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AP9928GEM
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
低导通电阻
▼
能够2.5V栅极驱动
▼
表面贴装封装
D2
D1
D1
D2
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
G2
S2
20V
23mΩ
7.3A
SO-8
S1
G1
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，超低导通电阻和
成本效益。
D1
G1
G2
D2
S1
S2
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
3
等级
20
±12
7.3
5.8
30
2
0.016
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
连续漏电流
3
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
价值
马克斯。
62.5
单位
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200121051
AP9928GEM
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
20
-
-
-
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.02
-
-
-
18
-
-
-
17
2
9
12
17
32
17
500
260
140
2.8
MAX 。单位
-
-
23
32
-
-
1
25
±10
27
-
-
-
-
-
-
800
-
-
4.2
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
uA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
Ω
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
2
V
GS
= 4.5V ，我
D
=7A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=5A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=70
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 5V ，我
D
=7A
V
DS
=20V, V
GS
=0V
V
DS
=16V ,V
GS
=0V
V
GS
=±12V
I
D
=7A
V
DS
=16V
V
GS
=4.5V
V
DS
=10V
I
D
=1A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=5V
R
D
=10Ω
V
GS
=0V
V
DS
=20V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
2
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
2
测试条件
I
S
= 1.7A ，V
GS
=0V
I
S
= 7A ，V
GS
=0V,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
34
28
MAX 。单位
1.2
-
-
V
ns
nC
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.表面安装1平方英寸铜FR4板垫，T <10sec ; 135
℃/W
安装在最小的时候。铜垫。
AP9928GEM
30
30
I
D
，漏电流（ A）
T
A
=25 C
20
o
I
D
，漏电流（ A）
4.5V
3.5 V
3.0 V
2.5V
T
A
= 150 C
o
4.5V
3.5 V
3.0 V
2.5V
20
10
V
G
=2.0V
10
V
G
= 2.0 V
0
0
1
2
3
4
0
0
1
2
3
4
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
27
1.8
I
D
=5A
T
A
=25
o
C
归一化
DS （ ON）
23
1.4
I
D
=7A
V
G
= 4.5V
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
19
1.0
15
2
4
6
8
10
0.6
-50
0
50
100
150
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.温度
1.6
8
归V
GS （ TH）
(V)
1.2
6
1.2
I
S
(A)
T
j
=150
o
C
4
T
j
=25
o
C
0.8
2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0.4
-50
0
50
100
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（ C）
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
AP9928GEM
15
10000
f=1.0MHz
V
GS
，门源电压（ V）
I
D
=7A
12
9
C（ pF）的
V
DS
= 10 V
V
DS
= 12 V
V
DS
=1 6 V
1000
6
C
OSS
3
C
国际空间站
C
RSS
0
100
0
10
20
30
40
1
4
7
10
13
16
19
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
归热响应（R
thJA
)
占空比系数= 0.5
10
1ms
0.2
0.1
0.1
10ms
I
D
(A)
1
0.05
0.02
0.01
100ms
1s
10s
DC
P
DM
0.01
单脉冲
t
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
R
thJA
=135
o
C / W
0.1
T
A
=25
o
C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
100
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
30
V
DS
=5V
I
D
，漏电流（ A）
T
j
=25
o
C
20
V
G
T
j
=150
o
C
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
10
收费
0
0
1
2
3
4
Q
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图11.传输特性
图12.栅极电荷波形
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