AP60T10GS/P
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
简单的驱动要求
▼
导通电阻的降低
▼
快速开关特性
G
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
100V
18m
67A
S
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。
在TO- 263封装，广泛首选的所有商业，工业
表面贴装应用，并适用于低电压应用
诸如DC / DC转换器。通孔版（ AP60T10GP ）
可用于小尺寸应用。
GD
S
G
D
S
TO-220(P)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
E
AS
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
单脉冲雪崩能量
存储温度范围
工作结温范围
3
TO-263(S)
单位
V
V
A
A
A
W
mJ
℃
℃
等级
100
+20
67
42
250
167
288
-55到150
-55到150
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
Rthj -A
参数
最大热阻，结案件
最大热阻，结到环境（印刷电路板安装）
4
价值
0.75
40
62
单位
℃/W
℃/W
℃/W
Maixmum热阻，结到环境
数据和规格如有变更，恕不另行通知
1
200911104
AP60T10GS/P
电气特性@ T
j
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
V
GS
= 10V ，我
D
=28A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 25V ，我
D
=28A
V
DS
=80V, V
GS
=0V
V
GS
= +20V, V
DS
=0V
I
D
=28A
V
DS
=80V
V
GS
=10V
V
DS
=50V
I
D
=28A
R
G
=2.5,V
GS
=10V
R
D
=1.8
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
分钟。
100
-
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
45
-
-
55
15
24
16
68
29
42
400
155
MAX 。单位
-
18
5
-
25
+100
90
-
-
-
-
-
-
-
-
V
m
V
S
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
o
2800 4500
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
2
测试条件
I
S
= 28A ，V
GS
=0V
I
S
= 28A ，V
GS
=0V
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
80
270
MAX 。单位
1.3
-
-
V
ns
nC
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse测试
o
3.Starting牛逼
j
= 25℃ ，V
DD
= 50V ，L = 1MH ，R
G
=25 , I
AS
=24A.
4.表面安装1
2
FR4电路板的铜焊盘
本产品是敏感的静电放电，请小心处理。
将本产品作为一个重要组成部分在生命支持或其它相似的系统是不授权。
APEC并不承担因任何产品或电路的应用或使用描述任何责任
此处;它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
APEC保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品，以提高权
可靠性，功能或设计。
2
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