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AP75T12GI-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
简单的驱动要求
▼
导通电阻的降低
▼
符合RoHS &无卤
G
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
120V
12.5mΩ
41A
S
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供了设计者
快速切换的最佳组合，坚固耐用的设备设计，低导通
性和成本效益。
在TO- 220CFM隔离封装，广泛首选commercial-
工业通孔应用。
G
D
S
TO-220CFM(I)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
总功耗
存储温度范围
工作结温范围
等级
120
+20
41
26
160
44.6
1.92
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W
℃
℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
最大热阻，结案件
Maixmum热阻，结到环境
价值
2.8
65
单位
℃/W
℃/W
1
201108251
数据和规格如有变更，恕不另行通知
AP75T12GI-HF
电气特性@ T
j
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
I)
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
栅源漏
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
V
GS
= 10V ，我
D
=30A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=30A
V
DS
=100V, V
GS
=0V
V
GS
= +20V, V
DS
=0V
I
D
=30A
V
DS
=96V
V
GS
=10V
V
DS
=60V
I
D
=30A
R
G
=10Ω
V
GS
=10V
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
分钟。
120
-
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
50
-
-
80
15
40
27
100
75
100
470
260
1.4
MAX 。单位
-
12.5
5
-
25
+100
128
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
m
V
S
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
Ω
o
3750 6000
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
测试条件
I
S
= 30A ，V
GS
=0V
I
S
= 10A ，V
GS
=0V
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
65
170
MAX 。单位
1.3
-
-
V
ns
nC
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse测试
本产品是敏感的静电放电，请小心处理。
将本产品作为一个重要组成部分在生命支持或其它相似的系统是不授权。
APEC并不承担因任何产品或电路的应用或使用描述任何责任
此处;它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
APEC保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品，以提高权
可靠性，功能或设计。
2
AP75T12GI-HF
300
160
T
C
= 25 C
250
o
10V
8.0V
I
D
，漏电流（ A）
120
T
C
= 150 C
o
10V
8.0V
7.0V
I
D
，漏电流（ A）
200
7.0V
150
6.0V
80
6.0V
100
V
GS
=5.0V
40
50
V
GS
=5.0V
0
0
8
16
24
32
0
0
4
8
12
16
20
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
1.2
2.4
I
D
=1mA
2.0
I
D
=30A
V
G
=10V
归一化
DS （ ON）
归BV
DSS
(V)
1.1
1.6
1
1.2
0.9
0.8
0.8
-50
0
50
100
150
0.4
-50
0
50
100
150
T
j
，结温（ C）
o
T
j
，结温（ C）
o
图3.归BV
DSS
V.S.连接点
温度
40
2.0
图4.归一导通电阻
V.S.结温
I
D
=250uA
1.6
30
归V
GS （ TH）
(V)
1.4
I
S
(A)
1.2
T
j
=150
o
C
20
T
j
=25
o
C
0.8
10
0.4
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.0
-50
0
50
100
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（ C）
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3
AP75T12GI-HF
12
5000
f=1.0MHz
I
D
= 30 A
V
GS
，门源电压（ V）
10
8
V
DS
=60V
V
DS
=72V
V
DS
=96V
C（ pF）的
4000
C
国际空间站
3000
6
2000
4
1000
2
0
0
20
40
60
80
100
120
0
1
5
9
13
17
21
25
C
OSS
C
RSS
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
1000
1
占空比系数= 0.5
归热响应（R
thJC
)
0.2
100
在这一领域
限于由R
DS （ ON）
0.1
0.1
I
D
(A)
100us
1ms
10
0.05
0.02
0.01
10ms
100ms
1s
DC
P
DM
0.01
单脉冲
t
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
1
T
c
=25
o
C
单脉冲
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
50
V
G
40
I
D
，漏电流（ A）
Q
G
10V
30
Q
GS
20
Q
GD
10
收费
0
25
50
75
100
125
150
Q
T
C
，外壳温度（
o
C)
图11.最大连续漏极
当前
V.S.外壳温度
图12.栅极电荷波形
4
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