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AP83T03AGH-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
低导通电阻
▼
简单的驱动要求
▼
快速开关特性
▼
符合RoHS &无卤
G
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
30V
6.5mΩ
66A
S
描述
AP83T03A系列从高级电源创新的设计和
硅制程技术，以实现尽可能低的导通
电阻和快速开关的性能。它提供设计师
以在宽范围功率的极端有效的装置，用于使用
应用程序。
在TO- 252封装，广泛首选的所有commercial-
工业表面贴装采用红外回流焊工艺的应用
并适合于高电流的应用由于较低的连接
性。
G
D
S
TO-252(H)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
等级
30
+20
66
42
160
50
单位
V
V
A
A
A
W
W
℃
℃
总功耗
总功耗
3
2
-55到150
-55到150
存储温度范围
工作结温范围
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
最大热阻，结案件
最大热阻，结到环境（印刷电路板安装）
3
价值
2.5
62.5
单位
℃/W
℃/W
1
201305171
数据&规格如有变更，恕不另行通知
AP83T03AGH-HF
电气特性@ T
j
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
栅源漏
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
2
o
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
V
GS
= 10V ，我
D
=40A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=30A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=40A
V
DS
=24V, V
GS
=0V
V
GS
=+20V, V
DS
=0V
I
D
=40A
V
DS
=24V
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V
I
D
=40A
R
G
=3.3Ω
V
GS
=10V
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
分钟。
30
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
60
-
-
14
3
8
8
85
22
4.5
270
110
1.4
MAX 。单位
-
6.5
9.5
3
-
10
+100
22.4
-
-
-
-
-
-
-
-
2.8
V
mΩ
mΩ
V
S
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
Ω
1080 1728
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
测试条件
I
S
= 40A ，V
GS
=0V
I
S
=10A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
21
7
MAX 。单位
1.2
-
-
V
ns
nC
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温
2.Pulse测试
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜焊盘
本产品是敏感的静电放电，请小心处理。
将本产品作为一个重要组成部分在生命支持或其它相似的系统是不授权。
APEC并不承担因任何产品或电路的应用或使用描述任何责任
此处;它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
APEC保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品，以提高权
可靠性，功能或设计。
2
AP83T03AGH-HF
200
120
T
C
=25 C
160
o
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
10V
7.0V
6.0V
5.0V
V
G
= 4.0V
T
C
=150 C
100
o
80
10V
7.0V
6.0V
5.0V
V
G
=4.0V
120
60
80
40
40
20
0
0
2
4
6
8
10
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
8
2.0
I
D
=30A
T
C
=25 C
归一化
DS （ ON）
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
1.6
o
I
D
=40A
V
G
=10V
7
1.2
+20
6
0.8
5
2
4
6
8
10
0.4
-50
0
50
100
150
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.6
40
I
D
=250uA
30
1.2
o
T
j
=150 C
20
T
j
=25
o
C
归V
GS （ TH）
1.4
I
S
(A)
0.8
10
0.4
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.0
-50
0
50
100
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（ C）
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3
AP83T03AGH-HF
10
1600
f=1.0MHz
V
GS
，门源电压（ V）
I
D
=40A
V
DS
=24V
8
1200
6
C（ pF）的
C
国际空间站
800
4
400
2
C
OSS
C
RSS
0
0
10
20
30
0
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
1000
1
归热响应（R
thJC
)
占空比= 0.5
100
I
D
(A)
在这一领域
限于由R
DS （ ON）
0.2
100us
0.1
+20
0.05
0.1
P
DM
10
1ms
T
C
=25 C
单脉冲
o
t
0.02
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
10ms
100ms
DC
1
10
100
0.01
单脉冲
1
0.1
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
80
80
V
DS
=5V
I
D
，漏电流（ A）
60
I
D
，漏电流（ A）
T
j
=25
o
C
T
j
= -40 C
o
4
6
60
40
40
T
j
=150 C
20
o
20
0
0
2
0
25
50
75
100
125
150
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
C
，外壳温度（
o
C)
图11.传输特性
图12.最大连续漏极电流
V.S.外壳温度
4
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