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AP9685M

先进的电源

电子股份有限公司

▼

简单的驱动要求

D

N沟道增强模式

功率MOSFET

BV

DSS

R

DS （ ON）

I

D

G

80V

45mΩ

5.3A

▼

低栅极电荷

▼

快速开关特性

D

D

D

SO-8

S

S

S

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。

在SO -8封装普遍首选的所有商业工业

表面贴装应用，并适用于低电压应用

诸如DC / DC转换器。

D

G

S

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@T

A

=25℃

I

D

@T

A

=100℃

I

DM

P

D

@T

A

=25℃

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

3

连续漏电流

3

漏电流脉冲

1

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

等级

80

±

20

5.3

3.4

50

2.5

0.02

-55到150

-55到150

单位

V

V

A

A

A

W

W/℃

℃

℃

热数据

符号

Rthj -A

参数

热阻结到环境

3

马克斯。

价值

50

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

201216031

AP9685M

电气特性@ T

j

=25

o

℃（除非另有规定）

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

j

参数

漏源击穿电压

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=1mA

分钟。

80

-

-

-

1

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

0.073

-

-

-

9

-

-

-

19

5

10

11

6

36

22

135

98

MAX 。单位

-

-

45

50

3

-

1

25

±100

30

-

-

-

-

-

-

-

-

V

V/℃

mΩ

mΩ

V

S

uA

uA

nA

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

pF

pF

pF

击穿电压温度系数

参考25 ℃ ，我

D

=1mA

R

DS （ ON）

静态漏源导通电阻

2

V

GS

= 10V ，我

D

=5.3A

V

GS

= 4.5V ，我

D

=3.0A

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流（T

j

=25

o

C)

漏极 - 源极漏电流（T

j

=70

o

C)

V

DS

=V

GS

, I

D

=250uA

V

DS

= 10V ，我

D

=5A

V

DS

=80V, V

GS

=0V

V

DS

=64V, V

GS

=0V

V

GS

= ± 20V

I

D

=5A

V

DS

=64V

V

GS

=4.5V

V

DS

=40V

I

D

=1A

R

G

=3.3Ω,V

GS

=10V

R

D

=40Ω

V

GS

=0V

V

DS

=25V

f=1.0MHz

栅源漏

总栅极电荷

2

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

2

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

1710 2730

源极 - 漏极二极管

符号

V

SD

参数

正向电压上

2

反向恢复时间

反向恢复电荷

测试条件

I

S

= 2A ，V

GS

=0V

I

S

=5A,

V

GS

=0

V

,

dI/dt=100A/s

分钟。

-

-

-

典型值。

-

42

84

MAX 。单位

1.2

-

-

V

ns

nC

t

rr

Q

rr

注意事项：

1.Pulse宽度有限的最大。结温。

2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％。

3.表面安装1

2

FR4电路板的铜垫; 125

℃/W

安装在最小的时候。铜垫。

AP9685M

70

50

60

T

A

=25

o

C

I

D

，漏电流（ A）

50

I

D

，漏电流（ A）

10V

6.0V

5.0V

4.5V

T

A

=150 C

40

o

10V

6.0V

5.0V

4.5V

30

40

30

20

V

G

= 3.0 V

10

20

V

G

=3.0V

10

0

0.0

2.0

4.0

6.0

8.0

10.0

0

0

2

4

6

8

10

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

47.50

2.2

45.00

I

D

=5A

T

A

=25

℃

归一化

DS （ ON）

2.0

1.8

I

D

=5.3A

V

G

=10V

R

DS （ ON）

(m

Ω

)

1.6

42.50

1.4

1.2

40.00

1.0

0.8

37.50

0.6

35.00

2

4

6

8

10

12

0.4

-50

0

50

100

150

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

j

，结温（

o

C)

图3.导通电阻V.S.栅极电压

图4.归一导通电阻

V.S.结温

2.5

5

4

2

I

S

(A)

3

T

j

=150

o

C

2

T

j

=25

o

C

V

GS （ TH）

(V)

1.2

1.5

1

1

0

0.5

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

-50

0

50

100

150

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

T

j

，结温（ C）

o

图5.正向特性

反向二极管

图6.栅极阈值电压V.S.

结温

AP9685M

16

f=1.0MHz

10000

I

D

= 5 A

V

GS

，门源电压（ V）

C

国际空间站

12

8

C（ pF）的

V

DS

= 40 V

V

DS

= 50 V

V

DS

= 64 V

1000

C

OSS

100

4

C

RSS

0

10

0

10

20

30

40

50

1

5

9

13

17

21

25

29

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.典型的电容特性

100

1

归热响应（R

thJA

)

占空比系数= 0.5

10

0.2

0.1

0.05

100us

I

D

(A)

1ms

1

0.1

0.02

0.01

PDM

0.01

单脉冲

t

T

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

j

= P

DM

个R

thJA

+ T

a

R

thJA

= 125℃/W

10ms

100ms

0.1

T

A

=25 C

单脉冲

0.01

0.1

1

10

100

o

1s

DC

1000

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

T，脉冲宽度（S ）

图9.最高安全工作区

图10.有效的瞬态热阻抗

V

DS

90%

V

G

Q

G

4.5V

Q

GS

Q

GD

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

收费

Q

图11.开关时间波形

图12.栅极电荷波形

AP9685M

先进的电源

电子股份有限公司

▼

简单的驱动要求

D

N沟道增强模式

功率MOSFET

BV

DSS

R

DS （ ON）

I

D

G

80V

45mΩ

5.3A

▼

低栅极电荷

▼

快速开关特性

D

D

D

SO-8

S

S

S

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。

在SO -8封装普遍首选的所有商业工业

表面贴装应用，并适用于低电压应用

诸如DC / DC转换器。

D

G

S

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@T

A

=25℃

I

D

@T

A

=100℃

I

DM

P

D

@T

A

=25℃

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

3

连续漏电流

3

漏电流脉冲

1

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

等级

80

±

20

5.3

3.4

50

2.5

0.02

-55到150

-55到150

单位

V

V

A

A

A

W

W/℃

℃

℃

热数据

符号

Rthj -A

参数

热阻结到环境

3

马克斯。

价值

50

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

201216031

AP9685M

电气特性@ T

j

=25

o

℃（除非另有规定）

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

j

参数

漏源击穿电压

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=1mA

分钟。

80

-

-

-

1

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

0.073

-

-

-

9

-

-

-

19

5

10

11

6

36

22

135

98

MAX 。单位

-

-

45

50

3

-

1

25

±100

30

-

-

-

-

-

-

-

-

V

V/℃

mΩ

mΩ

V

S

uA

uA

nA

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

pF

pF

pF

击穿电压温度系数

参考25 ℃ ，我

D

=1mA

R

DS （ ON）

静态漏源导通电阻

2

V

GS

= 10V ，我

D

=5.3A

V

GS

= 4.5V ，我

D

=3.0A

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流（T

j

=25

o

C)

漏极 - 源极漏电流（T

j

=70

o

C)

V

DS

=V

GS

, I

D

=250uA

V

DS

= 10V ，我

D

=5A

V

DS

=80V, V

GS

=0V

V

DS

=64V, V

GS

=0V

V

GS

= ± 20V

I

D

=5A

V

DS

=64V

V

GS

=4.5V

V

DS

=40V

I

D

=1A

R

G

=3.3Ω,V

GS

=10V

R

D

=40Ω

V

GS

=0V

V

DS

=25V

f=1.0MHz

栅源漏

总栅极电荷

2

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

2

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

1710 2730

源极 - 漏极二极管

符号

V

SD

参数

正向电压上

2

反向恢复时间

反向恢复电荷

测试条件

I

S

= 2A ，V

GS

=0V

I

S

=5A,

V

GS

=0

V

,

dI/dt=100A/s

分钟。

-

-

-

典型值。

-

42

84

MAX 。单位

1.2

-

-

V

ns

nC

t

rr

Q

rr

注意事项：

1.Pulse宽度有限的最大。结温。

2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％。

3.表面安装1

2

FR4电路板的铜垫; 125

℃/W

安装在最小的时候。铜垫。

AP9685M

70

50

60

T

A

=25

o

C

I

D

，漏电流（ A）

50

I

D

，漏电流（ A）

10V

6.0V

5.0V

4.5V

T

A

=150 C

40

o

10V

6.0V

5.0V

4.5V

30

40

30

20

V

G

= 3.0 V

10

20

V

G

=3.0V

10

0

0.0

2.0

4.0

6.0

8.0

10.0

0

0

2

4

6

8

10

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

47.50

2.2

45.00

I

D

=5A

T

A

=25

℃

归一化

DS （ ON）

2.0

1.8

I

D

=5.3A

V

G

=10V

R

DS （ ON）

(m

Ω

)

1.6

42.50

1.4

1.2

40.00

1.0

0.8

37.50

0.6

35.00

2

4

6

8

10

12

0.4

-50

0

50

100

150

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

j

，结温（

o

C)

图3.导通电阻V.S.栅极电压

图4.归一导通电阻

V.S.结温

2.5

5

4

2

I

S

(A)

3

T

j

=150

o

C

2

T

j

=25

o

C

V

GS （ TH）

(V)

1.2

1.5

1

1

0

0.5

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

-50

0

50

100

150

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

T

j

，结温（ C）

o

图5.正向特性

反向二极管

图6.栅极阈值电压V.S.

结温

AP9685M

16

f=1.0MHz

10000

I

D

= 5 A

V

GS

，门源电压（ V）

C

国际空间站

12

8

C（ pF）的

V

DS

= 40 V

V

DS

= 50 V

V

DS

= 64 V

1000

C

OSS

100

4

C

RSS

0

10

0

10

20

30

40

50

1

5

9

13

17

21

25

29

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.典型的电容特性

100

1

归热响应（R

thJA

)

占空比系数= 0.5

10

0.2

0.1

0.05

100us

I

D

(A)

1ms

1

0.1

0.02

0.01

PDM

0.01

单脉冲

t

T

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

j

= P

DM

个R

thJA

+ T

a

R

thJA

= 125℃/W

10ms

100ms

0.1

T

A

=25 C

单脉冲

0.01

0.1

1

10

100

o

1s

DC

1000

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

T，脉冲宽度（S ）

图9.最高安全工作区

图10.有效的瞬态热阻抗

V

DS

90%

V

G

Q

G

4.5V

Q

GS

Q

GD

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

收费

Q

图11.开关时间波形

图12.栅极电荷波形

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SO8

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AP9685M

SQ

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9634

SOP8

全新原装现货，原厂代理。

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AP9685M

VB

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35500

SO8

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AP9685M

SQ

21+

10000

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联系人：张女士

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SQ

21+22+

27000

SOP8

原装正品

深圳市芯福林电子科技有限公司

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