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AP85T10GR-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
简单的驱动要求
▼
导通电阻的降低
▼
快速开关特性
▼
符合RoHS &无卤
G
S
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
100V
8mΩ
125A
描述
AP85T10系列从高级电源创新的设计和
硅制程技术，以实现尽可能低的导通
电阻和快速开关的性能。它提供设计师
以在宽范围功率的极端有效的装置，用于使用
应用程序。
在TO- 262封装，广泛首选的所有commercial-
工业通孔应用。的低热阻和
低封装成本推动世界范围内流行的包。
G
D
S
TO-262(R)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（片）
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
3
等级
100
+20
125
120
88
300
300
2.42
-55至175
-55至175
单位
V
V
A
A
A
A
W
W
℃
℃
总功耗
总功耗
存储温度范围
工作结温范围
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
最大热阻，结案件
最大热阻，结到环境
价值
0.5
62
单位
℃/W
℃/W
1
201210291
数据和规格如有变更，恕不另行通知
AP85T10GR-HF
电气特性@ T
j
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
o
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
V
GS
= 10V ，我
D
=40A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=40A
V
DS
=80V, V
GS
=0V
V
GS
= +20V, V
DS
=0V
I
D
=40A
V
DS
=80V
V
GS
=10V
V
DS
=50V
I
D
=40A
R
G
=3.3Ω
V
GS
=10V
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
测试条件
I
S
= 40A ，V
GS
=0V
I
S
= 10A ，V
GS
=0V
dI/dt=100A/s
分钟。
100
-
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
75
-
-
100
24
45
23
95
47
78
770
280
1.2
典型值。
-
85
290
MAX 。单位
-
8
5
-
25
+100
160
-
-
-
-
-
-
-
-
2.4
V
mΩ
V
S
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
Ω
栅源漏
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
参数
正向电压上
2
4670 7470
源极 - 漏极二极管
MAX 。单位
1.3
-
-
V
ns
nC
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse测试
3.包装限制电流为120A 。
本产品是敏感的静电放电，请小心处理。
将本产品作为一个重要组成部分在生命支持或其它相似的系统是不授权。
APEC并不承担因任何产品或电路的应用或使用描述任何责任
此处;它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
APEC保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品，以提高权
可靠性，功能或设计。
2
AP85T10GR-HF
300
160
T
C
= 25 C
250
o
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
200
10V
9.0V
8.0V
7.0V
T
C
= 1 75
o
C
120
10V
9.0V
8.0V
7.0V
V
G
= 6.0V
150
80
V
G
= 6.0V
100
40
50
0
0
4
8
12
16
20
24
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
1.2
2.4
I
D
=40A
V
G
=10V
2.0
归BV
DSS
(V)
1.1
归一化
DS （ ON）
1.6
1
1.2
0.9
0.8
0.8
-50
0
50
100
150
200
0.4
-50
0
50
100
150
200
T
j
，结温（ C）
o
T
j
，结温（ C）
o
图3.归BV
DSS
V.S.连接点
温度
40
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.4
1.2
30
归V
GS （ TH）
T
j
=175
o
C
I
S
(A)
T
j
=25
o
C
1
20
0.8
10
0.6
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.4
-50
0
50
100
150
200
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（ C）
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3
AP85T10GR-HF
12
8000
f=1.0MHz
I
D
= 40 A
10
V
GS
，门源电压（ V）
C（ pF）的
8
V
DS
= 50 V
V
DS
= 60 V
V
DS
= 80 V
6000
C
国际空间站
4000
6
4
2000
2
0
0
20
40
60
80
100
120
0
1
5
9
13
17
21
25
C
OSS
C
RSS
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
1000
1
归热响应（R
thJC
)
占空比系数= 0.5
操作在此
面积受限
R
DS （ ON）
100
I
D
(A)
100us
0.2
0.1
0.1
0.05
1ms
10
10ms
100ms
DC
P
DM
0.02
0.01
t
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
T
c
=25
o
C
单脉冲
1
0.1
1
10
100
单脉冲
0.01
1000
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
10V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
4
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