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AP9475M
先进的电源
电子股份有限公司
▼
简单的驱动要求
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
G
60V
40mΩ
6.9A
▼
低栅极电荷
▼
快速开关特性
D
D
D
SO-8
S
S
S
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。
在SO -8封装普遍首选的所有商业工业
表面贴装应用，并适用于低电压应用
诸如DC / DC转换器。
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
60
±25
6.9
5.5
30
2.5
0.02
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
价值
50
单位
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200517041
AP9475M
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=1mA
分钟。
60
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.073
-
-
-
10
-
-
-
19
5
10
11
6
35
10
160
116
1.58
MAX 。单位
-
-
40
50
3
-
1
25
±100
30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
V
GS
= 10V ，我
D
=6A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=4A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=6A
V
DS
=60V, V
GS
=0V
V
DS
=48V, V
GS
=0V
V
GS
=±25V
I
D
=6A
V
DS
=48V
V
GS
=4.5V
V
DS
=30V
I
D
=1A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=30Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=70
o
C)
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
1670 2670
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= 2A ，V
GS
=0V
I
S
=6A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
34
50
MAX 。单位
1.2
-
-
V
ns
nC
t
rr
Q
rr
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫; 125
℃/W
安装在最小的时候。铜垫。
AP9475M
100
80
T
A
=25 C
I
D
，漏电流（ A）
80
o
10V
6.0V
I
D
，漏电流（ A）
70
T
A
= 150
o
C
10V
6.0V
60
50
60
5.0V
4.5V
5.0V
4.5V
40
40
30
20
20
V
G
=3.0V
V
G
=3.0V
10
0
0
1
2
3
4
5
6
0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
46
1.6
44
I
D
=4A
T
A
=25
℃
归一化
DS （ ON）
1.4
I
D
=6A
V
G
=10V
42
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
1.2
40
38
1.0
36
0.8
34
32
3
5
7
9
11
0.6
-50
0
50
100
150
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（
o
C)
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.50
6
5
归V
GS （ TH）
(V)
1.25
4
I
S
(A)
3
1.00
T
j
=150
o
C
2
T
j
=25
o
C
0.75
1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.50
-50
0
50
100
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（
o
C)
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
AP9475M
f=1.0MHz
14
10000
I
D
=6A
12
V
GS
，门源电压（ V）
10
V
DS
= 30 V
V
DS
= 38 V
V
DS
= 48 V
C（ pF）的
1000
C
国际空间站
8
6
4
2
C
OSS
C
RSS
100
0
10
20
30
40
50
1
5
9
13
17
21
25
29
0
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
归热响应（R
thJA
)
占空比系数= 0.5
0.2
10
1ms
I
D
(A)
1
0.1
0.1
0.05
10ms
100ms
0.1
0.02
0.01
P
DM
0.01
t
T
单脉冲
T
A
=25
o
C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
1s
DC
100
1000
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
R
thJA
= 125℃/W
℃
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
AP9475M
先进的电源
电子股份有限公司
▼
简单的驱动要求
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
G
60V
40mΩ
6.9A
▼
低栅极电荷
▼
快速开关特性
D
D
D
SO-8
S
S
S
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。
在SO -8封装普遍首选的所有商业工业
表面贴装应用，并适用于低电压应用
诸如DC / DC转换器。
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
60
±25
6.9
5.5
30
2.5
0.02
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
价值
50
单位
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200517041
AP9475M
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=1mA
分钟。
60
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.073
-
-
-
10
-
-
-
19
5
10
11
6
35
10
160
116
1.58
MAX 。单位
-
-
40
50
3
-
1
25
±100
30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
V
GS
= 10V ，我
D
=6A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=4A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=6A
V
DS
=60V, V
GS
=0V
V
DS
=48V, V
GS
=0V
V
GS
=±25V
I
D
=6A
V
DS
=48V
V
GS
=4.5V
V
DS
=30V
I
D
=1A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=30Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=70
o
C)
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
1670 2670
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= 2A ，V
GS
=0V
I
S
=6A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
34
50
MAX 。单位
1.2
-
-
V
ns
nC
t
rr
Q
rr
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫; 125
℃/W
安装在最小的时候。铜垫。
AP9475M
100
80
T
A
=25 C
I
D
，漏电流（ A）
80
o
10V
6.0V
I
D
，漏电流（ A）
70
T
A
= 150
o
C
10V
6.0V
60
50
60
5.0V
4.5V
5.0V
4.5V
40
40
30
20
20
V
G
=3.0V
V
G
=3.0V
10
0
0
1
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1
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3
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6
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
46
1.6
44
I
D
=4A
T
A
=25
℃
归一化
DS （ ON）
1.4
I
D
=6A
V
G
=10V
42
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
1.2
40
38
1.0
36
0.8
34
32
3
5
7
9
11
0.6
-50
0
50
100
150
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（
o
C)
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.50
6
5
归V
GS （ TH）
(V)
1.25
4
I
S
(A)
3
1.00
T
j
=150
o
C
2
T
j
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o
C
0.75
1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.50
-50
0
50
100
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（
o
C)
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
AP9475M
f=1.0MHz
14
10000
I
D
=6A
12
V
GS
，门源电压（ V）
10
V
DS
= 30 V
V
DS
= 38 V
V
DS
= 48 V
C（ pF）的
1000
C
国际空间站
8
6
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C
OSS
C
RSS
100
0
10
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30
40
50
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13
17
21
25
29
0
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
归热响应（R
thJA
)
占空比系数= 0.5
0.2
10
1ms
I
D
(A)
1
0.1
0.1
0.05
10ms
100ms
0.1
0.02
0.01
P
DM
0.01
t
T
单脉冲
T
A
=25
o
C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
1s
DC
100
1000
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
R
thJA
= 125℃/W
℃
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
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AD8110-EB
AT90S8515-JI
ADM869L
AP1347XS
ASM1811-15
A59-1
ADS5221PFBR
ADAM-4011
AN6330
AD7858AN
AP1117-ADJ
供货商
型号
厂家
批号
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电话：0755-23919407
联系人：朱先生
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联系人：陈泽强
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联系人：朱咸华
地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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联系人：朱先生
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