AP6502
340kHz 23V 2A同步DC / DC降压转换器
描述
该AP6502是一个340kHz的开关频率外部
补偿的同步DC-DC降压转换器。它有
集成低R
DSON
高和低边MOSFET 。
在AP6502能够持续的高达2A的负载电流
效率高达95％。
引脚分配
（顶视图）
BS
IN
SW
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
SS
EN
COMP
FB
新产品
在AP6502设有电流模式控制操作，该操作
实现了快速瞬态响应时间，简单的循环
稳定。
在AP6502简化电路板布局，并降低空间
凭借其高集成度和最低的级别要求
无需外部元件，从而使其非常适用于分布式
电源架构。
在AP6502是在一个标准的绿色的SO- 8EP可用
封装，带有裸焊盘以改善热
性能和符合RoHS标准。
SO-8EP
图1.封装引脚
特点
V
IN
4.75V至23V
2A的连续输出电流， 3A峰值
V
OUT
可调0.925 20V
340kHz开关频率
可编程软启动
使能引脚
保护
o
o
OCP
热关断
应用
游戏机
纯平电视机和显示器
机顶盒
分布式电源系统
家用音响
消费类电子产品
网络系统
FPGA ， DSP和ASIC供应
绿色电子
无铅涂层/符合RoHS （注1 ）
1.欧盟指令2002/ 95 / EC （ RoHS指令） 。所有适用的RoHS指令的豁免申请。请访问我们的网站：
http://www.diodes.com/products/lead_free.html 。
注意：
典型应用电路
100
90
V
IN
= 5V
效率（％）
80
V
IN
= 12V
70
60
50
V
OUT
= 3.3V
L = 10μH
40
0
0.4
0.8
1.2
1.6
负载电流（A ）
效率与负载电流
2
图2.典型应用电路
1 12
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AP6502
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340kHz 23V 2A同步DC / DC降压转换器
引脚说明
针＃
1
名字
BS
描述
高边栅极驱动升压输入。 BS提供了驱动高侧N沟道MOSFET
开关。从西南一个0.01μF或更大的电容连接到BS的高侧开关电源。
电源输入。在提供电源给IC ，以及所述降压转换器的开关。
驱动器具有一个4.75V至23V的电源。旁路至GND一个适当大的电容器
以消除对输入到IC的噪声。参见输入电容。
电源开关输出。 SW为提供功率输出的交换节点。连
输出LC滤波器从SW到输出负载。需要注意的是电容需要从西南到
BS到电源的高侧开关。
地（裸露焊盘连接到引脚4 ） 。
反馈输入。 FB的检测输出电压，并调节它。驱动与FB电阻
分压器的输出电压连接到它。反馈的阈值是0.925V 。看
设置输出电压。
补偿节点。 COMP用于补偿调节控制回路。连接
一系列的RC网络从COMP到GND 。在某些情况下，一个额外的电容器从COMP和
接地是必需的。参见补偿元件。
使能输入。 EN是一个数字输入，轮流调节或关闭。驱动EN为高电平使
稳压器;低将其关闭。附加到一个100kΩ的上拉电阻为自动启动。
软启动控制输入。 SS控制软启动周期。从SS之间连接一个电容到GND
到设置在软启动周期。一个0.1μF的电容设定软启动期间，以15毫秒。要禁用
软启动功能，离开SS浮动。
2
IN
新产品
3
4
5
SW
GND
FB
6
COMP
7
EN
8
SS
功能框图
图3.功能框图
+
OVP
-
1.1V
振荡器
+
IN
EN
7
+
国内
稳压器
5V
-
1
逻辑
+
-
SS
8
0.923 V
+
+
错误
扩音器
6uA
-
当前
比较
BS
100m
3
100m
SW
4
COMP
6
+
2.5V
EN OK
封锁
比较
关闭
IN < 4.10V
GND
坡道
E
当前
SENSE
扩音器
2
IN
FB
5
+
三百四十零分之一百千赫
-
0.3 V
CLK
-
-
0.9V
关闭
比较
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绝对最大额定值
（注2 ）
符号
参数
等级
-0.3至26
-1.0到V
IN
+0.3
V
SW
-0.3到V
SW
+ 6
-0.3V至+6
-0.3V至+6
-0.3V至+6
-65到+150
+150
+260
4
400
1
单位
V
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
kV
V
kV
新产品
V
IN
电源电压
V
SW
开关节点电压
V
BS
自举电压
V
FB
反馈电压
V
EN
启用/ UVLO电压
V
COMP
比较电压
T
ST
储存温度
T
J
结温
T
L
焊接温度
ESD易感性（注3 ）
HBM
MM
清洁发展机制
人体模型
机器型号
带电器件模型
注意事项：
2.强调超过“绝对最大额定值”上述规定，可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只;
该设备在这些或任何其他条件超出本技术规格显示功能操作不暗示。设备
可靠性
受到暴露在绝对最大额定值条件下，长时间。
3.半导体器件的ESD敏感，并且可以通过暴露于ESD事件损坏。合适的ESD预防措施时，应采取
处理和运输这些设备。
热阻
（注4 ）
符号
θ
JA
θ
JC
注意：
参数
结到环境
结到外壳
等级
74
16
单位
° C / W
° C / W
对于SO- 8EP 4.测试条件：在测量1盎司铜约1“方
推荐工作条件
（注5 ）
符号
V
IN
T
A
注意：
参数
电源电压
工作环境温度范围
民
4.75
-40
最大
23
+85
单位
V
°C
5.该设备的功能不推荐的工作条件外的保证。
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电气特性
(V
IN
= 12V ，T
A
= + 25℃ ，除非另有说明）
符号
I
IN
I
IN
R
DS(ON)1
参数
关断电源电流
电源电流（静态）
高边开关导通电阻
（注6 ）
低侧开关导通电阻
（注6 ）
高边电流限制
LS限流
高侧开关漏电流
AVEA
GEA
GCS
F
SW
F
FB
D
最大
T
ON
V
FB
V
EN_RISING
误差放大器的电压增益（注5 ）
误差放大器跨导器
COMP为电流检测
跨
振荡器频率
折返频率
最大占空比
最小导通时间
反馈电压
反馈过电压阈值
EN上升阈值
EN锁定阈值电压
EN锁定迟滞
INUV
VTH
INUV
HYS
V
IN
欠压阈值上升
V
IN
欠压阈值
迟滞
软启动电流
软启动时间
T
SD
注意：
测试条件
V
EN
= 0V
V
EN
= 2.0V, V
FB
= 1.0V
民
典型值。
0.3
0.6
100
100
最大
3.0
1.5
单位
A
mA
m
m
A
A
新产品
R
DS(ON)2
I
极限
I
极限
最小占空比
从漏极至源极
V
EN
= 0V, V
SW
= 0V,
V
sw
=12V
（ IC
= ±10μA
4.4
0.9
0
800
1000
2.8
10
μA
V/V
UA / V
A / V
V
FB
= 0.75V
V
FB
= 0V
V
FB
=为800mV
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
300
340
0.30
90
200
380
千赫
f
SW
%
ns
900
0.7
2.2
3.80
925
1.1
0.8
2.5
220
4.05
250
950
0.9
2.7
4.40
mV
V
V
V
mV
V
mV
μA
ms
°C
V
SS
= 0V
C
SS
= 0.1F
6
15
150
热关断
6.保证设计
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典型性能图
(V
IN
= 12V, V
OUT
= 3.3V ，T
A
= + 25℃ ，除非另有说明）
0.6
静态电源电流（mA ）
关断电源电流（ μA ）
0.074
0.064
0.054
0.044
0.034
0.024
0.014
0.004
6.2
6
5.8
5.6
5.4
5.2
5
4.8
-60
0.58
0.56
0.54
新产品
0.52
0.5
0.48
0
10
15
20
25
输入电压（ V）
静态电源电流与输入电压
5
电流限制（ A）
0
10
15
20
25
输入电压（ V）
关断电源电流与输入电压
5
-40
0
20
40
60
温度（℃）
电流限制与温度
-20
80
100
3.33
3.329
3.328
输出电压（V）
3.327
3.326
3.325
3.324
3.323
3.322
3.321
3.32
4.75
9.75
14.75
19.75
输入电压（ V）
线路调整
24.75
0.92
0.918
振荡器频率（kHz ）
375
反馈电压（ V）
0.916
0.914
0.912
0.91
0.908
0.906
0.904
0.902
0.9
-60
-40
0
20
40
60
80
温度（℃）
反馈电压与温度的关系
-20
100
370
365
360
355
350
-60
-40
0
20
40
60
80
温度（℃）
振荡器频率与温度的关系
-20
100
90
85
80
75
效率（％）
90
85
80
75
效率（％）
V
IN
= 5V
V
IN
= 12V
100
90
V
IN
= 5V
70
65
60
55
50
45
40
0
V
OUT
= 1.2V
L = 3.3μH
70
65
60
55
50
45
V
OUT
= 1.8V
L = 3.3μH
效率（％）
V
IN
= 12V
80
70
60
50
V
IN
= 12V
V
OUT
= 5V
L = 10μH
0.4
0.8
1.2
1.6
负载电流（A ）
效率与负载电流
2
40
0
0.4
0.8
1.2
1.6
负载电流（A ）
效率与负载电流
2
40
0
0.4
0.8
1.2
1.6
负载电流（A ）
效率与负载电流
2
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