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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第452页 > AP6679GH
AP6679GH/J
符合RoHS compliat产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
导通电阻的降低
▼
简单的驱动要求
▼
快速开关特性
G
S
D
P沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
-30V
9mΩ
-75A
描述
在TO- 252封装，广泛首选商业，工业
表面贴装应用，并适用于低电压应用
诸如DC / DC转换器。通孔版（ AP6679GJ ）是
适用于薄型应用。
G
D
S
G
D
S
TO-252(H)
TO-251(J)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
3
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
-30
+25
-75
-50
-300
89
0.71
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
最大热阻，结案件
最大热阻，结到环境
价值
1.4
110
单位
℃/W
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
1
200811053
AP6679GH/J
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
分钟。
-30
-
-
-
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-0.03
MAX 。单位
-
-
9
15
-3
-
-1
-25
+100
67
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V/℃
m
m
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=-1mA
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
GS
= -10V ，我
D
=-30A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-24A
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -10V ，我
D
=-24A
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
V
GS
= ±25V
I
D
=-16A
V
DS
=-24V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-15V
I
D
=-16A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=-10V
R
D
=0.94Ω
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
f=1.0MHz
-
-
-
34
-
-
-
42
6
25
11
35
58
78
960
740
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
漏极 - 源极漏电流（T
j
=150
o
C)
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
2870 4590
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
测试条件
I
S
= -24A ，V
GS
=0V
I
S
= -16A ，V
GS
=0V,
dI/dt=-100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
47
43
MAX 。单位
-1.2
-
-
V
ns
nC
反向恢复电荷
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse测试
3.包装限制电流-75A 。
本产品是敏感的静电放电，请小心处理。
将本产品作为一个重要组成部分在生命支持或其它相似的系统是不授权。
APEC并不承担因任何产品或电路的应用或使用描述任何责任
此处;它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
APEC保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品，以提高权
可靠性，功能或设计。
2
AP6679GH/J
280
150
240
T
C
=25
o
C
-10V
-8.0V
-I
D
，漏电流（ A）
-6.0V
100
T
C
=150
o
C
-10V
-8.0V
-6.0V
-4.5V
-I
D
，漏电流（ A）
200
160
120
-4.5V
50
80
V
G
=-3.0V
40
V
G
=-3.0V
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
15
1.8
I
D
= -24A
T
C
=25
℃
13
1.6
I
D
= -30A
V
G
= -10V
归一化
DS （ ON）
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
1.4
11
1.2
1.0
9
0.8
7
3
5
7
9
11
0.6
-50
0
50
100
150
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
2.2
30
1.8
20
T
j
=150
o
C
T
j
=25
o
C
-V
GS （ TH）
(V)
1.2
1.4
-I
S
(A)
1.4
10
1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0.6
-50
0
50
100
150
-V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（
o
C)
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3
AP6679GH/J
7
f=1.0MHz
10000
6
-V
GS
，门源电压（ V）
5
C
国际空间站
C（ pF）的
I
D
= -16A
V
DS
= -24V
4
1000
3
C
OSS
C
RSS
2
1
0
0
10
20
30
40
50
60
100
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
1000
1
100us
100
归热响应（R
thJC
)
占空比系数= 0.5
0.2
-I
D
(A)
0.1
1ms
0.1
0.05
P
DM
0.02
10
o
T
C
=25 C
单脉冲
1
10ms
100ms
1s
DC
t
T
0.01
单脉冲
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
0.01
0.1
1
10
100
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
-4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
4
先进的电力电子股份有限公司。
包装外形： TO- 252
D
D1
符号
MILLIMETERS
民
喃
最大
A2
A3
B1
D
D1
E3
F
1.80
0.40
0.40
6.00
4.80
3.50
2.20
0.50
5.10
0.50
--
0.35
2.30
0.50
0.70
6.50
5.35
4.00
2.63
0.85
5.70
1.10
2.30
0.50
2.80
0.60
1.00
7.00
5.90
4.50
3.05
1.20
6.30
1.80
--
0.65
E2
E3
E1
F1
E1
E2
e
C
B1
F1
F
1.所有尺寸以毫米为单位。
2.Dimension不包括模型突起。
e
e
A2
R : 0.127~0.381
A3
(0.1mm
C
最热资讯&包装： TO- 252
激光打标
产品型号
符合RoHS要求
低电压MOSFET只
6679GH
标志
YWWSSS
封装代码
日期代码（ YWWSSS ）
Y：最后一位的年
WW ：周
SSS ：序
5
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ACPSC04-41SYKWA
AT49LV161T-90TI
ADP2119ACPZ-R7
ADS7959SDBTRG4
AIC111
ADG604YRUZ-REEL7
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AS130-73
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AM29F016B-150EI
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AM29F400T-75EC
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AT91RM9200DK
AFL5008DX-CH
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    AP6679GH
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