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AP4936M
先进的电源
电子股份有限公司
▼
低栅电荷
▼
简单的驱动要求
D1
D2
D1
D2
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
G2
S2
25V
37mΩ
5.8A
▼
快速开关
SO-8
G1
S1
描述
D1
D2
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，超低导通电阻和
成本效益。
G1
S1
G2
S2
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
25
±
20
5.8
4.6
30
2
0.016
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj - AMB
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
价值
62.5
单位
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
20020305
AP4936M
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
25
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.03
-
-
-
6.5
-
-
-
6.9
1.2
4.5
6
17.5
14.5
5.5
218
155
63
MAX 。单位
-
-
37
60
3
-
1
25
±100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
GS
= 10V ，我
D
=5A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=3.5A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=5A
V
DS
=25V, V
GS
=0V
V
DS
=20V ,V
GS
=0V
V
GS
=
±
20V
I
D
=5A
V
DS
=16V
V
GS
=5V
V
DS
=16V
I
D
=5A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=3.2Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=70
o
C)
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
V
SD
参数
连续源电流（体二极管）
测试条件
V
D
=V
G
=0V , V
S
=1.2V
T
j
=25℃, I
S
= 1.7A ，V
GS
=0V
分钟。
-
-
典型值。
-
-
MAX 。单位
1.67
1.2
A
V
正向电压上
2
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫;安装在分当135 ℃ / W 。铜垫。
AP4936M
30
25
T
C
=25
o
C
25
10V
8.0V
6.0V
I
D
，漏电流（ A）
T
C
=150
o
C
20
10V
8.0V
6.0V
5.0V
I
D
，漏电流（ A）
20
5.0V
15
15
10
10
V
GS
=4.0V
5
5
V
GS
=4.0V
0
0
1
2
3
4
5
6
0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
60
1.8
55
I
D
=5.0A
T
C
=25
℃
1.6
I
D
=5A
V
GS
=10V
50
45
归一化
DS （ ON）
3
4
5
6
7
8
9
10
11
1.4
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
40
1.2
35
1
30
0.8
25
20
0.6
-50
0
50
100
150
V
GS
(V)
T
j
，结温（
o
C)
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
AP4936M
7
2.5
6
2
5
I
D
，漏电流（ A）
1.5
4
3
P
D
(W)
1
0.5
0
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
2
1
0
T
c
，外壳温度（ C）
o
T
c
，外壳温度（ C）
o
图5.最大漏极电流V.S.
图6.典型功耗
外壳温度
100
1
占空比= 0.5
归热响应（R
thJA
)
10
0.2
1ms
10ms
I
D
(A)
1
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
100ms
1s
0.1
P
DM
0.01
单脉冲
t
T
T
C
=25
o
C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
10s
DC
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
R
thJA
=135
o
C / W
0.001
0.0001
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
(V)
T，脉冲宽度（S ）
图7.最大安全工作区
图8.有效的瞬态热阻抗
AP4936M
16
f=1.0MHz
1000
14
I
D
=5A
V
DS
=16V
V
GS
，门源电压（ V）
12
西塞
10
科斯
8
C（ pF）的
100
CRSS
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
(V)
图9.栅极电荷特性
图10.典型的电容特性
100
3
10
2
I
S
(A)
Tj=150
o
C
Tj=25
o
C
V
GS （ TH）
(V)
1
0
1.3
1.5
-50
1
0.1
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
0
50
100
150
V
SD
(V)
T
j
，结温（ C）
o
图11.正向特性
反向二极管
图12.栅极阈值电压V.S.
结温
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