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AP6679GI
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
低栅电荷
▼
单驱动要求
▼
导通电阻的降低
▼
符合RoHS
G
S
D
P沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
-30V
9mΩ
-48A
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。
在TO- 220CFM隔离包装普遍首选的所有
商业，工业通孔应用。
克
S
TO-220CFM(I)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
-30
±25
-48
-30
300
31.3
0.25
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
4
62
单位
℃/W
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200525051-1/4
AP6679GI
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
分钟。
-30
-
-
-
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-0.02
-
-
-
43
-
-
-
40
8
28
15
75
50
90
930
690
2.7
MAX 。单位
-
-
9
15
-3
-
-1
-25
±100
67
-
-
-
-
-
-
-
-
4
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
Ω
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=-1mA
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
2
V
GS
= -10V ，我
D
=-30A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-24A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=150
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -10V ，我
D
=-30A
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
V
GS
= ±25
I
D
=-30A
V
DS
=-25V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-15V
I
D
=-30A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=-10V
R
D
=0.5Ω
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
3100 4590
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= -30A ，V
GS
=0V
I
S
= -24A ，V
GS
=0V,
dI/dt=-100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
47
45
MAX 。单位
-1.3
-
-
V
ns
nC
注意事项：
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
2/4
AP6679GI
280
150
T
C
=25
o
C
-I
D
，漏电流（ A）
210
-10V
-8.0V
-I
D
，漏电流（ A）
-6.0V
100
T
C
=150
o
C
-10V
-8.0V
-6.0V
-4.5V
140
-4.5V
50
70
V
G
=-3.0V
V
G
=-3.0V
0
0
0
1
2
3
4
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
35
1.8
I
D
= -24A
T
C
=25
℃
归一化
DS （ ON）
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
25
I
D
=-30A
V
G
=-10V
1.4
15
1.0
5
0.6
2
4
6
8
10
-50
0
50
100
150
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.6
30
20
归-V
GS （ TH）
(V)
1.4
1.2
-I
S
(A)
T
j
=150
o
C
T
j
=25
o
C
10
0.8
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.4
-50
0
50
100
150
-V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（ C）
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3/4
AP6679GI
16
10000
f=1.0MHz
-V
GS
，门源电压（ V）
I
D
= -30A
V
DS
= -25V
12
C
国际空间站
C（ pF）的
8
1000
C
OSS
C
RSS
4
0
0
20
40
60
80
100
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
1000
1
归热响应（R
thJC
)
占空比系数= 0.5
100
0.2
100us
-I
D
(A)
1ms
10
0.1
0.1
0.05
P
DM
10ms
T
C
=25 C
单脉冲
o
t
0.02
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
单脉冲
100ms
DC
0.01
1
0.01
0.1
1
10
100
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
-4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
4/4
查看更多AP6679GIPDF信息
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