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AP55T10GH-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
简单的驱动要求
▼
低栅极电荷
▼
快速开关特性
▼
符合RoHS &无卤
G
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
100V
16.5mΩ
56A
S
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。
在TO- 252封装，广泛首选商业，工业
表面贴装应用，并适用于低电压应用
诸如DC / DC转换器。
G
D
S
TO-252(H)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
总功耗
存储温度范围
工作结温范围
等级
100
+20
56
40
160
125
2
-55至175
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
W
℃
℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
最大热阻，结案件
最大热阻，结到环境（印刷电路板安装）
3
价值
1.2
62.5
单位
℃/W
℃/W
1
201009201
数据和规格如有变更，恕不另行通知
AP55T10GH-HF
电气特性@ T
j
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
V
GS
= 10V ，我
D
=40A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=40A
V
DS
=80V, V
GS
=0V
V
GS
= +20V, V
DS
=0V
I
D
=40A
V
DS
=80V
V
GS
=10V
V
DS
=50V
I
D
=10A
R
G
=3.3Ω
V
GS
=10V
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
分钟。
100
-
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
55
-
-
63
23
30
20
35
30
15
320
190
1
MAX 。单位
-
16.5
5
-
25
+100
100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
mΩ
V
S
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
Ω
o
3300 5280
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
测试条件
I
S
= 40A ，V
GS
=0V
I
S
= 10A ，V
GS
=0V
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
70
220
MAX 。单位
1.3
-
-
V
ns
nC
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse测试
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜焊盘
本产品是敏感的静电放电，请小心处理。
将本产品作为一个重要组成部分在生命支持或其它相似的系统是不授权。
APEC并不承担因任何产品或电路的应用或使用描述任何责任
此处;它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
APEC保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品，以提高权
可靠性，功能或设计。
2
AP55T10GH-HF
100
120
T
C
= 25 C
80
o
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
10V
9.0V
8.0V
7.0V
T
C
= 175
o
C
100
10V
9.0V
8.0V
7.0V
80
60
60
40
40
V
G
= 6.0V
V
G
= 6.0V
20
20
0
0
4
8
12
16
20
0
0
4
8
12
16
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
1.2
2.8
I
D
=1mA
2.4
1.1
I
D
=40A
V
GS
=10V
归BV
DSS
(V)
归一化
DS （ ON）
2.0
1
1.6
1.2
0.9
0.8
0.8
-50
0
50
100
150
200
0.4
-50
0
50
100
150
200
T
j
，结温（ C）
o
T
j
，结温（ C）
o
图3.归BV
DSS
V.S.连接点
温度
40
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.6
I
D
=250uA
归V
GS （ TH）
(V)
1.4
30
1.2
I
S
(A)
20
0.8
T
j
=175
o
C
T
j
=25
o
C
10
0.4
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
-50
0
50
100
150
200
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（
o
C)
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3
AP55T10GH-HF
f=1.0MHz
12
5000
I
D
= 40A
V
DS
=80V
10
V
GS
，门源电压（ V）
4000
8
C（ pF）的
C
国际空间站
3000
6
2000
4
1000
2
0
0
20
40
60
80
0
1
5
9
13
17
21
25
C
OSS
C
RSS
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
1000
1
归热响应（R
thJC
)
占空比系数= 0.5
10us
100
I
D
(A)
操作在此
面积受限
R
DS （ ON）
0.2
100us
0.1
0.1
0.05
10
1ms
10ms
P
DM
t
0.02
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
0.01
T
c
=25 C
单脉冲
1
0.1
1
10
100
o
单脉冲
100ms
DC
1000
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
10V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
4
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