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AP80T10GR-HF

无卤素产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

简单的驱动要求

▼

低导通电阻

▼

快速开关特性

▼

符合RoHS &无卤

G

N沟道增强模式

功率MOSFET

D

BV

DSS

R

DS （ ON）

I

D

100V

9.5mΩ

85A

S

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。

在TO- 262封装，广泛首选商业，工业

通孔的应用和适合于低电压应用，例如

作为DC / DC变换器。

G

D

S

TO-262(R)

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@T

C

=25℃

I

D

@T

C

=25℃

I

D

@T

C

=100℃

I

DM

P

D

@T

C

=25℃

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流（片）

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

1

3

等级

100

+20

85

80

60

300

166

-55至175

-55至175

单位

V

V

A

A

A

A

W

℃

℃

总功耗

存储温度范围

工作结温范围

热数据

符号

Rthj -C

Rthj -A

参数

最大热阻，结案件

最大热阻，结到环境

价值

0.9

62

单位

℃/W

℃/W

1

201008171

数据和规格如有变更，恕不另行通知

AP80T10GR-HF

电气特性@ T

j

= 25 ℃（除非另有规定）

符号

BV

DSS

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

参数

漏源击穿电压

静态漏源导通电阻

2

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流

栅源漏

总栅极电荷

2

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

2

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=250uA

V

GS

= 10V ，我

D

=40A

V

DS

=V

GS

, I

D

=250uA

V

DS

= 10V ，我

D

=40A

V

DS

=80V, V

GS

=0V

V

GS

= +20V, V

DS

=0V

I

D

=40A

V

DS

=80V

V

GS

=10V

V

DS

=50V

I

D

=30A

R

G

=1,V

GS

=10V

R

D

=1.66

V

GS

=0V

V

DS

=25V

f=1.0MHz

分钟。

100

-

2

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

-

-

75

-

-

115

30

48

21

58

41

15

550

300

MAX 。单位

-

9.5

5

-

25

+100

180

-

-

-

-

-

-

-

-

V

mΩ

V

S

uA

nA

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

pF

pF

pF

o

6000 9600

源极 - 漏极二极管

符号

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

正向电压上

2

2

测试条件

I

S

= 40A ，V

GS

=0V

I

S

= 10A ，V

GS

=0V

dI/dt=100A/s

分钟。

-

-

-

典型值。

-

75

230

MAX 。单位

1.3

-

-

V

ns

nC

反向恢复时间

反向恢复电荷

注意事项：

1.Pulse宽度有限的最大。结温。

2.Pulse测试

3.包装限制电流为80A 。

本产品是敏感的静电放电，请小心处理。

将本产品作为一个重要组成部分在生命支持或其它相似的系统是不授权。

APEC并不承担因任何产品或电路的应用或使用描述任何责任

此处;它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。

APEC保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品，以提高权

可靠性，功能或设计。

2

AP80T10GR-HF

250

160

T

C

= 25 C

200

o

I

D

，漏电流（ A）

I

D

，漏电流（ A）

10V

9.0V

8.0V

7.0V

o

T

C

= 1 75 C

120

10V

9.0V

8.0V

7.0V

V

G

= 6.0V

150

V

G

= 6.0V

100

80

40

50

0

0

4

8

12

16

20

0

0

2

4

6

8

10

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

1.2

2.8

2.4

I

D

=40A

V

G

=10V

归BV

DSS

(V)

归一化

DS （ ON）

1.1

2.0

1

1.6

1.2

0.9

0.8

0.8

-50

0

50

100

150

200

0.4

-50

0

50

100

150

200

T

j

，结温（ C）

o

T

j

，结温（ C）

o

图3.归BV

DSS

V.S.连接点

温度

40

图4.归一导通电阻

V.S.结温

1.4

1.2

30

归V

GS （ TH）

(V)

1.2

1.4

1

I

S

(A)

20

0.8

T

j

=175

o

C

T

j

=25

o

C

0.6

10

0.4

0

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

0.2

-50

0

50

100

150

200

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

T

j

，结温（

o

C)

图5.正向特性

反向二极管

图6.栅极阈值电压V.S.

结温

3

AP80T10GR-HF

f=1.0MHz

12

10000

I

D

= 40 A

10

V

GS

，门源电压（ V）

8000

8

V

DS

= 50 V

V

DS

= 60 V

V

DS

= 80 V

C（ pF）的

6000

C

国际空间站

6

4000

4

2000

2

0

0

40

80

120

160

0

1

5

9

13

17

21

25

C

OSS

C

RSS

29

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.典型的电容特性

1000

1

归热响应（R

thJC

)

占空比系数= 0.5

操作在此

面积受限

R

DS （ ON）

100

0.2

I

D

(A)

0.1

100us

1ms

10

0.1

0.05

0.02

0.01

P

DM

t

T

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

j

= P

DM

个R

thJC

+ T

C

10ms

T

c

=25 C

单脉冲

1

0.1

1

10

100

o

单脉冲

100ms

DC

1000

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

T，脉冲宽度（S ）

图9.最高安全工作区

图10.有效的瞬态热阻抗

V

DS

90%

V

G

Q

G

10V

Q

GS

Q

GD

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

收费

Q

图11.开关时间波形

图12.栅极电荷波形

4

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联系人：陈泽强

地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318

AP80T10GR-HF

APEC/富鼎

2443+

23000

TO-262

一级代理专营，原装现货，价格优势

深圳诚思涵科技有限公司

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AP

24+

25000

TO-262

全新进口原装现货！

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联系人：李

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富鼎

2418+

39482

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全新大量库存!样品可出!实单可谈!

北京首天伟业科技有限公司

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联系人：刘经理

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16+

9000

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全新原装正品/质量有保证

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原装正品，公司现货库存假一罚十，电话：0755-23945755 QQ:3065848471

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