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AP4920GM
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
简单的驱动要求
▼
低导通电阻
▼
快速开关
D1
G2
S2
D2
D1
D2
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
25V
25mΩ
7A
SO-8
S1
G1
描述
D1
D2
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本
有效性。
在SO -8封装的普遍首选的所有commercial-
工业表面贴装应用，并适用于低电压
应用，如DC / DC转换器。
G1
S1
G2
S2
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
3
等级
25
±
20
7
5.7
20
2
0.016
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
连续漏电流
3
热数据
符号
Rthj - AMB
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
价值
62.5
单位
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200305021
AP4920GM
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。典型值。马克斯。单位
25
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.037
-
-
25
35
3
-
1
25
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
=7A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5.2A
-
-
-
14
-
-
-
10.5
1.9
7.5
8
9.5
25
13.5
395
260
105
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=70
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=7A
V
DS
=25V, V
GS
=0V
V
DS
=20V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V
I
D
=7A
V
DS
=15V
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V
I
D
=1A
R
G
=6Ω,V
GS
=10V
R
D
=15Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
±100
nA
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
V
SD
参数
连续源电流（体二极管）
测试条件
V
D
=V
G
=0V , V
S
=1.2V
T
j
=25℃, I
S
= 2.1A ，V
GS
=0V
分钟。典型值。马克斯。单位
-
-
-
-
1.67
1.2
A
V
正向电压上
2
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫;安装在分当135 ℃ / W 。铜垫。
AP4920GM
20
20
15
10V
8.0V
6.0V
5.0V
V
GS
= 4 .0V
I
D
，漏电流（ A）
15
10V
8.0V
6.0V
5.0V
V
GS
= 4 .0V
I
D
，漏电流（ A）
10
10
5
5
T
C
=25
o
C
0
0
1
2
3
4
5
6
7
0
0
1
2
3
4
5
T
C
=150
o
C
6
7
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
50
1.8
I
D
=7A
T
C
=25
℃
40
1.6
I
D
=7A
V
GS
=10V
30
归一化
DS （ ON）
3
4
5
6
7
8
9
10
11
1.4
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
1.2
1.0
20
0.8
10
0.6
-50
0
50
V
GS
(V)
T
j
，结温（ C）
100
o
150
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
AP4920GM
8
3
7
6
2
5
I
D
，漏电流（ A）
4
3
1
2
1
P
D
(W)
0
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
0
T
c
，外壳温度（
o
C)
T
c
，外壳温度（
o
C)
图5.最大漏极电流V.S.
图6.典型功耗
外壳温度
100
1
占空比= 0.5
归热响应（R
thJA
)
0.2
10
1ms
10ms
I
D
(A)
1
0.1
0.1
0.05
0.02
100ms
1s
0.01
P
DM
0.01
t
T
单脉冲
0.1
10s
T
C
=25
o
C
单脉冲
DC
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
R
thJA
=135
o
C / W
0.01
0.1
1
10
100
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
(V)
T，脉冲宽度（S ）
图7.最大安全工作区
图8.有效的瞬态热阻抗
AP4920GM
12
10000
f=1.0MHz
10
I
D
=7A
V
DS
=15V
V
GS
，门源电压（ V）
8
1000
6
C（ pF）的
西塞
科斯
100
4
CRSS
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
(V)
图9.栅极电荷特性
图10.典型的电容特性
100.00
3
2.5
10.00
2
1.00
V
GS （ TH）
(V)
T
j
=150
o
C
I
S
(A)
T
j
=25
o
C
1.5
1
0.10
0.5
0.01
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
0
-50
0
50
100
150
V
SD
(V)
T
j
，结温（
o
C)
图11.正向特性
反向二极管
图12.栅极阈值电压V.S.
结温
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