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AP6679GR

符合RoHS标准的产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

导通电阻的降低

▼

简单的驱动要求

▼

快速开关特性

G

S

D

P沟道增强模式

功率MOSFET

BV

DSS

R

DS （ ON）

I

D

-30V

9mΩ

-75A

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。

G

D

S

TO-262(R)

在TO- 262封装，广泛首选商业，工业

通孔的应用和适合于低电压应用，例如

作为DC / DC变换器。

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@T

C

=25℃

I

D

@T

C

=100℃

I

DM

P

D

@T

C

=25℃

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

3

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

1

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

等级

-30

+25

-75

-51

-300

89

0.71

-55到150

-55到150

单位

V

V

A

A

A

W

W/℃

℃

℃

热数据

符号

Rthj -C

Rthj -A

参数

最大热阻，结案件

最大热阻，结到环境

价值

1.4

62

单位

℃/W

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

1

2008012303

AP6679GR

电气特性@ T

j

=25

o

℃（除非另有规定）

符号

BV

DSS

R

DS （ ON）

参数

漏源击穿电压

静态漏源导通电阻

2

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=-250uA

V

GS

= -10V ，我

D

=-30A

V

GS

= -4.5V ，我

D

=-24A

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流

栅源漏

总栅极电荷

2

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

2

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

V

DS

=V

GS

, I

D

=-250uA

V

DS

= -10V ，我

D

=-16A

V

DS

=-30V, V

GS

=0V

V

GS

= 25 ， VDS = 0V

I

D

=-16A

V

DS

=-24V

V

GS

=-4.5V

V

DS

=-15V

I

D

=-16A

R

G

=3.3Ω,V

GS

=-10V

R

D

=0.94Ω

V

GS

=0V

V

DS

=-25V

f=1.0MHz

分钟。

-30

-

-

-1

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

-

-

-

34

-

-

-

42

6

25

11

35

58

78

960

740

MAX 。单位

-

9

15

-3

-

-1

-250

+100

67

-

-

-

-

-

-

-

-

V

m

m

V

S

uA

uA

nA

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

pF

pF

pF

漏极 - 源极漏电流（T

j

=125

o

C)

V

DS

=-24V, V

GS

=0V

2870 4590

源极 - 漏极二极管

符号

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

正向电压上

2

反向恢复时间

2

反向恢复电荷

测试条件

I

S

= -24A ，V

GS

=0V

I

S

= -16A ，V

GS

=0V,

dI/dt=-100A/s

分钟。

-

-

-

典型值。

-

47

43

MAX 。单位

-1.2

-

-

V

ns

nC

注意事项：

1.Pulse宽度有限的最大。结温。

2.Pulse测试

3.包装限制电流-75A 。

本产品是敏感的静电放电，请小心处理。

将本产品作为一个重要组成部分在生命支持或其它相似的系统是不授权。

APEC并不承担因任何产品或电路的应用或使用描述任何责任

此处;它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。

APEC保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品，以提高权

可靠性，功能或设计。

2

AP6679GR

280

150

240

T

C

=25

o

C

-10V

-8.0V

-I

D

，漏电流（ A）

-6.0V

100

T

C

=150

o

C

-10V

-8.0V

-6.0V

-4.5V

-I

D

，漏电流（ A）

200

160

120

-4.5V

50

80

V

G

= -3.0V

40

V

G

=-3.0V

0

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

0

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

15

1.6

I

D

= -24A

T

C

= 25

℃

归一化

DS （ ON）

13

I

D

= -30A

V

G

= -10V

1.4

R

DS （ ON）

(m

Ω

)

1.2

11

1.0

9

0.8

7

2

4

6

8

10

0.6

-50

0

50

100

150

-V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

j

，结温（ C）

o

图3.导通电阻V.S.栅极电压

图4.归一导通电阻

V.S.结温

1.8

75

60

1.6

-I

S

(A)

T

j

=150

o

C

30

T

j

=25

o

C

-V

GS （ TH）

(V)

1.4

45

1.4

1.2

15

1

0

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

0.8

-50

0

50

100

150

-V

SD

，源极到漏极电压（V ）

T

j

，结温（

o

C)

图5.正向特性

反向二极管

图6.栅极阈值电压V.S.

结温

3

AP6679GR

7

10000

f=1.0MHz

6

-V

GS

，门源电压（ V）

5

C

国际空间站

C（ pF）的

I

D

= -16A

V

DS

= -24V

4

1000

3

C

OSS

C

RSS

2

1

0

0

10

20

30

40

50

60

100

1

5

9

13

17

21

25

29

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.典型的电容特性

1000

1

100

100us

归热响应（R

thJC

)

占空比系数= 0.5

0.2

-I

D

(A)

0.1

1ms

10

0.1

0.05

P

DM

t

0.02

o

T

C

=25 C

单脉冲

1

10ms

100ms

1s

DC

1

10

100

T

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

j

= P

DM

个R

thJC

+ T

C

0.01

单脉冲

0.01

0.1

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

T，脉冲宽度（S ）

图9.最高安全工作区

图10.有效的瞬态热阻抗

75

V

DS

= -5V

60

V

G

T

j

=25 C

o

T

j

=150 C

o

-I

D

，漏电流（ A）

Q

G

45

-4.5V

Q

GS

Q

GD

30

15

收费

0

0

1

2

3

4

5

Q

-V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

图11.传输特性

图12.栅极电荷波形

4

先进的电力电子股份有限公司。

包装外形： TO- 262

E

E1

E2

A

c1

符号

民

MILLIMETERS

喃

最大

D3

A

A1

D1

L1

D

4.24

-----

0.66

1.07

0.76

0.30

1.15

8.30

9.90

2.04

10.50

9.50

----

10.80

4.44

-----

0.76

1.27

0.86

0.40

1.30

8.60

10.20

2.54

11.00

10.00

1.30

11.30

7.8 （参考）

6.6 （参考）

2.2 （参考）

7.8 （参考）

7.0 （参考）

1.7 （参考）

4.64

2.70

0.86

1.47

1.06

0.50

1.45

8.90

10.50

3.04

11.50

10.30

----

11.35

b

b1

b3

L4

D2

c

E3

L3

b1

b3

b

L

A1

c1

D

E

e

L

L1

L3

L4

E1

c

E2

E3

D1

e

1.所有尺寸以毫米为单位。

2.Dimension不包括模型突起。

D2

D3

最热资讯&包装： TO- 262

产品型号

6679GR

标志

封装代码

符合RoHS要求

低电压MOSFET只

YWWSSS

日期代码（ YWWSSS ）

Y：最后一位的年

WW ：周

SSS ：序

5

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数量

封装

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电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

AP6679GR

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-

-

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终端采购配单精选

深圳市壹芯创科技有限公司

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电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

AP6679GR

-

-

-

-

终端采购配单精选

更多配单专家

深圳市创芯联盈电子有限公司

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电话：0755-88291559

联系人：陈泽强

地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318

AP6679GR

AP

2443+

23000

TO-262

一级代理专营，原装现货，价格优势

深圳市向鸿伟业电子有限公司

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电话：0755-82561519 0755-82567969 18928435545

联系人：李

地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室

AP6679GR

富鼎

2418+

39482

TO-262

全新大量库存!样品可出!实单可谈!

深圳市华创欧科技有限公司

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电话：0755-23945755 83248872

联系人：朱先生

地址：深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室

AP6679GR

富鼎

22+

49600

TO-262

原装正品，公司现货库存假一罚十，电话：0755-23945755 QQ:3065848471

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