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AP90T03GS
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
更低的导通电阻
▼
简单的驱动要求
▼
快速开关特性
G
S
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
30V
4mΩ
75A
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师
快速切换的最佳组合，
坚固耐用的设备的设计，
低导通电阻和成本效益。
在TO- 263封装，广泛首选商业，工业
表面贴装应用，并适用于低电压应用
诸如DC / DC转换器。
G
D
S
TO-263(S)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
c
=25℃
I
D
@T
c
=100℃
I
DM
P
D
@T
c
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@10V
连续漏电流， V
GS
@10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
3
等级
30
±20
75
63
350
96
0.7
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
最大热阻，结案件
最大热阻，结到环境
价值
1.3
62
单位
℃/W
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
1
200802183
AP90T03GS
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=1mA
V
GS
= 10V ，我
D
=45A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=30A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流（T
j
=150
o
C)
分钟。
30
-
-
0.8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
55
-
-
-
60
8.5
38
14
83
66
120
1010
890
MAX 。单位
-
4
6
3
-
1
25
±100
96
-
-
-
-
-
-
-
-
V
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=30A
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
=24V ,V
GS
=0V
V
GS
= ±20V
I
D
=40A
V
DS
=24V
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V
I
D
=30A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=0.5Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
4090 6540
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= 45A ，V
GS
=0V
I
S
= 30A ，V
GS
=0V,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
51
63
MAX 。单位
1.3
-
-
V
ns
nC
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse测试
3.包装限制电流为75A ，计算连续电流
基于最大允许结温为125A 。
本产品对静电敏感的，请小心处理。
本产品已合格的消费市场。应用或使用AS严格标准组件生命支持
设备或系统都没有授权。
2
AP90T03GS
200
160
T
C
=25
160
o
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
10V
7.0V
5.0V
4.5V
140
T
C
= 1 50
o
120
120
100
10V
7.0V
5.0V
4.5V
V
G
=3.0V
V
G
=3.0V
80
80
60
40
40
20
0
0
1
2
3
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
6.0
2.0
I
D
=20A
T
C
=25
o
5.0
1.8
I
D
= 45
A
归一化
DS （ ON）
2
4
6
8
10
1.5
R
DS （ ON）
(m)
1.3
1.0
0.8
4.0
0.5
0.3
3.0
0.0
-50
0
50
100
150
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
2
20
15
1.5
10
V
GS （ TH）
(V)
T
j
=150
o
是（ A）
T
j
=25
o
1
5
0.5
0
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
-50
0
50
100
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（ C）
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3
AP90T03GS
14
10000
f=1.0MHz
I
D
= 40
12
V
GS
，门源电压（ V）
10
V
DS
=15V
V
DS
=20V
V
DS
=24V
C（ pF）的
1000
C
国际空间站
8
C
OSS
C
RSS
6
4
2
0
0
20
40
60
80
100
120
100
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
1000
1
归热响应（R
thJC
)
占空比系数= 0.5
100
100us
0.2
I
D
(A)
0.1
0.1
0.05
1ms
10
P
DM
0.02
10ms
100ms
T
c
=25
o
C
单身
1
0.1
1
10
100
t
T
0.01
单脉冲
DC
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
4
先进的电力电子股份有限公司。
包装外形： TO- 263
E
符号
MILLIMETERS
民
喃
最大
A
A1
A2
4.25
0.00
2.20
0.70
1.07
0.30
1.15
8.30
9.70
2.04
-----
4.50
-----
4.75
0.15
2.45
0.90
1.27
0.45
1.30
8.90
10.10
2.54
1.50
4.90
1.50
5.20
0.30
2.70
1.10
1.47
0.60
1.45
9.40
10.50
3.04
-----
5.30
----
D
b
b1
c
c1
L2
b1
L3
b
D
E
e
L2
L3
L4
e
L4
A
A2
1.所有尺寸以毫米为单位。
2.Dimension不包括模型突起。
c1
c
θ
A1
最热资讯&包装： TO- 263
产品型号
封装代码
XXXXXS
90T03GS
符合RoHS要求
YWWSSS
标志
日期代码（ YWWSSS ）
Y：最后一位的年
WW ：周
SSS ：序
5
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AZ23C6V8-V
AM1G-4812DH30Z
AIC1723A-25CXTB
ACT-S128K32C-020F18Q
AD7780BRUZ
AD5338BRMZ-1
AP1307K-SA
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AM27C010-70JI5
AEO12B48-6
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AD7723
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操作
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