【AP9435GK无铅电镀产品先进的电源电子股份有限公司▼简单的驱动要求▼低导通电阻▼快速开关SOT-】,IC型号AP9435GK,AP9435GK PDF资料,AP9435GK经销商,ic,电子元器件-51电子网

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AP9435GK

无铅电镀产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

简单的驱动要求

▼

低导通电阻

▼

快速开关

SOT-223

G

D

D

P沟道增强模式

功率MOSFET

BV

DSS

R

DS （ ON）

S

-30V

50mΩ

-6A

I

D

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

低导通电阻和成本效益。

D

G

S

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@T

A

=25℃

I

D

@T

A

=70℃

I

DM

P

D

@T

A

=25℃

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

3

连续漏电流

3

漏电流脉冲

1

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

等级

-30

±

25

-6

-4.8

-20

2.7

0.02

-55到150

-55到150

单位

V

V

A

A

A

W

W/℃

℃

℃

热数据

符号

Rthj - AMB

参数

热阻结到环境

3

马克斯。

价值

45

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

200708031

AP9435GK

电气特性@ T

j

=25

o

℃（除非另有规定）

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

j

参数

漏源击穿电压

静态漏源导通电阻

2

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=-250uA

分钟。典型值。马克斯。单位

-30

-

-

-

-1

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-0.02

-

-

50

100

-3

-

-1

-25

±100

16

-

-

-

-

-

-

912

-

-

V

V/℃

mΩ

mΩ

V

S

uA

uA

nA

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

pF

pF

pF

击穿电压温度系数

参考25 ℃ ，我

D

=-1mA

R

DS （ ON）

V

GS

= -10V ，我

D

=-5.3A

V

GS

= -4.5V ，我

D

=-4.2A

-

-

-

10

-

-

-

9.2

2.8

5.2

11

8

25

17

507

222

158

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流（T

j

=25

o

C)

漏极 - 源极漏电流（T

j

=70

o

C)

V

DS

=V

GS

, I

D

=-250uA

V

DS

= -10V ，我

D

=-5.3A

V

DS

=-30V, V

GS

=0V

V

DS

=-24V, V

GS

=0V

V

GS

=

±

25V

I

D

=-5.3A

V

DS

=-24V

V

GS

=-4.5V

V

DS

=-15V

I

D

=-1A

R

G

=6Ω,V

GS

=-10V

R

D

=15Ω

V

GS

=0V

V

DS

=-15V

f=1.0MHz

栅源漏

总栅极电荷

2

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

2

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

源极 - 漏极二极管

符号

V

SD

参数

正向电压上

2

反向恢复时间

反向恢复电荷

测试条件

I

S

= -2.3A ，V

GS

=0V

I

S

=-5.3A,

V

GS

=0

V

,

dI/dt=100A/s

分钟。典型值。马克斯。单位

-

-

-

-

29

20

-1.2

-

-

V

ns

nC

t

rr

QRR

注意事项：

1.Pulse宽度有限的最大。结温。

2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％。

3.表面安装1

2

FR4电路板的铜垫; 120

℃/W

安装在最小的时候。铜垫。

AP9435GK

30

30

25

T

A

=25

o

C

-I

D

，漏电流（ A）

-I

D

，漏电流（ A）

20

-10V

-8.0V

-6.0V

-5.0V

V

G

=-4.0V

25

T

A

=150 C

o

20

-10V

-8.0V

-6.0V

-5.0V

V

G

=-4.0V

15

15

10

10

5

5

0

0

1

2

3

4

5

0

0

1

2

3

4

5

6

7

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

110

1.8

100

I

D

=5.3A

T

A

=25

℃

归一化

DS （ ON）

1.6

I

D

=-5.3A

V

G

=10V

90

1.4

R

DS （ ON）

(m

Ω

)

80

70

1.2

60

1.0

50

0.8

40

30

3

4

5

6

7

8

9

10

11

0.6

-50

0

50

100

150

-V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

j

，结温（ C）

o

图3.导通电阻V.S.栅极电压

图4.归一导通电阻

V.S.结温

4

100.00

10.00

3

T

j

=150

o

C

-I

S

(A)

1.00

T

j

=25 C

o

-V

GS （ TH）

(V)

2

0.10

1

0

0.01

0.1

0.3

0.5

0.7

0.9

1.1

1.3

1.5

-50

0

50

100

150

-V

SD

，源极到漏极电压（V ）

T

j

，结温（

o

C)

图5.正向特性

反向二极管

图6.栅极阈值电压V.S.

结温

AP9435GK

14

10000

f=1.0MHz

12

-V

GS

，门源电压（ V）

I

D

= -5.3A

V

DS

= -24V

10

1000

8

6

C（ pF）的

西塞

科斯

CRSS

100

4

2

0

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

10

1

5

9

13

17

21

25

29

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.典型的电容特性

100

1

归热响应（R

thJA

)

DUTY=0.5

10

1ms

0.2

0.1

0.1

-I

D

(A)

10ms

1

0.05

0.02

100ms

1s

o

0.01

P

DM

0.01

t

T

单脉冲

0.1

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

j

= P

DM

个R

thJA

+ T

a

Rthja = 120 ℃ / W

℃

0.01

0.1

T

A

=25 C

单脉冲

1

10

DC

0.001

100

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

T，脉冲宽度（S ）

图9.最高安全工作区

图10.有效的瞬态热阻抗

V

DS

90%

V

G

Q

G

-4.5V

Q

GS

Q

GD

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

收费

Q

图11.开关时间波形

图12.栅极电荷波形

AP9435GK

无铅电镀产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

简单的驱动要求

▼

低导通电阻

▼

快速开关

SOT-223

G

D

D

P沟道增强模式

功率MOSFET

BV

DSS

R

DS （ ON）

S

-30V

50mΩ

-6A

I

D

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

低导通电阻和成本效益。

D

G

S

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@T

A

=25℃

I

D

@T

A

=70℃

I

DM

P

D

@T

A

=25℃

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

3

连续漏电流

3

漏电流脉冲

1

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

等级

-30

±

25

-6

-4.8

-20

2.7

0.02

-55到150

-55到150

单位

V

V

A

A

A

W

W/℃

℃

℃

热数据

符号

Rthj - AMB

参数

热阻结到环境

3

马克斯。

价值

45

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

200708031

AP9435GK

电气特性@ T

j

=25

o

℃（除非另有规定）

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

j

参数

漏源击穿电压

静态漏源导通电阻

2

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=-250uA

分钟。典型值。马克斯。单位

-30

-

-

-

-1

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-0.02

-

-

50

100

-3

-

-1

-25

±100

16

-

-

-

-

-

-

912

-

-

V

V/℃

mΩ

mΩ

V

S

uA

uA

nA

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

pF

pF

pF

击穿电压温度系数

参考25 ℃ ，我

D

=-1mA

R

DS （ ON）

V

GS

= -10V ，我

D

=-5.3A

V

GS

= -4.5V ，我

D

=-4.2A

-

-

-

10

-

-

-

9.2

2.8

5.2

11

8

25

17

507

222

158

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流（T

j

=25

o

C)

漏极 - 源极漏电流（T

j

=70

o

C)

V

DS

=V

GS

, I

D

=-250uA

V

DS

= -10V ，我

D

=-5.3A

V

DS

=-30V, V

GS

=0V

V

DS

=-24V, V

GS

=0V

V

GS

=

±

25V

I

D

=-5.3A

V

DS

=-24V

V

GS

=-4.5V

V

DS

=-15V

I

D

=-1A

R

G

=6Ω,V

GS

=-10V

R

D

=15Ω

V

GS

=0V

V

DS

=-15V

f=1.0MHz

栅源漏

总栅极电荷

2

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

2

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

源极 - 漏极二极管

符号

V

SD

参数

正向电压上

2

反向恢复时间

反向恢复电荷

测试条件

I

S

= -2.3A ，V

GS

=0V

I

S

=-5.3A,

V

GS

=0

V

,

dI/dt=100A/s

分钟。典型值。马克斯。单位

-

-

-

-

29

20

-1.2

-

-

V

ns

nC

t

rr

QRR

注意事项：

1.Pulse宽度有限的最大。结温。

2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％。

3.表面安装1

2

FR4电路板的铜垫; 120

℃/W

安装在最小的时候。铜垫。

AP9435GK

30

30

25

T

A

=25

o

C

-I

D

，漏电流（ A）

-I

D

，漏电流（ A）

20

-10V

-8.0V

-6.0V

-5.0V

V

G

=-4.0V

25

T

A

=150 C

o

20

-10V

-8.0V

-6.0V

-5.0V

V

G

=-4.0V

15

15

10

10

5

5

0

0

1

2

3

4

5

0

0

1

2

3

4

5

6

7

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

110

1.8

100

I

D

=5.3A

T

A

=25

℃

归一化

DS （ ON）

1.6

I

D

=-5.3A

V

G

=10V

90

1.4

R

DS （ ON）

(m

Ω

)

80

70

1.2

60

1.0

50

0.8

40

30

3

4

5

6

7

8

9

10

11

0.6

-50

0

50

100

150

-V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

j

，结温（ C）

o

图3.导通电阻V.S.栅极电压

图4.归一导通电阻

V.S.结温

4

100.00

10.00

3

T

j

=150

o

C

-I

S

(A)

1.00

T

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-V

GS （ TH）

(V)

2

0.10

1

0

0.01

0.1

0.3

0.5

0.7

0.9

1.1

1.3

1.5

-50

0

50

100

150

-V

SD

，源极到漏极电压（V ）

T

j

，结温（

o

C)

图5.正向特性

反向二极管

图6.栅极阈值电压V.S.

结温

AP9435GK

14

10000

f=1.0MHz

12

-V

GS

，门源电压（ V）

I

D

= -5.3A

V

DS

= -24V

10

1000

8

6

C（ pF）的

西塞

科斯

CRSS

100

4

2

0

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

10

1

5

9

13

17

21

25

29

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.典型的电容特性

100

1

归热响应（R

thJA

)

DUTY=0.5

10

1ms

0.2

0.1

0.1

-I

D

(A)

10ms

1

0.05

0.02

100ms

1s

o

0.01

P

DM

0.01

t

T

单脉冲

0.1

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

j

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DM

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thJA

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a

Rthja = 120 ℃ / W

℃

0.01

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A

=25 C

单脉冲

1

10

DC

0.001

100

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

T，脉冲宽度（S ）

图9.最高安全工作区

图10.有效的瞬态热阻抗

V

DS

90%

V

G

Q

G

-4.5V

Q

GS

Q

GD

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

收费

Q

图11.开关时间波形

图12.栅极电荷波形

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联系人：连

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深圳市壹芯创科技有限公司

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联系人：杨小姐

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AP9435GK

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-

-

终端采购配单精选

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深圳市百域芯科技有限公司

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联系人：王小姐

地址：深圳市华强北世纪汇都会轩4507

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AP9435GK

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SOT-223

原装正品假一罚百/门市现货一只起售

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联系人：柯

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AP9435GK

APEC

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9852

SOT223

只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！

深圳市品惠科技有限公司

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联系人：李先生

地址：深圳市福田区华航社区中航路4号都会100大厦A座11C

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APEC

20+

37500

SOT-223(K)

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深圳市源丰诚电子科技有限公司

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联系人：朱先生

地址：深圳市福田区振兴路华康大厦二栋5楼518

AP9435GK

APEC

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4550

SOT223

进口全新原装现货

深圳市鑫远鹏科技有限公司

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