【AP4800M先进的电源电子股份有限公司▼低导通电阻▼快速开关▼简单的驱动要求DDDDN沟道增强模式】,IC型号AP4800M,AP4800M PDF资料,AP4800M经销商,ic,电子元器件-51电子网

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AP4800M

先进的电源

电子股份有限公司

▼

低导通电阻

▼

快速开关

▼

简单的驱动要求

D

D

D

D

N沟道增强模式

功率MOSFET

BV

DSS

R

DS （ ON）

G

25V

18mΩ

9A

I

D

SO-8

S

S

S

描述

D

D

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。

G

G

在SO -8封装的普遍首选的所有commercial-

工业表面贴装应用，并适用于低电压

应用，如DC / DC转换器。

S

S

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@T

A

=25℃

I

D

@T

A

=70℃

I

DM

P

D

@T

A

=25℃

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

3

连续漏电流

漏电流脉冲

1

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

3

等级

25

±

20

9

7

40

2.5

0.02

-55到150

-55到150

单位

V

V

A

A

A

W

W/℃

℃

℃

热数据

符号

Rthj - AMB

参数

热阻结到环境

3

马克斯。

价值

50

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

20020430

AP4800M

电气特性@ T

j

=25

o

℃（除非另有规定）

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

j

参数

漏源击穿电压

击穿电压温度系数

2

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=250uA

参考25 ℃ ，我

D

=1mA

V

GS

= 10V ，我

D

=9A

V

GS

= 4.5V ，我

D

=7A

V

DS

=V

GS

, I

D

=250uA

V

DS

= 15V ，我

D

=10A

V

DS

=25V, V

GS

=0V

V

DS

=20V, V

GS

=0V

V

GS

=

±

20V

I

D

=9A

V

DS

=15V

V

GS

=5V

V

DS

=15V

I

D

=1A

R

G

=6.2Ω,V

GS

=10V

R

D

=15Ω

V

GS

=0V

V

DS

=25V

f=1.0MHz

分钟。

25

-

-

-

1

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

0.037

MAX 。单位

-

-

18

33

3

-

1

25

V

V/℃

mΩ

mΩ

V

S

uA

uA

nA

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

pF

pF

pF

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

静态漏源导通电阻

-

-

-

20

-

-

-

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流（T

o

C)

j

=25

漏极 - 源极漏电流（T

o

C)

j

=70

栅源漏

总栅极电荷

2

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

2

±100

10.9

-

1.9

7.4

7

10.5

20

17.5

390

245

100

-

-

-

-

-

-

-

-

-

源极 - 漏极二极管

符号

I

S

V

SD

参数

连续源电流（体二极管）

测试条件

V

D

=V

G

=0V , V

S

=1.3V

T

j

=25℃, I

S

= 2.3A ，V

GS

=0V

分钟。

-

-

典型值。

-

-

MAX 。单位

1.92

1.3

A

V

正向电压上

2

注意事项：

1.Pulse宽度有限的最大。结温。

2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％。

3.表面安装1

2

FR4电路板的铜垫; 125

℃/W

安装在最小的时候。铜垫。

AP4800M

40

40

10V

8.0V

6.0V

30

30

10V

8.0V

6.0V

I

D

，漏电流（ A）

I

D

，漏电流（ A）

20

20

V

GS

=4.0V

V

GS

=4.0V

10

10

T

C

=25 C

0

0

1

2

3

4

5

6

0

0

1

2

3

4

o

T

C

=150

o

C

5

6

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

34

1.8

30

I

D

=9A

T

C

=25

℃

I

D

=9A

1.6

V

GS

=10V

26

22

归一化

DS （ ON）

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

1.4

R

DS （ ON）

(m

Ω

)

1.2

18

1

14

0.8

10

V

GS

(V)

0.6

-50

0

50

100

150

T

j

，结温（ C）

o

图3.导通电阻V.S.栅极电压

图4.归一导通电阻

V.S.结温

AP4800M

10

3

9

2.5

8

7

I

D

，漏电流（ A）

2

6

5

P

D

(W)

1.5

4

1

3

2

0.5

1

0

25

50

75

100

125

150

0

0

50

100

150

T

c

，外壳温度（ C）

o

T

c ,

外壳温度（ C）

o

图5.最大漏极电流V.S.

图6.典型功耗

外壳温度

100

1

占空比= 0.5

100us

归热响应（R

thJA

)

10

0.2

1ms

I

D

(A)

10ms

1

0.1

0.1

0.05

0.02

100ms

1s

0.1

0.01

P

DM

0.01

单脉冲

t

T

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

j

= P

DM

个R

thJA

+ T

a

R

thJA =

125

o

C / W

10s

T

C

=25

o

C

单脉冲

0.01

0.1

1

10

100

DC

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

V

DS

(V)

T，脉冲宽度（S ）

图7.最大安全工作区

图8.有效的瞬态热阻抗

AP4800M

f=1.0MHz

16

10000

14

I

D

=9A

V

DS

=15V

V

GS

，门源电压（ V）

12

1000

10

8

C（ pF）的

西塞

科斯

100

6

CRSS

4

2

0

0

5

10

15

20

25

30

10

1

6

11

16

21

26

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

V

DS

(V)

图9.栅极电荷特性

图10.典型的电容特性

100

3

10

2

I

S

(A)

T

j

=150

o

C

T

j

=25

o

C

V

GS （ TH）

(V)

1

0

-50

1

0.1

0.1

0.3

0.5

0.7

0.9

1.1

1.3

1.5

0

50

100

150

V

SD

(V)

T

j

，结温（

o

C)

图11.正向特性

反向二极管

图12.栅极阈值电压V.S.

结温

AP4800M

先进的电源

电子股份有限公司

▼

低导通电阻

▼

快速开关

▼

简单的驱动要求

D

D

D

D

N沟道增强模式

功率MOSFET

BV

DSS

R

DS （ ON）

G

25V

18mΩ

9A

I

D

SO-8

S

S

S

描述

D

D

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。

G

G

在SO -8封装的普遍首选的所有commercial-

工业表面贴装应用，并适用于低电压

应用，如DC / DC转换器。

S

S

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@T

A

=25℃

I

D

@T

A

=70℃

I

DM

P

D

@T

A

=25℃

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

3

连续漏电流

漏电流脉冲

1

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

3

等级

25

±

20

9

7

40

2.5

0.02

-55到150

-55到150

单位

V

V

A

A

A

W

W/℃

℃

℃

热数据

符号

Rthj - AMB

参数

热阻结到环境

3

马克斯。

价值

50

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

20020430

AP4800M

电气特性@ T

j

=25

o

℃（除非另有规定）

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

j

参数

漏源击穿电压

击穿电压温度系数

2

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=250uA

参考25 ℃ ，我

D

=1mA

V

GS

= 10V ，我

D

=9A

V

GS

= 4.5V ，我

D

=7A

V

DS

=V

GS

, I

D

=250uA

V

DS

= 15V ，我

D

=10A

V

DS

=25V, V

GS

=0V

V

DS

=20V, V

GS

=0V

V

GS

=

±

20V

I

D

=9A

V

DS

=15V

V

GS

=5V

V

DS

=15V

I

D

=1A

R

G

=6.2Ω,V

GS

=10V

R

D

=15Ω

V

GS

=0V

V

DS

=25V

f=1.0MHz

分钟。

25

-

-

-

1

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

0.037

MAX 。单位

-

-

18

33

3

-

1

25

V

V/℃

mΩ

mΩ

V

S

uA

uA

nA

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

pF

pF

pF

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

静态漏源导通电阻

-

-

-

20

-

-

-

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流（T

o

C)

j

=25

漏极 - 源极漏电流（T

o

C)

j

=70

栅源漏

总栅极电荷

2

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

2

±100

10.9

-

1.9

7.4

7

10.5

20

17.5

390

245

100

-

-

-

-

-

-

-

-

-

源极 - 漏极二极管

符号

I

S

V

SD

参数

连续源电流（体二极管）

测试条件

V

D

=V

G

=0V , V

S

=1.3V

T

j

=25℃, I

S

= 2.3A ，V

GS

=0V

分钟。

-

-

典型值。

-

-

MAX 。单位

1.92

1.3

A

V

正向电压上

2

注意事项：

1.Pulse宽度有限的最大。结温。

2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％。

3.表面安装1

2

FR4电路板的铜垫; 125

℃/W

安装在最小的时候。铜垫。

AP4800M

40

40

10V

8.0V

6.0V

30

30

10V

8.0V

6.0V

I

D

，漏电流（ A）

I

D

，漏电流（ A）

20

20

V

GS

=4.0V

V

GS

=4.0V

10

10

T

C

=25 C

0

0

1

2

3

4

5

6

0

0

1

2

3

4

o

T

C

=150

o

C

5

6

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

34

1.8

30

I

D

=9A

T

C

=25

℃

I

D

=9A

1.6

V

GS

=10V

26

22

归一化

DS （ ON）

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

1.4

R

DS （ ON）

(m

Ω

)

1.2

18

1

14

0.8

10

V

GS

(V)

0.6

-50

0

50

100

150

T

j

，结温（ C）

o

图3.导通电阻V.S.栅极电压

图4.归一导通电阻

V.S.结温

AP4800M

10

3

9

2.5

8

7

I

D

，漏电流（ A）

2

6

5

P

D

(W)

1.5

4

1

3

2

0.5

1

0

25

50

75

100

125

150

0

0

50

100

150

T

c

，外壳温度（ C）

o

T

c ,

外壳温度（ C）

o

图5.最大漏极电流V.S.

图6.典型功耗

外壳温度

100

1

占空比= 0.5

100us

归热响应（R

thJA

)

10

0.2

1ms

I

D

(A)

10ms

1

0.1

0.1

0.05

0.02

100ms

1s

0.1

0.01

P

DM

0.01

单脉冲

t

T

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

j

= P

DM

个R

thJA

+ T

a

R

thJA =

125

o

C / W

10s

T

C

=25

o

C

单脉冲

0.01

0.1

1

10

100

DC

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

V

DS

(V)

T，脉冲宽度（S ）

图7.最大安全工作区

图8.有效的瞬态热阻抗

AP4800M

f=1.0MHz

16

10000

14

I

D

=9A

V

DS

=15V

V

GS

，门源电压（ V）

12

1000

10

8

C（ pF）的

西塞

科斯

100

6

CRSS

4

2

0

0

5

10

15

20

25

30

10

1

6

11

16

21

26

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

V

DS

(V)

图9.栅极电荷特性

图10.典型的电容特性

100

3

10

2

I

S

(A)

T

j

=150

o

C

T

j

=25

o

C

V

GS （ TH）

(V)

1

0

-50

1

0.1

0.1

0.3

0.5

0.7

0.9

1.1

1.3

1.5

0

50

100

150

V

SD

(V)

T

j

，结温（

o

C)

图11.正向特性

反向二极管

图12.栅极阈值电压V.S.

结温

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