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AP7811GM
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
低导通电阻
▼
快速开关
▼
简单的驱动要求
D
D
D
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
G
25V
12mΩ
11.8A
I
D
SO-8
S
S
S
描述
D
D
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。
G
G
在SO -8封装普遍首选的所有商业工业
表面贴装应用，并适用于低电压应用
诸如DC / DC转换器。
S
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
25
±12
11.8
9.4
30
2.5
0.02
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj - AMB
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
价值
50
单位
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
20020507
AP7811GM
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=70
o
C)
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
25
-
-
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.1
10
-
30
-
-
-
32
2.6
15.5
12
28
41
40
800
460
215
MAX 。单位
-
-
12
1.2
-
1
25
±100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V/℃
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
GS
= 4.5V ，我
D
=11.8A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 15V ，我
D
=11.8A
V
DS
=25V, V
GS
=0V
V
DS
=20V, V
GS
=0V
V
GS
=
±12V
I
D
=11.8A
V
DS
=20V
V
GS
=5V
V
DS
=15V
I
D
=1.5A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=5V
R
D
=10Ω
V
GS
=0V
V
DS
=20V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
V
SD
参数
连续源电流（体二极管）
测试条件
V
D
=V
G
=0V , V
S
=1.2V
T
j
=25℃, I
S
= 2.3A ，V
GS
=0V
分钟。
-
-
典型值。
-
-
MAX 。单位
2.08
1.2
A
V
正向电压上
2
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫; 125
℃/W
安装在最小的时候。铜垫。
AP7811GM
40
30
T
C
=25
o
C
30
4.5V
3.5V
3.0V
2.5V
I
D
，漏电流（ A）
20
T
C
=150
o
C
4.5V
3.5V
3.0V
2.5V
I
D
，漏电流（ A）
20
V
GS
=2.0V
10
10
V
GS
=2.0V
0
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
18
1.80
I
D
=11.8A
16
I
D
=11.8A
1.60
T
C
=25
o
C
V
GS
=4.5V
14
归一化
DS （ ON）
1.40
R
DS （ ON）
（毫欧）
1.20
12
1.00
10
0.80
8
2
3
4
5
6
0.60
-50
0
50
100
150
V
GS
(V)
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
AP7811GM
15
3
2.5
12
I
D
，漏电流（ A）
2
9
P
D
(W)
6
3
0
25
50
75
100
125
150
1.5
1
0.5
0
0
30
60
90
120
150
T
c
，外壳温度（ C）
o
T
c
，外壳温度（
o
C)
图5.最大漏极电流V.S.
图6.典型功耗
外壳温度
100
1
占空比= 0.5
归热响应（R
thJA
)
10
0.2
1ms
10ms
I
D
(A)
1
0.1
0.1
0.05
100ms
0.02
0.01
P
DM
1s
0.1
0.01
单脉冲
t
T
T
C
=25
o
C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
10s
DC
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
R
thJA
=125
o
C / W
0.001
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
(V)
T，脉冲宽度（S ）
图7.最大安全工作区
图8.有效的瞬态热阻抗
AP7811GM
12
10000
f=1.0MHz
I
D
=11.8A
10
V
GS
，门源电压（ V）
V
DS
=10V
8
V
DS
=15V
C（ pF）的
V
DS
=20V
6
1000
西塞
4
科斯
2
CRSS
0
0
10
20
30
40
50
60
100
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
(V)
图9.栅极电荷特性
图10.典型的电容特性
100.00
1.6
1.4
10.00
1.2
1.00
V
GS （ TH）
(V)
1.3
1.5
T
j
=150
o
C
I
S
(A)
T
j
=25
o
C
1
0.8
0.6
0.10
0.4
0.01
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
0.2
-50
0
50
100
150
V
SD
(V)
结温（
o
C )
图11.正向特性
反向二极管
图12.栅极阈值电压V.S.
结温
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