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AP9926M
先进的电源
电子股份有限公司
低导通电阻
能够2.5V栅极驱动
低驱动电流
表面贴装封装
SO-8
S1
G2
S2
G1
D2
D1
D1
D2
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
20V
30mΩ
6A
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合,
加固装置的设计,超低导通电阻和
成本效益。
D1
D2
G1
S1
G2
S2
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@ 4.5V
连续漏电流
3
, V
GS
@ 4.5V
漏电流脉冲
1,2
3
等级
20
± 12
6
4.8
20
2
0.016
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
价值
62.5
单位
℃/W
数据和规格如有变更,恕不另行通知
20020426
AP9926M
电气特性@ T
j
=25
o
℃(除非另有规定)
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=250uA
分钟。
20
-
-
-
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.1
-
-
-
15.6
-
-
-
12.5
1
6.5
7
14.5
19
12
355
190
85
MAX 。单位
-
-
30
45
-
-
1
25
±100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V/℃
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ,我
D
=1mA
R
DS ( ON)
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ,我
D
=6A
V
GS
= 2.5V ,我
D
=5.2A
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流(T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流(T
j
=70
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ,我
D
=6A
V
DS
=20V, V
GS
=0V
V
DS
=20V ,V
GS
=0V
V
GS
=
± 12V
I
D
=6A
V
DS
=20V
V
GS
=5V
V
DS
=10V
I
D
=1A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=5V
R
D
=10Ω
V
GS
=0V
V
DS
=20V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压上
2
测试条件
T
j
=25℃, I
S
= 1.7A ,V
GS
=0V
分钟。
-
典型值。
-
MAX 。单位
1.2
V
注意事项:
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ,占空比<2 % 。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫;安装在分当135 ℃ / W 。铜垫。
AP9926M
25
25
T
C
=25
o
C
20
V
G
=4.5V
V
G
=4.0V
V
G
=3.5V
20
T
C
=150
o
C
V
G
=4.5V
V
G
=4.0V
V
G
=3.5V
I
D
,漏电流( A)
I
D
,漏电流( A)
V
G
=3.0V
15
V
G
=2.5V
15
V
G
=3.0V
V
G
=2.5V
10
10
5
V
G
=2.0V
V
G
=2.0V
5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
45
1.8
I
D
=6A
40
I
D
=6A
1.6
T
C
=25
o
C
V
G
=4.5V
R
DSON
(m
Ω
)
35
归一化
DS ( ON)
2
3
4
5
6
1.4
1.2
30
1.0
25
0.8
20
0.6
-50
0
50
100
150
V
GS
(V)
T
j
,结温( C)
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
AP9926M
8
2.5
7
2
6
I
D
,漏电流( A)
5
1.5
4
P
D
(W)
1
0.5
0
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
3
2
1
0
T
c
,外壳温度( C)
o
T
c
,外壳温度( C)
o
图5.最大漏极电流V.S.
图6.典型功耗
外壳温度
100
1
DUTY=0.5
归热响应(R
thJA
)
0.2
10
1ms
10ms
I
D
(A)
1
0.1
0.1
0.05
0.02
P
DM
100ms
1s
0.1
t
0.01
T
单脉冲
0.01
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
Rthja = 270 ℃ / W
T
c
=25
o
C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
DC
0.001
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
(V)
T,脉冲宽度(S )
图7.最大安全工作区
图8.有效的瞬态热阻抗
AP9926M
12
1000
f=1.0MHz
I
D
=6A
10
V
GS
,门源电压( V)
V
DS
=10V
8
西塞
V
DS
=15V
V
DS
=20V
科斯
C( pF)的
100
6
CRSS
4
2
0
0
5
10
15
20
25
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
,总栅极电荷( NC)
V
DS
(V)
图9.栅极电荷特性
图10.典型的电容特性
100
1.6
1.4
10
T
j
=150
o
C
T
j
=25
o
C
1
1.2
V
GS ( TH)
(V)
1
I
S
(A)
0.8
0.6
0.1
0.4
0.01
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0.2
-50
0
50
100
150
V
SD
(V)
T
j
,结温(
o
C )
图11.正向特性
反向二极管
图12.栅极阈值电压V.S.
结温
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AP9926M
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电话:13681678667
联系人:吴
地址:上海市宝山区大场镇锦秋路699弄锦秋花园
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SOP
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电话:075582788161
联系人:王小姐
地址:深圳市华强北世纪汇都会轩4507
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电话:0755-82524647
联系人:邝小姐
地址:广东省深圳市福田区华强北路宝华大厦A座A813
AP9926M
AP
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电话:13528893675
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋5楼B01室。 香港特別行政區中环皇后大道中5號衡怡大厦2432室
AP9926M
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联系人:李先生
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电话:0755-83226745/82584980
联系人:马小姐
地址:福田区振华路深纺大厦A座1708室
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电话:0755-23919407
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区振兴路华康大厦二栋5楼518
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电话:0755-83222787/23999932
联系人:林小姐 胡先生 张先生
地址:深圳市华强北赛格科技园3栋东座10楼A2
AP9926M
AP(富鼎)
24+
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授权分销 现货热卖
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
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