【AP630P先进的电源电子股份有限公司▼动态的dv / dt额定值▼额定重复性雪崩▼快速开关▼简单的】,IC型号AP630P,AP630P PDF资料,AP630P经销商,ic,电子元器件-51电子网

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AP630P

先进的电源

电子股份有限公司

▼

动态的dv / dt额定值

▼

额定重复性雪崩

▼

快速开关

▼

简单的驱动要求

G

D

S

N沟道增强模式

功率MOSFET

BV

DSS

R

DS （ ON）

I

D

TO-220

200V

400mΩ

9A

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。

在TO- 220封装普遍首选的所有commercial-

到大约50的工业应用在功率耗散水平

瓦。通孔版（ AP630P ）可用于低轮廓

应用程序。

D

G

S

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@T

C

=25℃

I

D

@T

C

=100℃

I

DM

P

D

@T

C

=25℃

E

AS

I

AR

E

AR

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

1

总功耗

线性降额因子

单脉冲雪崩能量

2

雪崩电流

重复性雪崩能量

存储温度范围

工作结温范围

等级

200

±

30

9

5.7

36

74

0.59

240

9

7

-55到150

-55到150

单位

V

V

A

A

A

W

W/℃

mJ

A

mJ

℃

℃

热数据

符号

Rthj -C

Rthj -A

参数

热阻结案件

热阻结到环境

马克斯。

马克斯。

价值

1.7

62

单位

℃/W

℃/W

数据&规格如有变更，恕不另行通知

200219032

AP630P

电气特性@ T

j

=25

o

℃（除非另有规定）

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

j

参数

漏源击穿电压

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=250uA

分钟。

200

-

-

2

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

0.248

-

-

40

-

-

-

25

3.6

14

8

26

34

22

515

90

40

MAX 。单位

-

-

400

4

-

10

100

±100

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

V

V/℃

mΩ

V

S

uA

uA

nA

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

pF

pF

pF

击穿电压温度系数

参考25 ℃ ，我

D

=1mA

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

静态漏源导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流（T

j

=25

o

C)

漏极 - 源极漏电流（T

j

=150

o

C)

V

GS

= 10V ，我

D

=5A

V

DS

=V

GS

, I

D

=250uA

V

DS

= 10V ，我

D

=5A

V

DS

=200V, V

GS

=0V

V

DS

=160V, V

GS

=0V

V

GS

=

±

30V

I

D

= 9A

V

DS

=160V

V

GS

=10V

V

DD

=100V

I

D

= 9A

R

G

=10Ω,V

GS

=10V

R

D

=11Ω

V

GS

=0V

V

DS

=25V

f=1.0MHz

门源正向漏

总栅极电荷

3

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

3

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

源极 - 漏极二极管

符号

I

S

I

SM

V

SD

参数

连续源电流（体二极管）

测试条件

V

D

=V

G

=0V , V

S

=1.3V

TJ = 25 ℃ ，我

S

= 9A ，V

GS

=0V

分钟。

-

-

-

典型值。

-

-

-

MAX 。单位

9

36

1.3

A

A

V

脉冲源电流（体二极管）

1

正向电压上

3

注意事项：

1.Pulse宽度有限的安全工作区。

2.Starting牛逼

j

=25

o

C，V

DD

= 50V ，L = 4.5mH ，R

G

=25Ω , I

AS

=9A.

3.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％。

AP630P

10

14

T

C

=25

o

C

V

G

=10V

V

G

=8.0V

V

G

=7.0V

I

D

，漏电流（ A）

8

T

C

=150

o

C

V

G

=10V

V

G

=8.0V

V

G

=7.0V

V

G

=6.0V

12

I

D

，漏电流（ A）

10

6

8

V

G

=6.0V

6

4

V

G

=5.0V

4

V

G

=5.0V

2

2

V

G

=4.0V

V

G

=4.0V

0

0

2

4

6

8

10

12

14

0

0

2

4

6

8

10

12

14

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

1.2

3

I

D

=5A

2.5

1.1

V

G

=10V

归BV

DSS

(V)

1

归一化

DS （ ON）

-50

0

50

100

150

2

1.5

1

0.9

0.5

0.8

0

-50

0

50

100

150

T

j ,

结温（ C）

o

T

j

，结温（ C）

o

图3.归BV

DSS

V.S.连接点

温度

图4.归一导通电阻

V.S.结温

AP630P

10

80

8

60

I

D

，漏电流（ A）

6

P

D

(W)

4

2

0

25

50

75

100

125

150

40

20

0

0

50

100

150

T

c

，外壳温度（

o

C)

TC ，外壳温度（ C）

o

图5.最大漏极电流V.S.

图6.典型功耗

外壳温度

100

1

10us

10

归热响应（R

thJC

)

DUTY=0.5

0.2

100us

I

D

(A)

0.1

0.1

0.05

1ms

1

P

DM

0.02

单脉冲

0.01

10ms

100ms

T

c

=25

o

C

单脉冲

t

T

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

j

= P

DM

个R

thJC

+ T

C

0

1

10

100

1000

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

V

DS

(V)

T，脉冲宽度（S ）

图7.最大安全工作区

图8.有效的瞬态热阻抗

AP630P

f=1.0MHz

16

10000

I

D

=9A

14

V

GS

，门源电压（ V）

V

DS

=80V

12

V

DS

=120V

10

西塞

V

DS

=160V

C（ pF）的

100

8

科斯

6

4

CRSS

2

0

0

5

10

15

20

25

30

35

1

1

11

21

31

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

V

DS

(V)

图9.栅极电荷特性

图10.典型的电容特性

100.00

4

10.00

T

j

=150

o

C

T

j

=25

o

C

1.00

3.5

V

GS （ TH）

(V)

0.1

0.3

0.5

0.7

0.9

1.1

1.3

1.5

I

S

(A)

3

0.10

2.5

0.01

2

-50

0

50

100

150

V

SD

(V)

T

j

结Temperayure （

o

C)

图11.正向特性

反向二极管

图12.栅极阈值电压V.S.

结温

AP630P

先进的电源

电子股份有限公司

▼

动态的dv / dt额定值

▼

额定重复性雪崩

▼

快速开关

▼

简单的驱动要求

G

D

S

N沟道增强模式

功率MOSFET

BV

DSS

R

DS （ ON）

I

D

TO-220

200V

400mΩ

9A

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。

在TO- 220封装普遍首选的所有commercial-

到大约50的工业应用在功率耗散水平

瓦。通孔版（ AP630P ）可用于低轮廓

应用程序。

D

G

S

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@T

C

=25℃

I

D

@T

C

=100℃

I

DM

P

D

@T

C

=25℃

E

AS

I

AR

E

AR

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

1

总功耗

线性降额因子

单脉冲雪崩能量

2

雪崩电流

重复性雪崩能量

存储温度范围

工作结温范围

等级

200

±

30

9

5.7

36

74

0.59

240

9

7

-55到150

-55到150

单位

V

V

A

A

A

W

W/℃

mJ

A

mJ

℃

℃

热数据

符号

Rthj -C

Rthj -A

参数

热阻结案件

热阻结到环境

马克斯。

马克斯。

价值

1.7

62

单位

℃/W

℃/W

数据&规格如有变更，恕不另行通知

200219032

AP630P

电气特性@ T

j

=25

o

℃（除非另有规定）

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

j

参数

漏源击穿电压

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=250uA

分钟。

200

-

-

2

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

0.248

-

-

40

-

-

-

25

3.6

14

8

26

34

22

515

90

40

MAX 。单位

-

-

400

4

-

10

100

±100

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

V

V/℃

mΩ

V

S

uA

uA

nA

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

pF

pF

pF

击穿电压温度系数

参考25 ℃ ，我

D

=1mA

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

静态漏源导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流（T

j

=25

o

C)

漏极 - 源极漏电流（T

j

=150

o

C)

V

GS

= 10V ，我

D

=5A

V

DS

=V

GS

, I

D

=250uA

V

DS

= 10V ，我

D

=5A

V

DS

=200V, V

GS

=0V

V

DS

=160V, V

GS

=0V

V

GS

=

±

30V

I

D

= 9A

V

DS

=160V

V

GS

=10V

V

DD

=100V

I

D

= 9A

R

G

=10Ω,V

GS

=10V

R

D

=11Ω

V

GS

=0V

V

DS

=25V

f=1.0MHz

门源正向漏

总栅极电荷

3

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

3

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

源极 - 漏极二极管

符号

I

S

I

SM

V

SD

参数

连续源电流（体二极管）

测试条件

V

D

=V

G

=0V , V

S

=1.3V

TJ = 25 ℃ ，我

S

= 9A ，V

GS

=0V

分钟。

-

-

-

典型值。

-

-

-

MAX 。单位

9

36

1.3

A

A

V

脉冲源电流（体二极管）

1

正向电压上

3

注意事项：

1.Pulse宽度有限的安全工作区。

2.Starting牛逼

j

=25

o

C，V

DD

= 50V ，L = 4.5mH ，R

G

=25Ω , I

AS

=9A.

3.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％。

AP630P

10

14

T

C

=25

o

C

V

G

=10V

V

G

=8.0V

V

G

=7.0V

I

D

，漏电流（ A）

8

T

C

=150

o

C

V

G

=10V

V

G

=8.0V

V

G

=7.0V

V

G

=6.0V

12

I

D

，漏电流（ A）

10

6

8

V

G

=6.0V

6

4

V

G

=5.0V

4

V

G

=5.0V

2

2

V

G

=4.0V

V

G

=4.0V

0

0

2

4

6

8

10

12

14

0

0

2

4

6

8

10

12

14

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

1.2

3

I

D

=5A

2.5

1.1

V

G

=10V

归BV

DSS

(V)

1

归一化

DS （ ON）

-50

0

50

100

150

2

1.5

1

0.9

0.5

0.8

0

-50

0

50

100

150

T

j ,

结温（ C）

o

T

j

，结温（ C）

o

图3.归BV

DSS

V.S.连接点

温度

图4.归一导通电阻

V.S.结温

AP630P

10

80

8

60

I

D

，漏电流（ A）

6

P

D

(W)

4

2

0

25

50

75

100

125

150

40

20

0

0

50

100

150

T

c

，外壳温度（

o

C)

TC ，外壳温度（ C）

o

图5.最大漏极电流V.S.

图6.典型功耗

外壳温度

100

1

10us

10

归热响应（R

thJC

)

DUTY=0.5

0.2

100us

I

D

(A)

0.1

0.1

0.05

1ms

1

P

DM

0.02

单脉冲

0.01

10ms

100ms

T

c

=25

o

C

单脉冲

t

T

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

j

= P

DM

个R

thJC

+ T

C

0

1

10

100

1000

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

V

DS

(V)

T，脉冲宽度（S ）

图7.最大安全工作区

图8.有效的瞬态热阻抗

AP630P

f=1.0MHz

16

10000

I

D

=9A

14

V

GS

，门源电压（ V）

V

DS

=80V

12

V

DS

=120V

10

西塞

V

DS

=160V

C（ pF）的

100

8

科斯

6

4

CRSS

2

0

0

5

10

15

20

25

30

35

1

1

11

21

31

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

V

DS

(V)

图9.栅极电荷特性

图10.典型的电容特性

100.00

4

10.00

T

j

=150

o

C

T

j

=25

o

C

1.00

3.5

V

GS （ TH）

(V)

0.1

0.3

0.5

0.7

0.9

1.1

1.3

1.5

I

S

(A)

3

0.10

2.5

0.01

2

-50

0

50

100

150

V

SD

(V)

T

j

结Temperayure （

o

C)

图11.正向特性

反向二极管

图12.栅极阈值电压V.S.

结温

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地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜

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