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AP60T03AS/P
先进的电源
电子股份有限公司
▼
简单的驱动要求
▼
低栅电荷
▼
快速开关
G
S
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
30V
12mΩ
45A
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。
在TO- 263封装普遍首选的所有commercial-
工业表面贴装应用，并适用于低电压
应用，如DC / DC转换器。通孔版
（ AP60T03AP ）可用于小尺寸应用。
TO-263(S)
TO-220(P)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
30
± 20
45
32
120
44
0.352
-55至175
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
3.4
62
单位
℃/W
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200909032
AP60T03AS/P
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
30
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.026
MAX 。单位
-
-
12
25
3
-
1
250
±100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=15A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
-
-
-
25
-
-
-
11.6
3.9
7
8.8
57.5
18.5
6.4
1135
200
135
栅极阈值电压
正向跨导
2
V
DS
= 10V ，我
D
=10A
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
=24V ,V
GS
=0V
V
GS
= ± 20V
I
D
=20A
V
DS
=24V
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V
I
D
=20A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=0.75Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=175
o
C)
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
TRR
QRR
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
测试条件
I
S
= 45A ，V
GS
=0V
I
S
= 20A ，V
GS
=0V,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
23.3
16
MAX 。单位
1.3
-
-
V
ns
nC
反向恢复电荷
注意事项：
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
AP60T03AS/P
125
90
T
C
=25
o
C
100
10V
8.0V
6.0V
I
D
，漏电流（ A）
60
T
C
=175
o
C
10V
8.0V
6.0V
5.0V
I
D
，漏电流（ A）
75
5.0V
50
30
V
GS
=4.0V
25
V
GS
=4.0V
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
80
2
I
D
=20A
T
C
=25
℃
60
1.6
I
D
=20A
V
GS
=10V
归一化
DS （ ON）
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
40
1.2
20
0.8
0
3
5
7
9
11
0.4
-50
25
100
175
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
2.8
100
2.3
10
1.8
V
GS （ TH）
(V)
1.5
I
S
(A)
Tj=175
o
C
Tj=25
o
C
1.3
1
0.8
0.1
0
0.5
1
0.3
-50
25
100
175
V
SD
（ V）中，源 - 漏电压（V）
T
j
，结温（
o
C)
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
AP60T03AS/P
f=1.0MHz
12
10000
I
D
=20A
V
GS
，门源电压（ V）
9
V
DS
=16V
V
DS
=20V
V
DS
=24V
C（ pF）的
1000
西塞
6
科斯
CRSS
100
3
0
0
6
12
18
24
10
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
1
8
15
22
29
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
1000
1
归热响应（R
thJC
)
占空比= 0.5
100
0.2
0.1
I
D
(A)
100us
1ms
10
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
t
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
T
C
=25 C
单脉冲
1
0.1
1
10
o
10ms
100ms
DC
100
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
R
D
V
DS
D
对
示波器
D
R
G
+
10V
-
G
S
V
DS
对
示波器
0.5倍额定V
DS
0.8倍额定VDS
G
S
V
GS
V
GS
+
1 3毫安
-
I
G
I
D
图11.开关时间电路
图12.栅极电荷电路
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