AP85U03GMT
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
简单的驱动要求
▼
SO- 8兼容
▼
低导通电阻
G
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
30V
5mΩ
82A
D
D
S
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师
快速切换的最佳组合，
坚固耐用的设备设计，低
□
导通电阻和成本效益。
该GEMPAK包是专门为DC- DC转换器的应用程序和
脚下的打印兼容与SO- 8背面的散热片。
S
S
S
D
D
G
GEMPAK
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
P
D
@T
A
=25℃
E
AS
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
总功耗
单脉冲雪崩能量
4
存储温度范围
工作结温范围
等级
30
±20
82
24
15
200
50
5
57.6
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
A
W
W
mJ
℃
℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
3
价值
马克斯。
马克斯。
2.5
25
单位
℃/W
℃/W
数据&规格如有变更，恕不另行通知
201008072-1/4
AP85U03GMT
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=20A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
分钟。
30
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
19.5
-
-
29
6.4
19
10
84
27
83
395
390
1.2
MAX 。单位
-
5
10
3
-
1
±100
46
-
-
-
-
-
-
-
-
1.8
V
mΩ
mΩ
V
S
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
Ω
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=20A
V
DS
=24V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V
I
D
=30A
V
DS
=24V
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V
I
D
=30A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=0.5Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
2400 3840
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= 30A ，V
GS
=0V
I
S
=10A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
33
30
MAX 。单位
1.2
-
-
V
ns
nC
t
rr
Q
rr
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温
2.Pulse测试
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫，T <10sec
4.Starting牛逼
j
=25
o
C，V
DD
= 20V ， L = 0.1mH ，R
G
=25Ω.
本产品对静电敏感的，请小心处理。
本产品已合格的消费市场。应用或使用AS严格标准组件生命支持
设备或系统都没有授权。
2/4
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