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AP70U02GH
初步
先进的电源
电子股份有限公司
▼
简单的驱动要求
▼
低导通电阻
▼
快速开关特性
▼
符合RoHS
G
S
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
25V
9mΩ
60A
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师
快速切换的最佳组合，
坚固耐用的设备设计，低
导通电阻和成本效益。
该TO- 252包装普遍首选的所有commercial-
工业表面贴装应用，并适用于低电压
应用，如DC / DC转换器。
G
D
S
TO-252(H)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
25
± 20
60
41
220
47
0.31
-55至175
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
.
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
3.2
110
单位
℃/W
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200831071pre-1/4
AP70U02GH
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
V
GS
= 10V ，我
D
=40A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=30A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
分钟。
25
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
39
-
-
18.5
3.7
12.1
8.3
102
24
12
202
198
MAX 。单位
-
9
15
3
-
1
±100
30
-
-
-
-
-
-
-
-
V
mΩ
mΩ
V
S
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=40A
V
DS
=25V, V
GS
=0V
V
GS
= ±20V
I
D
=40A
V
DS
=20V
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V
I
D
=40A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=0.375Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
1360 2180
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
测试条件
I
S
= 30A ，V
GS
=0V
I
S
= 20A ，V
GS
=0V,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
30
25
MAX 。单位
1.2
-
-
V
ns
nC
反向恢复电荷
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse测试
本产品对静电敏感的，请小心处理。
本产品已合格的消费市场。应用或使用AS严格标准组件生命支持
设备或系统都没有授权。
2/4
AP70U02GH
150
100
T
C
=25 C
120
o
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
10V
7.0V
5.0V
4.5V
T
C
=175 C
80
o
10V
7.0V
5.0V
4.5V
90
60
60
40
V
G
=3.0V
20
30
V
G
=3.0V
0
0
1
2
3
4
5
6
0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
15
1.8
I
D
= 30 A
T
C
=25
℃
13
I
D
=40A
V
G
=10V
归一化
DS （ ON）
1.4
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
11
9
1
7
5
0.6
2
4
6
8
10
-50
0
50
100
150
200
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.8
40
30
归V
GS （ TH）
(V)
1.4
1.2
I
S
(A)
20
T
j
=175
o
C
T
j
=25
o
C
0.6
10
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.0
-50
0
50
100
150
200
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（ C）
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3/4
AP70U02GH
f=1.0MHz
12
10000
I
D
= 40 A
V
GS
，门源电压（ V）
9
C（ pF）的
V
DS
= 12 V
V
DS
= 15 V
V
DS
= 20 V
6
C
国际空间站
1000
3
C
OSS
C
RSS
0
0
10
20
30
40
100
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Fig7 。栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
1000
1
归热响应（R
thJC
)
占空比系数= 0.5
100
0.2
I
D
(A)
100us
10
0.1
0.1
0.05
1
T
c
=25
o
C
单脉冲
1ms
10ms
100ms
1s
DC
P
DM
0.02
t
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
0.01
单脉冲
0
0.1
1
10
100
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
Fig10 。有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
4/4
先进的电力电子股份有限公司。
包装外形： TO- 252
D
D1
符号
MILLIMETERS
民
喃
最大
A2
A3
B1
D
D1
E3
1.80
0.40
0.40
6.00
4.80
3.50
2.20
0.5
5.10
0.50
--
0.35
2.30
0.50
0.70
6.50
5.35
4.00
2.63
0.85
5.70
1.10
2.30
0.50
2.80
0.60
1.00
7.00
5.90
4.50
3.05
1.20
6.30
1.80
--
0.65
E2
E3
E1
F
F1
E1
E2
e
C
B1
F1
F
1.所有尺寸以毫米为单位。
2.Dimension不包括模型突起。
e
e
A2
R : 0.127~0.381
A3
(0.1mm
C
最热资讯&包装： TO- 252
产品型号
封装代码
符合RoHS要求
70U02GH
标志
YWWSSS
日期代码（ YWWSSS ）
Y：最后一位的年
WW ：周
SSS ：序
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推荐型号
AM29F400B-90SC
AD9944KCP
AD8513AR-REEL
AH215-S8G
AD7745
AM29LV641DU121RZIN
AD408M321VSA-5
AD8114
APT10021JFLL_04
AME8834BEEV250Z
AME8500AEEVAF29
ADNB-6002
AFL27015DZ-ES
AWT6103M5
AM28F256-90JEB
AS7C1024A-10TJC
AS7C252MPFD18A-200TQC
APT1201R4BFLLG
AME8501CEEVBE46
AME28461X/CH
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型号
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批号
数量
封装
单价/备注
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    AP70U02GH
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    -
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