AP80N30W
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
简单的驱动要求
▼
导通电阻的降低
▼
高速开关
G
S
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
300V
66mΩ
88A
描述
AP80N30亚太经合组织为设计人员提供快速的最佳组合
切换,低导通电阻和成本效益。
该TO- 3P封装优选用于商业&工业应用
具有较高的功率电平比排除TO-220器件。
G
D
S
TO-3P
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
DM
I
DR
I
DR (脉冲)
P
D
@T
C
=25℃
I
AR
E
AR
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流,V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
体漏二极管的反向漏电流
体漏二极管反向漏电流峰值
1
总功耗
雪崩电流
3
单脉冲雪崩能量
3
存储温度范围
工作结温
等级
300
±30
88
270
88
270
150
30
45
-55到150
150
单位
V
V
A
A
A
A
W
A
mJ
℃
℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
最大热阻,结案件
最大热阻,结到环境
价值
0.833
40
单位
℃/W
℃/W
数据和规格如有变更,恕不另行通知
1
200805132
AP80N30W
电气特性@ T
j
=25
o
℃(除非另有规定)
符号
BV
DSS
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流(T
j
=125
o
C)
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=10mA
V
GS
= 10V ,我
D
=40A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ,我
D
=40A
V
DS
=300V, V
GS
=0V
V
DS
=300V, V
GS
=0V
V
GS
= ±30V, V
DS
=0V
I
D
=80A
V
DS
=240V
V
GS
=10V
V
DS
=150V
I
D
=40A
R
G
=10Ω,V
GS
=10V
R
D
=3.75Ω
V
GS
=0V
V
DS
=30V
f=1.0MHz
测试条件
I
S
= 80A ,V
GS
=0V
I
S
= 12A ,V
GS
=0V
dI/dt=100A/s
分钟。
300
-
3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
38
-
-
-
113
31
44
40
130
150
115
525
10
典型值。
-
310
3.5
MAX 。单位
-
66
4.5
-
10
200
±0.1
180
-
-
-
-
-
-
-
-
V
mΩ
V
S
uA
uA
uA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
参数
正向电压上
2
2
5700 9120
源极 - 漏极二极管
MAX 。单位
1.5
-
-
V
ns
C
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项:
1.PW
≦
10微秒,占空比
≦
1%.
2.Pulse测试
3.STch = 25 ℃ ,总胆固醇
≦
150℃
本产品是敏感的静电放电,请小心处理。
将本产品作为一个重要组成部分在生命支持或其它相似的系统是不授权。
APEC并不承担因任何产品或电路的应用或使用描述任何责任
此处;它也没有传达根据其专利权的任何执照,也没有他人的权利。
APEC保留随时更改,恕不另行通知这里的任何产品,以提高权
可靠性,功能或设计。
2