AP9050
保护接口的PMIC,具有
集成OVP控制
描述
AP9050是为了保护最新一代的PMIC的
对于便携式应用,如UMPC产品,智能手机和
其他人利用电池供电。
集成的LDO允许PMIC上电和
确定是否在连接在电源(USB或
AC- DC墙式适配器)是有效的,安全的操作即可
进行。
所述的PMIC控制集成n沟道的操作
MOSFET要么通过线电压或断开线路
从PMIC ,以保护其内部电路的情况下
过电压。
在AP9050是一个低调的U- DFN2020-6提供
封装。
引脚分配
( TOP VIEW )
1
8
2
7
3
4
5
6
新产品
U-DFN2020-6
特点
输入电压范围为3V至30V
更低的功耗和更高的效率
相比于一个齐纳并联稳压器
LDO是稳定的,没有在输出一个旁路电容
并在整个温度范围内工作
可用的U - DFN2020-6包具有典型
0.575毫米高度
应用
对于新一代的PMIC电源接口
充电器前端保护
智能手机
手机
超移动PC
平板电脑
注意:
1.欧盟指令2002/ 95 / EC ( RoHS指令) 。所有适用的RoHS指令的豁免申请。请访问我们的网站:
http://www.diodes.com/products/lead_free.html 。
典型应用电路
图1.典型应用电路
AP9050
文件编号: DS35283修订版1 - 2
1 9
www.diodes.com
2011年3月
Diodes公司
AP9050
保护接口的PMIC,具有
集成OVP控制
绝对最大额定值
(注2,3)
符号
V
IN
V
GS
电源电压
栅极 - 源极电压
漏极电流峰值( 10微秒脉冲)
漏电流,连续
(注4 ,稳态)
T
A
= 25C
T
A
= 85C
P
最大
T
J
T
J
T
L
总功率耗散@ T
A
= 25°C
(注3,4)
结温范围
非工作温度范围
最大无铅焊接温度的
施行
750
40
+125
55
+150
260
mW
°C
°C
°C
参数
等级
0.3
30
±12
19
3.7
2.7
单位
V
V
A
新产品
I
DPK
I
D
A
半导体器件的ESD敏感,并且可以通过暴露于ESD事件损坏。处理时合适的ESD应采取预防措施,并
运送这些设备。
注意事项:
2.超过这些额定值可能会损坏设备。
2
3.安装在FR4电路板,采用30毫米, 2盎司铜。
4,双芯片的操作(同样加热) 。
热阻
符号
θ
JA
θ
JC
注意:
参数
结到环境(注5 )
结到外壳
2
等级
132
13
单位
° C / W
° C / W
对于DFN2020-6 5.测试条件:用30毫米, 2盎司铜安装在FR4板。
推荐工作条件
(注6 )
符号
V
IN
T
A
注意:
参数
电源电压
工作环境温度范围
民
3
40
最大
30
+85
单位
V
°C
6.设备功能不推荐的工作条件外的保证。
AP9050
文件编号: DS35283修订版1 - 2
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2011年3月
Diodes公司