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AP70T03AS/P
先进的电源
电子股份有限公司
▼
简单的驱动要求
▼
低栅电荷
▼
快速开关
G
S
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
30V
9mΩ
60A
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。
在TO- 263封装普遍首选的所有commercial-
工业表面贴装应用，并适用于低电压
应用，如DC / DC转换器。通孔版
（ AP70T03AP ）可用于小尺寸应用。
克
S
TO-263(S)
G
D
TO-220(P)
S
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=100℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
30
± 20
60
43
195
53
0.36
-55至175
-55至175
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
2.8
62
单位
℃/W
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200909032
AP70T03AS/P
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
30
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.032
MAX 。单位
-
-
9
18
3
-
1
250
±100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10V ，我
D
=33A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=20A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=33A
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
=24V ,V
GS
=0V
V
GS
= ± 20V
I
D
=33A
V
DS
=20V
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V
I
D
=33A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=0.45Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
-
-
-
35
-
-
-
16.5
5
10.3
8.2
105
21.4
8.5
1485
245
170
栅极阈值电压
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=175
o
C)
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
参数
连续源电流（体二极管）
测试条件
V
D
=V
G
=0V , V
S
=1.3V
T
j
=25℃, I
S
= 60A ，V
GS
=0V
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
MAX 。单位
60
195
1.3
A
A
V
脉冲源电流（体二极管）
1
正向电压上
2
注意事项：
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
AP70T03AS/P
200
120
T
C
=25
o
C
I
D
，漏电流（ A）
150
10V
8.0V
90
T
C
=175
o
C
I
D
，漏电流（ A）
10V
8.0V
6.0V
6.0V
100
60
50
V
GS
=4.0V
30
V
GS
=4.0V
0
0.0
1.5
3.0
4.5
0
0.0
1.5
3.0
4.5
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
60
2
I
D
=33A
T
C
=25
℃
1.6
40
I
D
=33A
V
GS
=10V
归一化
DS （ ON）
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
1.2
20
0.8
0
0
4
8
12
16
0.4
-50
25
100
175
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
2.5
1000
100
2
I
S
(A)
10
Tj=175
o
C
Tj=25
o
C
V
GS （ TH）
(V)
1.5
1
1
0.1
0.5
0
0.5
1
1.5
-50
25
100
175
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（
o
C)
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
AP70T03AS/P
12
10000
f=1.0MHz
I
D
=33A
V
GS
，门源电压（ V）
V
DS
=16V
V
DS
=20V
V
DS
=24V
9
西塞
1000
6
C（ pF）的
科斯
CRSS
100
3
0
0
10
20
30
10
1
8
15
22
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
1000
1
归热响应（R
thJC
)
占空比= 0.5
10us
100
0.2
I
D
(A)
0.1
100us
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
10
1ms
T
C
=25 C
单脉冲
o
t
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
10ms
100ms
DC
1
10
100
1
0.1
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
Fig10 。有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
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