS （ ON）
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
1.4
80
1.2
60
1
40
0.8
20
2
4
6
8
10
12
0.6
-50
0
50
100
150
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
2.5
10
2
1
V
GS （ TH）
(V)
1.6
Tj=150
o
C
I
S
(A)
Tj=25
o
C
1.5
1
0.1
0
0.4
0.8
1.2
0.5
-50
0
50
100
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（
o
C)
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3
AP9936GM
f=1.0MHz
12
1000
V
GS
，门源电压（ V）
10
8
C（ pF）的
西塞
科斯
100
6
4
CRSS
2
0
0
2
4
6
8
10
12
10
1
8
15
22
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Fig7 。栅极电荷特性
图8 。典型的电容特性
100
1
占空比= 0.5
归热响应（R
thJA
)
0.2
10
0.1
0.1
I
D
(A)
0.05
1
1ms
10ms
0.02
0.01
P
DM
t
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
Rthja=135
o
C / W
0.01
单脉冲
0.1
100ms
T
A
=25
o
C
单脉冲
1s
DC
1
10
100
0.01
0.001
0.1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
Fig10 。有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
t
D（上）
V
G
Q
G
5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
4
先进的电力电子股份有限公司。
封装外形： SO- 8
D
MILLIMETERS
符号
民
喃
最大
8
7
6
5
E1
E
A
A1
B
c
D
E
E1
e
1.35
0.10
0.33
0.19
4.80
5.80
3.80
1.55
0.18
0.41
0.22
4.90
6.15
3.90
1.27 （典型值）
0.254 TYP
1.75
0.25
0.51
0.25
5.00
6.50
4.00
1
2
3
4
e
B
G
L
α
0.38
0.00
－
4.00
0.90
8.00
A
A1
G
1.所有尺寸以毫米为单位。
2.Dimension不包括模型突起。
最热资讯&包装： SO- 8
产品型号
封装代码
符合RoHS要求
9936GM
YWWSSS
日期代码（ YWWSSS ）
Y：最后一位的年
WW ：周
SSS ：序
5
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AS1361
AP4313KTR
AD8541AR-REEL
AT27C010L-90DM/883
AM6TW-2403D
AIC1594A-33CT
AME8500BEFTDF29
ADG601CSURF
A29DL323TV-70
AUIRFSL8409
AM3TW-2405SH35Z
ADG658YRU-REEL7
AM79Q2242JC
AS7C33512PFS32A-133TQI
AME8501CEETAE27
ADG4612BCPZ-REEL7
AK8434
APL1084-ZC-TUL
ACT-S512K8N-055F4C
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    AP9936GM
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