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AP60L02GS/P

无铅电镀产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

低栅电荷

▼

简单的驱动要求

▼

快速开关

G

S

D

N沟道增强模式

功率MOSFET

BV

DSS

R

DS （ ON）

I

D

25V

12mΩ

50A

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。

在TO- 263封装普遍首选的所有commercial-

工业表面贴装应用，并适用于低电压

应用，如DC / DC转换器。通孔版

（ AP60L02GP ）可用于小尺寸应用。

G

D

克

S

TO-263(S)

TO-220(P)

S

等级

25

±

20

50

32

180

62.5

0.5

单位

V

V

A

A

A

W

W/℃

℃

℃

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@T

C

=25℃

I

D

@T

C

=100℃

I

DM

P

D

@T

C

=25℃

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

1

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

-55到150

-55到150

热数据

符号

Rthj情况

Rthj - AMB

参数

热阻结案件

热阻结到环境

马克斯。

马克斯。

价值

2.0

62

单位

℃/W

℃/W

数据&规格如有变更，恕不另行通知

200218032

AP60L02GS/P

电气特性@ T

j

=25

o

℃（除非另有规定）

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

j

参数

漏源击穿电压

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=250uA

分钟。

25

-

-

-

1

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

0.037

MAX 。单位

-

-

12

26

3

-

1

25

±100

V

V/℃

mΩ

mΩ

V

S

uA

uA

nA

nC

nC

nC

-

-

-

-

-

-

-

ns

ns

ns

ns

pF

pF

pF

击穿电压温度系数

参考25 ℃ ，我

D

=1mA

R

DS （ ON）

静态漏源导通电阻

V

GS

= 10V ，我

D

=25A

V

GS

= 4.5V ，我

D

=20A

-

-

-

30

-

-

-

21

2.8

16

8

75

22

20

605

415

195

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流（T

j

=25

o

C)

漏极 - 源极漏电流（T

j

=150

o

C)

V

DS

=V

GS

, I

D

=250uA

V

DS

= 10V ，我

D

=25A

V

DS

=25V, V

GS

=0V

V

DS

=20V, V

GS

=0V

V

GS

=

±

20V

I

D

=25A

V

DS

=20V

V

GS

=5V

V

DS

=15V

I

D

=20A

R

G

=3.3Ω,V

GS

=10V

R

D

=0.75Ω

V

GS

=0V

V

DS

=25V

f=1.0MHz

栅源漏

总栅极电荷

2

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

2

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

源极 - 漏极二极管

符号

I

S

I

SM

V

SD

参数

连续源电流（体二极管）

测试条件

V

D

=V

G

=0V , V

S

=1.26V

T

j

=25℃, I

S

= 50A ，V

GS

=0V

分钟。

-

-

-

典型值。

-

-

-

MAX 。单位

50

180

1.26

A

A

V

脉冲源电流（体二极管）

1

正向电压上

2

注意事项：

1.Pulse宽度有限的安全工作区。

2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％。

AP60L02GS/P

250

150

T

C

=25

o

C

200

T

C

=150

o

C

V

G

=10V

I

D

，漏电流（ A）

V

G

=10V

V

G

=8.0V

I

D

，漏电流（ A）

V

G

=8.0V

100

150

V

G

=6.0V

100

V

G

=6.0V

50

V

G

=4.0V

50

V

G

=4.0V

0

0

0

1

2

3

4

5

6

7

8

0

1

2

3

4

5

6

7

8

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

26

1.8

24

I

D

=25A

T

c

=25

℃

I

D

=25A

1.6

V

G

=10V

22

18

归一化

DS （ ON）

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

20

1.4

R

DS （ ON）

(m

Ω

)

1.2

16

14

1

12

0.8

10

8

0.6

-50

0

50

100

150

V

GS

(V)

T

j

，结温（

o

C)

图3.导通电阻V.S.栅极电压

图4.归一导通电阻

V.S.结温

AP60L02GS/P

60

70

50

60

50

I

D

，漏电流（ A）

40

40

30

P

D

(W)

25

50

75

100

125

150

30

20

20

10

10

0

0

0

50

100

150

T

c

，外壳温度（ C）

o

T

c

，外壳温度（ C）

o

图5.最大漏极电流V.S.

图6.典型功耗

外壳温度

1000

1

DUTY=0.5

归热响应（R

thJC

)

100

10us

0.2

0.1

0.05

I

D

(A)

100us

0.1

0.02

P

DM

10

1ms

10ms

100ms

0.01

单脉冲

t

T

T

c

=25

o

C

单脉冲

1

1

10

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

j

= P

DM

个R

thJC

+ T

C

0.01

V

DS

(V)

100

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

T，脉冲宽度（S ）

图7.最大安全工作区

图8.有效的瞬态热阻抗

AP60L02GS/P

f=1.0MHz

16

10000

14

I

D

=25A

V

DS

=12V

V

DS

=16V

V

DS

=20V

C（ pF）的

V

GS

，门源电压（ V）

12

10

8

1000

6

西塞

科斯

4

CRSS

2

0

0

10

20

30

40

50

100

1

6

11

16

21

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

V

DS

(V)

图9.栅极电荷特性

图10.典型的电容特性

100

3

10

T

j

=150

o

C

T

j

=25

o

C

V

GS （ TH）

(V)

2

I

S

(A)

1

1

0

0.1

0.1

0.3

0.5

0.7

0.9

1.1

1.3

1.5

-50

0

50

100

150

V

SD

(V)

T

j

，结温（

o

C)

图11.正向特性

反向二极管

图12.栅极阈值电压V.S.

结温

AP60L02GS/P

无铅电镀产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

低栅电荷

▼

简单的驱动要求

▼

快速开关

G

S

D

N沟道增强模式

功率MOSFET

BV

DSS

R

DS （ ON）

I

D

25V

12mΩ

50A

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。

在TO- 263封装普遍首选的所有commercial-

工业表面贴装应用，并适用于低电压

应用，如DC / DC转换器。通孔版

（ AP60L02GP ）可用于小尺寸应用。

G

D

克

S

TO-263(S)

TO-220(P)

S

等级

25

±

20

50

32

180

62.5

0.5

单位

V

V

A

A

A

W

W/℃

℃

℃

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@T

C

=25℃

I

D

@T

C

=100℃

I

DM

P

D

@T

C

=25℃

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

1

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

-55到150

-55到150

热数据

符号

Rthj情况

Rthj - AMB

参数

热阻结案件

热阻结到环境

马克斯。

马克斯。

价值

2.0

62

单位

℃/W

℃/W

数据&规格如有变更，恕不另行通知

200218032

AP60L02GS/P

电气特性@ T

j

=25

o

℃（除非另有规定）

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

j

参数

漏源击穿电压

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=250uA

分钟。

25

-

-

-

1

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

0.037

MAX 。单位

-

-

12

26

3

-

1

25

±100

V

V/℃

mΩ

mΩ

V

S

uA

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nA

nC

nC

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-

-

-

-

-

-

-

ns

ns

ns

ns

pF

pF

pF

击穿电压温度系数

参考25 ℃ ，我

D

=1mA

R

DS （ ON）

静态漏源导通电阻

V

GS

= 10V ，我

D

=25A

V

GS

= 4.5V ，我

D

=20A

-

-

-

30

-

-

-

21

2.8

16

8

75

22

20

605

415

195

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流（T

j

=25

o

C)

漏极 - 源极漏电流（T

j

=150

o

C)

V

DS

=V

GS

, I

D

=250uA

V

DS

= 10V ，我

D

=25A

V

DS

=25V, V

GS

=0V

V

DS

=20V, V

GS

=0V

V

GS

=

±

20V

I

D

=25A

V

DS

=20V

V

GS

=5V

V

DS

=15V

I

D

=20A

R

G

=3.3Ω,V

GS

=10V

R

D

=0.75Ω

V

GS

=0V

V

DS

=25V

f=1.0MHz

栅源漏

总栅极电荷

2

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

2

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

源极 - 漏极二极管

符号

I

S

I

SM

V

SD

参数

连续源电流（体二极管）

测试条件

V

D

=V

G

=0V , V

S

=1.26V

T

j

=25℃, I

S

= 50A ，V

GS

=0V

分钟。

-

-

-

典型值。

-

-

-

MAX 。单位

50

180

1.26

A

A

V

脉冲源电流（体二极管）

1

正向电压上

2

注意事项：

1.Pulse宽度有限的安全工作区。

2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％。

AP60L02GS/P

250

150

T

C

=25

o

C

200

T

C

=150

o

C

V

G

=10V

I

D

，漏电流（ A）

V

G

=10V

V

G

=8.0V

I

D

，漏电流（ A）

V

G

=8.0V

100

150

V

G

=6.0V

100

V

G

=6.0V

50

V

G

=4.0V

50

V

G

=4.0V

0

0

0

1

2

3

4

5

6

7

8

0

1

2

3

4

5

6

7

8

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

26

1.8

24

I

D

=25A

T

c

=25

℃

I

D

=25A

1.6

V

G

=10V

22

18

归一化

DS （ ON）

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

20

1.4

R

DS （ ON）

(m

Ω

)

1.2

16

14

1

12

0.8

10

8

0.6

-50

0

50

100

150

V

GS

(V)

T

j

，结温（

o

C)

图3.导通电阻V.S.栅极电压

图4.归一导通电阻

V.S.结温

AP60L02GS/P

60

70

50

60

50

I

D

，漏电流（ A）

40

40

30

P

D

(W)

25

50

75

100

125

150

30

20

20

10

10

0

0

0

50

100

150

T

c

，外壳温度（ C）

o

T

c

，外壳温度（ C）

o

图5.最大漏极电流V.S.

图6.典型功耗

外壳温度

1000

1

DUTY=0.5

归热响应（R

thJC

)

100

10us

0.2

0.1

0.05

I

D

(A)

100us

0.1

0.02

P

DM

10

1ms

10ms

100ms

0.01

单脉冲

t

T

T

c

=25

o

C

单脉冲

1

1

10

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

j

= P

DM

个R

thJC

+ T

C

0.01

V

DS

(V)

100

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

T，脉冲宽度（S ）

图7.最大安全工作区

图8.有效的瞬态热阻抗

AP60L02GS/P

f=1.0MHz

16

10000

14

I

D

=25A

V

DS

=12V

V

DS

=16V

V

DS

=20V

C（ pF）的

V

GS

，门源电压（ V）

12

10

8

1000

6

西塞

科斯

4

CRSS

2

0

0

10

20

30

40

50

100

1

6

11

16

21

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

V

DS

(V)

图9.栅极电荷特性

图10.典型的电容特性

100

3

10

T

j

=150

o

C

T

j

=25

o

C

V

GS （ TH）

(V)

2

I

S

(A)

1

1

0

0.1

0.1

0.3

0.5

0.7

0.9

1.1

1.3

1.5

-50

0

50

100

150

V

SD

(V)

T

j

，结温（

o

C)

图11.正向特性

反向二极管

图12.栅极阈值电压V.S.

结温

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终端采购配单精选

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电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

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联系人：李先生

地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室

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联系人：陈泽强

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电话：0755-83015506-23947236

联系人：朱先生

地址：广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室

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24+

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TO-263

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