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AP4955M

先进的电源

电子股份有限公司

▼

简单的驱动要求

D2

D2

D1

D1

P沟道增强模式

功率MOSFET

BV

DSS

R

DS （ ON）

G2

S2

S1

G1

-20V

45mΩ

-5.6A

▼

低栅电荷

▼

快速开关特性

I

D

描述

从里边反APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，较低的导通电阻和

成本效益。

D1

D2

G1

S1

G2

S2

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@T

A

=25℃

I

D

@T

A

=70℃

I

DM

P

D

@T

A

=25℃

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

3

连续漏电流

3

漏电流脉冲

1

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

等级

-20

±20

-5.6

-4.5

20

2

0.016

-55到150

-55到150

单位

V

V

A

A

A

W

W/℃

℃

℃

热数据

符号

Rthj -A

参数

热阻结到环境

3

马克斯。

价值

62.5

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

200303041

AP4955M

电气特性@ T

j

=25

o

℃（除非另有规定）

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

j

R

DS （ ON）

参数

漏源击穿电压

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=-250uA

分钟。

-20

-

-

-

-0.5

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

-0.01

MAX 。单位

-

-

45

65

-1.2

-

-1

-25

±100

30

-

-

-

-

-

-

-

-

V

V/℃

mΩ

mΩ

V

S

uA

uA

nA

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

pF

pF

pF

击穿电压温度系数

参考25 ℃ ，我

D

=-1mA

静态漏源导通电阻

2

V

GS

= -4.5V ，我

D

=-5A

V

GS

= -2.5V ，我

D

=-4A

-

-

-

9

-

-

-

19

3

6

9

10

52

24

270

230

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流（T

j

=25

o

C)

漏极 - 源极漏电流（T

j

=70

o

C)

V

DS

=V

GS

, I

D

=-250uA

V

DS

= -5V ，我

D

=-5A

V

DS

=-20V, V

GS

=0V

V

DS

=-16V, V

GS

=0V

V

GS

=±20V

I

D

=-5A

V

DS

=-16V

V

GS

=-4.5V

V

DS

=-10V

I

D

=-1A

R

G

=3.3Ω,V

GS

=-10V

R

D

=10Ω

V

GS

=0V

V

DS

=-20V

f=1.0MHz

栅源漏

总栅极电荷

2

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

2

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

1400 2240

源极 - 漏极二极管

符号

V

SD

参数

正向电压上

2

反向恢复时间

2

反向恢复电荷

测试条件

I

S

= -1.6A ，V

GS

=0V

I

S

=-5A,

V

GS

=0

V

,

dI/dt=100A/s

分钟。

-

-

-

典型值。

-

32

22

MAX 。单位

-1.2

-

-

V

ns

nC

t

rr

Q

rr

注意事项：

1.Pulse宽度有限的最大。结温。

2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％。

3.表面安装1

2

FR4电路板的铜垫; 135

℃/W

安装在最小的时候。铜垫。

AP4955M

70

60

60

T

A

= 25

o

C

-5.0V

50

T

A

= 150

o

C

-I

D

，漏电流（ A）

-5.0V

-4.5V

-I

D

，漏电流（ A）

-4.5V

50

40

40

30

30

-3.0V

-2.5V

-3.0V

20

20

-2.5V

10

10

V

G

=- 2.0 V

0

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

0

V

G

=- 2.0 V

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

55

1.6

50

I

D

= -4 A

归一化

DS （ ON）

T

A

=25

o

C

1.4

I

D

=-5A

V

G

=-10V

R

DS （ ON）

(m

Ω

)

45

1.2

40

1.0

35

0.8

30

2

3

4

5

6

0.6

-50

0

50

100

150

-V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

j

，结温（

o

C)

图3.导通电阻V.S.栅极电压

图4.归一导通电阻

V.S.结温

2.0

5

4

1.5

-I

S

(A)

T

j

=150

o

C

2

T

j

=25

o

C

-V

GS （ TH）

(V)

3

1.0

0.5

1

0

0.0

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

1.4

-50

0

50

100

150

-V

SD

，源极到漏极电压（V ）

T

j

，结温（ C）

o

图5.正向特性

反向二极管

图6.栅极阈值电压V.S.

结温

AP4955M

f=1.0MHz

14

10000

-V

GS

，门源电压（ V）

12

I

D

=-5A

V

DS

=-16V

10

C（ pF）的

8

C

国际空间站

1000

6

4

2

C

OSS

C

RSS

0

0

10

20

30

40

50

100

1

5

9

13

17

21

25

29

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.典型的电容特性

100

1

归热响应（R

thJA

)

占空比系数= 0.5

0.2

10

1ms

0.1

0.1

0.05

-I

D

(A)

10ms

1

0.02

0.01

100ms

1s

0.1

P

DM

0.01

单脉冲

t

T

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

j

= P

DM

个R

thJA

+ T

a

R

thJA

= 135℃ / W

o

T

A

=25

o

C

单脉冲

DC

0.01

0.1

1

10

100

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

T，脉冲宽度（S ）

图9.最高安全工作区

图10.有效的瞬态热阻抗

V

DS

90%

V

G

Q

G

-4.5V

Q

GS

Q

GD

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

收费

Q

图11.开关时间波形

图12.栅极电荷波形

AP4955M

先进的电源

电子股份有限公司

▼

简单的驱动要求

D2

D2

D1

D1

P沟道增强模式

功率MOSFET

BV

DSS

R

DS （ ON）

G2

S2

S1

G1

-20V

45mΩ

-5.6A

▼

低栅电荷

▼

快速开关特性

I

D

描述

从里边反APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，较低的导通电阻和

成本效益。

D1

D2

G1

S1

G2

S2

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@T

A

=25℃

I

D

@T

A

=70℃

I

DM

P

D

@T

A

=25℃

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

3

连续漏电流

3

漏电流脉冲

1

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

等级

-20

±20

-5.6

-4.5

20

2

0.016

-55到150

-55到150

单位

V

V

A

A

A

W

W/℃

℃

℃

热数据

符号

Rthj -A

参数

热阻结到环境

3

马克斯。

价值

62.5

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

200303041

AP4955M

电气特性@ T

j

=25

o

℃（除非另有规定）

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

j

R

DS （ ON）

参数

漏源击穿电压

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=-250uA

分钟。

-20

-

-

-

-0.5

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

-0.01

MAX 。单位

-

-

45

65

-1.2

-

-1

-25

±100

30

-

-

-

-

-

-

-

-

V

V/℃

mΩ

mΩ

V

S

uA

uA

nA

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

pF

pF

pF

击穿电压温度系数

参考25 ℃ ，我

D

=-1mA

静态漏源导通电阻

2

V

GS

= -4.5V ，我

D

=-5A

V

GS

= -2.5V ，我

D

=-4A

-

-

-

9

-

-

-

19

3

6

9

10

52

24

270

230

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流（T

j

=25

o

C)

漏极 - 源极漏电流（T

j

=70

o

C)

V

DS

=V

GS

, I

D

=-250uA

V

DS

= -5V ，我

D

=-5A

V

DS

=-20V, V

GS

=0V

V

DS

=-16V, V

GS

=0V

V

GS

=±20V

I

D

=-5A

V

DS

=-16V

V

GS

=-4.5V

V

DS

=-10V

I

D

=-1A

R

G

=3.3Ω,V

GS

=-10V

R

D

=10Ω

V

GS

=0V

V

DS

=-20V

f=1.0MHz

栅源漏

总栅极电荷

2

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

2

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

1400 2240

源极 - 漏极二极管

符号

V

SD

参数

正向电压上

2

反向恢复时间

2

反向恢复电荷

测试条件

I

S

= -1.6A ，V

GS

=0V

I

S

=-5A,

V

GS

=0

V

,

dI/dt=100A/s

分钟。

-

-

-

典型值。

-

32

22

MAX 。单位

-1.2

-

-

V

ns

nC

t

rr

Q

rr

注意事项：

1.Pulse宽度有限的最大。结温。

2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％。

3.表面安装1

2

FR4电路板的铜垫; 135

℃/W

安装在最小的时候。铜垫。

AP4955M

70

60

60

T

A

= 25

o

C

-5.0V

50

T

A

= 150

o

C

-I

D

，漏电流（ A）

-5.0V

-4.5V

-I

D

，漏电流（ A）

-4.5V

50

40

40

30

30

-3.0V

-2.5V

-3.0V

20

20

-2.5V

10

10

V

G

=- 2.0 V

0

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

0

V

G

=- 2.0 V

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

55

1.6

50

I

D

= -4 A

归一化

DS （ ON）

T

A

=25

o

C

1.4

I

D

=-5A

V

G

=-10V

R

DS （ ON）

(m

Ω

)

45

1.2

40

1.0

35

0.8

30

2

3

4

5

6

0.6

-50

0

50

100

150

-V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

j

，结温（

o

C)

图3.导通电阻V.S.栅极电压

图4.归一导通电阻

V.S.结温

2.0

5

4

1.5

-I

S

(A)

T

j

=150

o

C

2

T

j

=25

o

C

-V

GS （ TH）

(V)

3

1.0

0.5

1

0

0.0

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

1.4

-50

0

50

100

150

-V

SD

，源极到漏极电压（V ）

T

j

，结温（ C）

o

图5.正向特性

反向二极管

图6.栅极阈值电压V.S.

结温

AP4955M

f=1.0MHz

14

10000

-V

GS

，门源电压（ V）

12

I

D

=-5A

V

DS

=-16V

10

C（ pF）的

8

C

国际空间站

1000

6

4

2

C

OSS

C

RSS

0

0

10

20

30

40

50

100

1

5

9

13

17

21

25

29

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.典型的电容特性

100

1

归热响应（R

thJA

)

占空比系数= 0.5

0.2

10

1ms

0.1

0.1

0.05

-I

D

(A)

10ms

1

0.02

0.01

100ms

1s

0.1

P

DM

0.01

单脉冲

t

T

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

j

= P

DM

个R

thJA

+ T

a

R

thJA

= 135℃ / W

o

T

A

=25

o

C

单脉冲

DC

0.01

0.1

1

10

100

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

T，脉冲宽度（S ）

图9.最高安全工作区

图10.有效的瞬态热阻抗

V

DS

90%

V

G

Q

G

-4.5V

Q

GS

Q

GD

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

收费

Q

图11.开关时间波形

图12.栅极电荷波形

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联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

AP4955M

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深圳市壹芯创科技有限公司

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电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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-

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联系人：朱先生

地址：深圳市福田区振兴路华康大厦二栋5楼518

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APEC

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SOP-8

进口全新原装现货

深圳市创芯联盈电子有限公司

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联系人：陈泽强

地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318

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23000

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一级代理专营，原装现货，价格优势

深圳市华斯顿电子科技有限公司

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联系人：朱咸华

地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜

AP4955M

VB

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35500

SOP-8

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深圳市金芯阳科技有限公司

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电话：075584505750

联系人：刘生

地址：龙岗区横岗街道华侨新村社区荣德时代广场A2301

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联系人：朱先生

地址：广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室

AP4955M

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