18-40 GHz的砷化镓MMIC
高隔离度单刀单掷反光PIN开关
AP640R1-00
特点
芯片大纲
0.877
0.670
0.585
0.313
0.000
0.000
0.070
1.150
1.225
尺寸以毫米。
所有垫
≥
0.07毫米宽。
芯片厚度= 0.1毫米。
I
宽的带宽
I
低损耗， < 1.3分贝
I
高隔离度， > 37分贝
I
优良的回波损耗， < -13分贝
I
快速开关速度， 4纳秒
I
高功率处理， 37 dBm的峰值，
33 dBm的CW
描述
Alpha的高隔离度，单刀单掷PIN二极管
开关是一个强大的，高性能的开关。它是理想的
低损耗，高隔离的应用，特别是在
宽带宽和高功率处理能力是必需的。
该芯片采用阿尔法经过验证的PIN二极管技术，
基于MBE层为最高的均匀性和
可重复性。二极管采用表面钝化
保证了坚固，可靠，通过通基底部分
孔和黄金为基础的背面金属化，以方便
环氧芯片粘接工艺。砷化镓MMIC采用
2并联PIN二极管和一个片上偏置网络。芯片
都在24 ，28， 31和35千兆赫测定的100％的基础上
插入损耗，隔离，输入和输出回波损耗，
而且在直流二极管的击穿电压和导通
电压。
绝对最大额定值
特征
工作温度
储存温度
直流反向偏置
DC正向偏置
P
IN
价值
-55 ° C至+ 125°C
-65 ° C至+ 150°C
-70 V（ -20毫安）
1.3 V（ 100 mA时）
10 W
电气规格在25℃
参数
插入损耗
隔离
输入回波损耗（插入状态下）
输出回波损耗（插入状态下）
漏电流
开关
速度
1
P
1分贝
F = 35 GHz的
输出功率在1 dB压缩
1
符号
IL
ISO
RL
I
RL
O
I
DD
条件
F = 18 ， 21 ， 24 ， 28 ， 31 ， 35 GHz的
F = 38 ， 40 GHz的
F = 18 ， 21 ， 24 ， 28 ， 31 ， 35 GHz的
F = 38 ， 40 GHz的
F = 18 ， 21 GHz的
F = 24 ， 28 ， 31 ， 35 ， 38 ， 40 GHz的
F = 18 ， 21 GHz的
F = 24 ， 28 ， 31 ， 35 ， 38 ， 40 GHz的
V = -50 V
37
33
分钟。
典型值。
2
1.0
1.3
42
36
14
24
14
22
2
4
33
12
15
12
13
20
马克斯。
1.3
1.9
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
A
ns
DBM
1.未测量了100％的基础上。
2.典型代表整个指定的位数参数值
频率范围的中位数芯片。
阿尔法工业公司
[781] 935-5150
传真
[617] 824-4579
电子邮件
sales@alphaind.com
www.alphaind.com
规格如有变更，恕不另行通知。 3 / 00A
1
18-40 GHz的砷化镓MMIC高隔离度单刀单掷反光PIN开关
AP640R1-00
典型性能数据
0
0
插入损耗
-1
输出回波损耗
-2
-3
-4
-5
15
20
25
30
35
40
0
插入损耗
0
回波损耗&隔离度（dB ）
回波损耗（分贝）
-10
-20
-30
-40
-50
插入损耗（dB ）
插入损耗（dB ）
-1
-10
-2
-20
输出回波损耗
输入回波损耗
-30
-26.0
-5.0
-3.5
-1.0
0.0
-4
-3
输入回波损耗
隔离
频率（GHz ）
反向偏置电压（V）的
性能与频率的关系
偏置条件：我
F
能力= 20 mA ，V
R
= -3.5 V
0
1.5
输入/输出回波损耗
性能与直流偏置
F = 28 GHz的
回波损耗&隔离度（dB ）
真值表
B
1
20毫安
-5 V
J
1
–J
2
隔离
插入损耗
正向电压（ V）
-10
正向电压
-20
-30
隔离
-40
-50
0
1
2
5
10
20
40
1.2
0.9
0.6
0.3
0.0
电路原理图
B
1
正向电流（mA ）
性能与直流偏置
F = 28 GHz的
J
3
J
2
偏置安排
电阻器
B
1
J
1
J
2
2
阿尔法工业公司
[781] 935-5150
传真
[617] 824-4579
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