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AP9576GM
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
导通电阻的降低
▼
简单的驱动要求
▼
快速开关特性
D
D
D
D
P沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
G
-60V
90mΩ
-4A
I
D
SO-8
S
S
S
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。
在SO -8封装普遍首选的所有商业工业
表面安装的应用和适合于低电压应用，例如
作为DC / DC变换器。
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
-60
±25
-4.0
-3.1
-20
2.5
0.02
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
价值
50
单位
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
20100441
AP9576GM
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
分钟。
-60
-
-
-
-0.8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-0.06
-
-
-
7
-
-
-
15
2
5
8
5
36
7
120
90
MAX 。单位
-
-
90
120
-3
-
-10
-25
±100
24
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=-1mA
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
2
V
GS
= -10V ，我
D
=-4A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-3A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=70
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -10V ，我
D
=-4A
V
DS
=-60V, V
GS
=0V
V
DS
=-48V, V
GS
=0V
V
GS
=±25V
I
D
=-4A
V
DS
=-48V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-30V
I
D
=-1A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=-10V
R
D
=30Ω
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
1170 1880
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= -2A ，V
GS
=0V
I
S
=-4A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
32
47
MAX 。单位
-1.2
-
-
V
ns
nC
t
rr
Q
rr
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫，T <10sec ; 125
℃/W
安装在最小的时候。铜垫。
AP9576GM
30
30
T
A
= 25
o
C
-I
D
，漏电流（ A）
20
-I
D
，漏电流（ A）
-10V
-7.0V
-5.0V
-4.5V
V
G
=-3.0V
T
A
= 150 C
o
-10V
-7.0V
-5.0V
-4.5V
20
V
G
=-3.0V
10
10
0
0
2
4
6
8
10
12
0
0
2
4
6
8
10
12
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
90
2.0
86
归一化
DS （ ON）
I
D
=-3A
T
A
=25
℃
1.6
I
D
=-4A
V
G
=-10V
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
82
1.2
78
0.8
74
0.4
2
4
6
8
10
-50
0
50
100
150
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（
o
C)
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
2.0
4
3
1.5
-I
S
(A)
T
j
=150
o
C
2
T
j
=25
o
C
归V
GS （ TH）
(V)
1.2
1.0
1
0.5
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0.0
-50
0
50
100
150
-V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（
o
C)
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
AP9576GM
f=1.0MHz
12
10000
-V
GS
，门源电压（ V）
I
D
= -4A
V
DS
= - 48 V
9
1000
C
国际空间站
6
C（ pF）的
C
OSS
100
C
RSS
3
0
0
7
14
21
28
35
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
归热响应（R
thJA
)
占空比系数= 0.5
10
100us
1ms
0.2
0.1
0.1
0.05
-I
D
(A)
1
10ms
100ms
0.02
0.01
P
DM
0.01
单脉冲
t
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
R
thJA
= 125℃ / W
o
0.1
T
A
=25
o
C
单脉冲
1s
DC
10
100
1000
0.01
0.1
1
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
-4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
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