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AP9585GM
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
简单的驱动要求
▼
低栅极电荷
▼
快速开关特性
D
D
D
D
P沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
G
-80V
180mΩ
-2.7A
I
D
SO-8
S
S
S
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。
在SO -8封装，广泛首选的所有商业，工业
表面贴装应用，并适用于低电压应用
诸如DC / DC转换器。
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
3
等级
-80
+20
-2.7
-2.1
-20
2.5
0.02
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
连续漏电流
3
热数据
符号
Rthj -A
参数
最大热阻，结到环境
3
价值
50
单位
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
1
200811181
AP9585GM
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
V
GS
= -10V ，我
D
=-2.7A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-2.5A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -10V ，我
D
=-2.7A
V
DS
=-80V, V
GS
=0V
V
GS
=+20V
I
D
=-2.7A
V
DS
=-64V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-40V
I
D
=-1A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=-10V
R
D
=40Ω
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
f=1.0MHz
分钟。
-80
-
-
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
5
-
-
-
18
5
7
10
6
67
30
140
98
MAX 。单位
-
180
200
-3
-
-1
-25
+100
28
-
-
-
-
-
-
-
-
V
m
m
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
漏极 - 源极漏电流（T
j
=70
o
C)
V
DS
=-64V, V
GS
=0V
1790 2860
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压上
2
测试条件
I
S
= -2A ，V
GS
=0V
I
S
=-2.7A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
80
320
MAX 。单位
-1.2
-
-
V
ns
nC
t
rr
Q
rr
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse测试
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫; 125
℃/W
安装在最小的时候。铜垫。
本产品是敏感的静电放电，请小心处理。
将本产品作为一个重要组成部分在生命支持或其它相似的系统是不授权。
APEC并不承担因任何产品或电路的应用或使用描述任何责任
此处;它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
APEC保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品，以提高权
可靠性，功能或设计。
2
AP9585GM
40
30
T
A
= 25 C
35
o
-I
D
，漏电流（ A）
30
-I
D
，漏电流（ A）
-10V
-6.0V
-5.0V
-4.5V
T
A
=150
o
C
25
-10V
-6.0V
-5.0V
-4.5V
20
25
20
15
15
V
G
= -3.0 V
10
10
V
G
= -3.0 V
5
5
0
0
4
8
12
16
20
0
0
2
4
6
8
10
12
14
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
150
2.2
145
I
D
= -2.5 A
T
A
=25
℃
归一化
DS （ ON）
2.0
1.8
I
D
= -2.7 A
V
G
=-10V
1.6
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
140
1.4
1.2
135
1.0
130
0.8
0.6
125
0.4
3
4
5
6
7
8
9
10
11
-50
0
50
100
150
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（
o
C)
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
3
6
2.5
4
2
-I
S
(A)
-V
GS （ TH）
(V)
1.4
T
j
=150 C
2
o
T
j
=25 C
o
1.5
1
0.5
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
-50
0
50
100
150
-V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（ C）
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3
AP9585GM
12
10000
f=1.0MHz
10
-V
GS
，门源电压（ V）
I
D
= -2.7A
V
DS
= -64V
C
国际空间站
8
1000
6
C（ pF）的
4
100
C
OSS
C
RSS
2
0
0
10
20
30
40
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
占空比系数= 0.5
归热响应（R
thJA
)
0.2
10
100us
-I
D
(A)
1ms
1
0.1
0.1
0.05
10ms
100ms
0.1
0.02
0.01
P
DM
0.01
单脉冲
t
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
R
thJA
=125
o
C / W
T
A
=25 C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
100
o
1s
DC
1000
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
-4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
4
先进的电力电子股份有限公司。
封装外形： SO- 8
D
MILLIMETERS
符号
民
喃
最大
8
7
6
5
E1
E
A
A1
B
c
D
E
E1
e
1.35
0.10
0.33
0.19
4.80
5.80
3.80
1.55
0.18
0.41
0.22
4.90
6.15
3.90
1.27 （典型值）
0.254 TYP
1.75
0.25
0.51
0.25
5.00
6.50
4.00
1
2
3
4
e
B
G
L
α
0.38
0.00
－
4.00
0.90
8.00
A
A1
G
1.所有尺寸以毫米为单位。
2.Dimension不包括模型突起。
最热资讯&包装： SO- 8
产品型号
封装代码
符合RoHS要求
9585GM
YWWSSS
日期代码（ YWWSSS ）
Y：最后一位的年
WW ：周
SSS ：序
5
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推荐型号
AD9511-VCO/PCB
ASTC-02-14
AIC1742-29BCVTR
ADP1707ARDZ-0.95R7
AD7305BRUZ-REEL7
AME8501AEFVBF21
AH284R-YLA
ATF-38143-BLK
AMDL16G
ATS-52425G-C2-R0
ACT8810
AH291P-PLA
AM21L41-12DC
AME8500CEFVBF42
AM27PS19135BJA
AM29DL16XCT70EEB
AM29LV160BT-120FDB
AA-2202T
AM52-0024SMB
AFL2805SXCH
供货商
型号
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数量
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单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AP9585GM
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09+
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