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AP9050
保护接口的PMIC,具有
集成OVP控制
描述
AP9050是为了保护最新一代的PMIC的
对于便携式应用,如UMPC产品,智能手机和
其他人利用电池供电。
集成的LDO允许PMIC上电和
确定是否在连接在电源(USB或
AC- DC墙式适配器)是有效的,安全的操作即可
进行。
所述的PMIC控制集成n沟道的操作
MOSFET要么通过线电压或断开线路
从PMIC ,以保护其内部电路的情况下
过电压。
在AP9050是一个低调的U- DFN2020-6提供
封装。
引脚分配
( TOP VIEW )
1
8
2
7
3
4
5
6
新产品
U-DFN2020-6
特点
输入电压范围为3V至30V
更低的功耗和更高的效率
相比于一个齐纳并联稳压器
LDO是稳定的,没有在输出一个旁路电容
并在整个温度范围内工作
可用的U - DFN2020-6包具有典型
0.575毫米高度
应用
对于新一代的PMIC电源接口
充电器前端保护
智能手机
手机
超移动PC
平板电脑
注意:
1.欧盟指令2002/ 95 / EC ( RoHS指令) 。所有适用的RoHS指令的豁免申请。请访问我们的网站:
http://www.diodes.com/products/lead_free.html 。
典型应用电路
图1.典型应用电路
AP9050
文件编号: DS35283修订版1 - 2
1 9
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2011年3月
Diodes公司
AP9050
保护接口的PMIC,具有
集成OVP控制
引脚说明
针#
1
2
3, 7
4
5
6, 8
名字
来源
V
IN
V
OUT
描述
来源n沟道功率场效应管。通过开关的输出引脚。
FET开关的门。通过开关控制引脚。
输入电压提供给内部LDO 。
LDO的接地连接。
输出LDO的。
漏极功率FET的。通过开关的输入引脚。
新产品
功能框图
图2.功能框图
AP9050
文件编号: DS35283修订版1 - 2
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AP9050
保护接口的PMIC,具有
集成OVP控制
绝对最大额定值
(注2,3)
符号
V
IN
V
GS
电源电压
栅极 - 源极电压
漏极电流峰值( 10微秒脉冲)
漏电流,连续
(注4 ,稳态)
T
A
= 25C
T
A
= 85C
P
最大
T
J
T
J
T
L
总功率耗散@ T
A
= 25°C
(注3,4)
结温范围
非工作温度范围
最大无铅焊接温度的
施行
750
40
+125
55
+150
260
mW
°C
°C
°C
参数
等级
0.3
30
±12
19
3.7
2.7
单位
V
V
A
新产品
I
DPK
I
D
A
半导体器件的ESD敏感,并且可以通过暴露于ESD事件损坏。处理时合适的ESD应采取预防措施,并
运送这些设备。
注意事项:
2.超过这些额定值可能会损坏设备。
2
3.安装在FR4电路板,采用30毫米, 2盎司铜。
4,双芯片的操作(同样加热) 。
热阻
符号
θ
JA
θ
JC
注意:
参数
结到环境(注5 )
结到外壳
2
等级
132
13
单位
° C / W
° C / W
对于DFN2020-6 5.测试条件:用30毫米, 2盎司铜安装在FR4板。
推荐工作条件
(注6 )
符号
V
IN
T
A
注意:
参数
电源电压
工作环境温度范围
3
40
最大
30
+85
单位
V
°C
6.设备功能不推荐的工作条件外的保证。
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保护接口的PMIC,具有
集成OVP控制
电气特性
(V
IN
( OVP_SENSE ) = 5.0V ,T
J
= + 25℃ ,除非另有说明)
符号
功率场效应管
参数
测试条件
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
T
J
= 85°C
V
DS
= 0V, V
GS
= ±8V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 2.0A
V
GS
= 2.5V ,我
D
= 2.0A
V
DS
= 5V , ID = 2.0A
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
V
IN
= 5.5V ,我
OUT
= 1毫安
V
IN
V
OUT
, I
OUT
= 1.2毫安,
V
HEAD
净空
V
IN
= 4.6V
V
IN
V
OUT
, I
OUT
= 10毫安,
V
IN
= 4.8V ,T
J
=
40
至+ 125°C
V
IN
0至30V , <为1μs上升时间,
5.0kΩ电阻性负载(注8)
V
IN
0至30V , <为1μs上升时间,
5.0kΩ电阻性负载(注8)
V
IN
= 5.5V
110
4.6
0.62
0.9
41
55
8
500
65
50
典型值。
最大
1.0
10
80
1.2
53
68
单位
新产品
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
栅极阈值电压
漏极 - 源极导通电阻
(注7 )
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
A
nA
V
m
S
pF
pF
pF
LDO
(除非另有说明,T
J
= 25℃ ,V
IN
= 5.0V)
V
OUT
稳压输出电压
5.0
5.3
150
1000
V
mV
mV
针对输入瞬态
t
脉冲
V
pk
设备总
I
BIAS
V
IN_MIN
注意事项:
时间信号高于5.5V
峰值电压
5.0
9.0
s
V
输入偏置电流
最低工作电压
850
3.0
A
V
7.脉冲试验宽度300μS ,占空比2 %
8.保证设计
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保护接口的PMIC,具有
集成OVP控制
典型性能特性
1.6
1.5
归一化
DS ( ON)
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
V
GS
=4.5V
I
D
=2A
新产品
-50
-25
0
25
50
75
100
结温( OC )
125
150
图。R
DS ( ON)
变化在结温
20
18
16
漏电流( A)
V
GS
=10V
V
GS
=2.5V
14
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
漏源极电压( V)
4
5
V
GS
=1.5V
V
GS
=3V
V
GS
=2V
图4.
DS ( ON)
特征
5.2
5.15
输出电压(V)
5.1
5.05
5
4.95
4.9
4.85
4.8
-50
-25
0
25
50
75
100
结温( OC )
125
150
在结温图5.输出电压变化
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    -
    -
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DFN
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NA
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DIODES
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