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AP5521GH-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
简单的驱动要求
良好的散热性能
快速开关性能
符合RoHS &无卤
S1
G1
S2
G2
D1/D2
N型和P沟道增强
MODE POWER MOSFET
N-CH BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
P- CH BV
DSS
R
DS ( ON)
100V
150mΩ
3.1A
-100V
155mΩ
-3.2A
D2
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合,
加固装置的设计,低导通电阻和
成本效益。
TO-252-4L
I
D
D1
G1
S1
G2
S2
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
漏电流脉冲
1
总功耗
存储温度范围
工作结温范围
3
等级
N沟道
100
+20
3.1
2.5
12
3.13
-55到150
-55到150
P沟道
-100
+20
-3.2
-2.5
-12
单位
V
V
A
A
A
W
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
最大热阻,结案件
最大热阻,结到环境
3
价值
6
40
单位
℃/W
℃/W
数据和规格如有变更,恕不另行通知
1
201004222
AP5521GH-HF
N-CH电气特性@ T
j
=25
o
℃(除非另有规定)
符号
BV
DSS
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
栅源漏
总栅极电荷
2
2
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=250uA
V
GS
= 10V ,我
D
=2A
V
GS
= 5V ,我
D
=1A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ,我
D
=2A
V
DS
=80V, V
GS
=0V
V
GS
=+20V, V
DS
=0V
I
D
=2A
V
DS
=80V
V
GS
=10V
V
DS
=50V
I
D
=2A
R
G
=3.3Ω
V
GS
=10V
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
分钟。
100
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
2.8
-
-
10
2
4
6.5
7
14
3.5
420
60
40
MAX 。单位
-
150
250
3
-
10
+100
16
-
-
-
-
-
-
672
-
-
V
V
S
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
2
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
测试条件
I
S
= 2.4A ,V
GS
=0V
I
S
= 2A ,V
GS
=0V
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
40
75
MAX 。单位
1.3
-
-
V
ns
nC
反向恢复电荷
2
AP5521GH-HF
P- CH电气特性@ T
j
=25
o
℃(除非另有规定)
符号
BV
DSS
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
栅源漏
总栅极电荷
2
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=-250uA
V
GS
= -10V ,我
D
=-2A
V
GS
= -5V ,我
D
=-1A
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -10V ,我
D
=-2A
V
DS
=-80V, V
GS
=0V
V
GS
=+20V, V
DS
=0V
I
D
=-2A
V
DS
=-80V
V
GS
=-10V
V
DS
=-50V
I
D
=-2A
R
G
=3.3Ω
V
GS
=-10V
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
f=1.0MHz
分钟。
-100
-
-
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
8.5
-
-
29
3
9
9
6
49
22
110
70
MAX 。单位
-
155
250
-3
-
-10
+100
46
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
S
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
2
1400 2240
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
测试条件
I
S
= -2.4A ,V
GS
=0V
I
S
= -2A ,V
GS
=0V
dI/dt=-100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
39
73
MAX 。单位
-1.3
-
-
V
ns
nC
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
注意事项:
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse测试。
3.N - CH , P- CH是一样的,安装在2盎司FR4板吨
≦10s.
本产品是敏感的静电放电,请小心处理。
将本产品作为一个重要组成部分在生命支持或其它相似的系统是不授权。
APEC并不承担因任何产品或电路的应用或使用描述任何责任
此处;它也没有传达根据其专利权的任何执照,也没有他人的权利。
APEC保留随时更改,恕不另行通知这里的任何产品,以提高权
可靠性,功能或设计。
3
AP5521GH-HF
N沟道
20
12
T
A
= 25 C
16
o
10V
8.0V
7.0V
I
D
,漏电流( A)
T
A
= 150
o
C
10
I
D
,漏电流( A)
8
12
6.0V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
V
G
= 5.0V
6
8
4
V
G
= 5.0V
4
2
0
0
2
4
6
8
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
220
2.4
I
D
=1A
200
T
A
=25
o
C
2.0
I
D
=2A
V
G
=10V
180
归一化
DS ( ON)
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
1.6
160
1.2
140
0.8
120
100
4
5
6
7
8
9
10
0.4
-50
0
50
100
150
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
j
,结温( C)
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.6
8
6
归V
GS ( TH)
(V)
I
S
(A)
T
j
=150
o
C
4
T
j
=25
o
C
1.2
0.8
2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.4
-50
0
50
100
150
V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温( C)
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
4
AP5521GH-HF
N沟道
12
600
f=1.0MHz
V
GS
,门源电压( V)
10
I
D
=2A
V
DS
=80V
500
8
400
6
C( pF)的
C
国际空间站
300
4
200
2
100
C
OSS
C
RSS
0
0
2
4
6
8
10
12
0
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
,总栅极电荷( NC)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
占空比系数= 0.5
归热响应(R
thJA
)
10
在这一领域
限于由R
DS ( ON)
0.2
0.1
0.1
0.05
I
D
(A)
100us
1
1ms
10ms
100ms
0.1
0.02
0.01
P
DM
0.01
单脉冲
t
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
A
Rthja=75℃/W
T
A
=25
o
C
单脉冲
0.01
0.01
0.1
1
10
100
1s
DC
1000
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
,漏极至源极电压( V)
T,脉冲宽度(S )
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
10V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
5
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数量
封装
单价/备注
操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AP5521GH-HF
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3065848471 复制 点击这里给我发消息 QQ:1391615788 复制 点击这里给我发消息 QQ:2319599090 复制
电话:0755-23945755 83248872
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
AP5521GH-HF
富鼎
22+
49600
TO252
原装正品,公司现货库存假一罚十,电话:0755-23945755 QQ:3065848471
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
AP5521GH-HF
APEC/富鼎
2443+
23000
TO-252-4
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:280773285 复制 点击这里给我发消息 QQ:2748708193 复制
电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
AP5521GH-HF
APEC
24+
25000
TO-252-4
全新进口原装现货!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制

电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
AP5521GH-HF
APEC/富鼎
24+
21000
TO-252-4
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
QQ: 点击这里给我发消息

电话:18926544209/18025435189
联系人:夏小姐/朱先生
地址:深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
AP5521GH-HF
APEC/富鼎
24+
32000
TO-252-4
百分百原装现货,价格优势,欢迎查询!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ:1298863740 复制

电话:0755-82561519 0755-82567969 18928435545
联系人:李
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
AP5521GH-HF
富鼎
2418+
39482
TO-252-4L
全新大量库存!样品可出!实单可谈!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
AP5521GH-HF
APEC/富鼎
21+
32500
TO-252-4
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:729272152 复制 点击这里给我发消息 QQ:1484215649 复制

电话:021-51872165/51872561
联系人:陈小姐 付先生
地址:上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
AP5521GH-HF
APEC/富鼎
20+
26000
TO-252
全新原装 货期两周
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
AP5521GH-HF
APEC/富鼎
21+
45612
TO-252
全新原装正品/质量有保证
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