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AP9581GP-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
低导通电阻
简单的驱动要求
快速开关特性
无卤& RoHS标准的产品
G
P沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
-80V
15mΩ
-95A
S
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供了设计者
快速切换的最佳组合,坚固耐用的设备设计,低导通
性和成本效益。
在TO- 220封装,广泛首选商业工业电源
应用和适合于低电压应用,如直流/直流
转换器。
G
D
S
TO-220(P)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
存储温度范围
工作结温范围
等级
-80
+20
-95
-60
-300
250
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
o
o
C
C
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
最大热阻,结案件
最大热阻,结到环境
价值
0.5
62
单位
o
o
C / W
C / W
1
数据和规格如有变更,恕不另行通知
201107181
AP9581GP-HF
电气特性@ T
j
=25
o
℃(除非另有规定)
符号
BV
DSS
R
DS ( ON)
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=-250uA
V
GS
= -10V ,我
D
=-30A
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-20A
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -10V ,我
D
=-30A
V
DS
=-64V, V
GS
=0V
V
GS
= +20V, V
DS
=0V
I
D
=-30A
V
DS
=-64V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-40V
I
D
=-30A
R
G
=3.3Ω
V
GS
=-10V
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
f=1.0MHz
分钟。
-80
-
-
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
60
-
-
72
11
45
13
60
135
165
900
390
MAX 。单位
-
15
20
-3
-
-25
+100
115
-
-
-
-
-
-
-
-
V
m
m
V
S
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
(P)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
6200 9920
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= -30A ,V
GS
=0V
I
S
= -10A ,V
GS
=0V,
dI/dt=-100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
60
125
MAX 。单位
-1.3
-
-
V
ns
nC
注意事项:
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse测试
本产品是敏感的静电放电,请小心处理。
将本产品作为一个重要组成部分在生命支持或其它相似的系统是不授权。
APEC并不承担因任何产品或电路的应用或使用描述任何责任
此处;它也没有传达根据其专利权的任何执照,也没有他人的权利。
APEC保留随时更改,恕不另行通知这里的任何产品,以提高权
可靠性,功能或设计。
2
AP9581GP-HF
250
160
T
C
= 25 C
200
o
-I
D
,漏电流( A)
-I
D
,漏电流( A)
-10V
-8.0V
-7.0V
-6.0V
V
G
= - 5.0V
T
C
=150
o
C
120
-10V
-8.0V
-7.0V
-6.0V
V
G
= -5.0V
150
80
100
40
50
0
0
2
4
6
8
10
0
0
2
4
6
8
10
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
18
2.0
I
D
= -20 A
T
C
=25
o
C
归一化
DS ( ON)
2
4
6
8
10
16
I
D
= - 30 A
V
G
= -10V
1.6
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
14
1.2
12
0.8
10
0.4
-50
0
50
100
150
-V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
j
,结温( C)
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.4
40
1.2
30
归-V
GS ( TH)
(V)
1.2
1.4
1.0
-I
S
(A)
20
T
j
=150
o
C
T
j
=25
o
C
0.8
0.6
10
0.4
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0.2
-50
0
50
100
150
-V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温(
o
C)
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3
AP9581GP-HF
f=1.0MHz
10
10000
-V
GS
,门源电压( V)
V
DS
= - 64 V
I
D
= - 30 A
8
8000
C( pF)的
6
6000
C
国际空间站
4
4000
2
2000
C
OSS
C
RSS
0
0
40
80
120
160
0
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
,总栅极电荷( NC)
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
1000
1
100
操作在此
面积受限
R
DS ( ON)
100us
归热响应(R
thJC
)
占空比系数= 0.5
0.2
-I
D
(A)
0.1
0.1
0.05
1ms
10
P
DM
T
c
=25
o
C
单脉冲
1
0.1
1
10
10ms
100ms
DC
t
0.02
0.01
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
单脉冲
0.01
100
1000
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
T,脉冲宽度(S )
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
100
V
G
80
-I
D
,漏电流( A)
Q
G
60
-4.5V
Q
GS
Q
GD
40
20
收费
0
25
50
75
100
125
150
Q
T
C
,外壳温度(
o
C)
图11.最大连续漏极电流
V.S.外壳温度
图12.栅极电荷波形
4
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地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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21+
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TO-220
全新原装正品/质量有保证
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原装现货上海库存,欢迎咨询
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电话:0755-82561519 0755-82567969 18928435545
联系人:李
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一级代理专营,原装现货,价格优势
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联系人:朱先生
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AP
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