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AP4532GM
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
简单的驱动要求
▼
低导通电阻
D1
D2
D1
D2
N型和P沟道增强
MODE POWER MOSFET
N-CH BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
S2
G1
G2
30V
50mΩ
5A
-30V
70mΩ
-4A
▼
快速开关特性
SO-8
S1
P- CH BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供设计师
快速切换的最佳组合，坚固耐用的设备的设计，
低导通电阻和成本效益。
D1
D2
在SO -8封装，广泛首选的所有商业，工业
表面贴装应用，并适用于低电压应用
诸如DC / DC转换器。
G1
S1
G2
S2
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
30
+20
5
4
20
2
0.016
-55到150
-55到150
等级
N沟道
P沟道
-30
+20
-4
-3.2
-20
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
单位
热数据
符号
Rthj - AMB
参数
最大热阻，结到环境
3
价值
62.5
单位
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
1
201201302
AP4532GM
N-CH电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。典型值。马克斯。单位
30
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.037
-
-
50
70
3
-
1
25
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
=5A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=4.2A
-
-
-
8
-
-
-
10.2
1.2
3.4
6
9
15
5.5
240
145
55
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=5A
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
GS
=+20V, V
DS
=0V
I
D
=5A
V
DS
=10V
V
GS
=10V
V
DS
=10V
I
D
=1A
R
G
=6Ω,V
GS
=10V
R
D
=10Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
漏极 - 源极漏电流（T
j
=70
o
C)
V
DS
=24V, V
GS
=0V
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
100 nA的
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
V
SD
参数
连续源电流（体二极管）
测试条件
V
D
=V
G
=0V , V
S
=1.2V
T
j
=25℃, I
S
= 1.7A ，V
GS
=0V
分钟。典型值。马克斯。单位
-
-
-
-
1.7
1.2
A
V
正向电压上
2
2
AP4532GM
P- CH电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
参考25 ℃ ，我
D
=-1mA
V
GS
= -10V ，我
D
=-4A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-3A
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -10V ，我
D
=-4A
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
V
GS
=+20V, V
DS
=0V
I
D
=-4A
V
DS
=-10V
V
GS
=-10V
V
DS
=-10V
I
D
=-1A
R
G
=6Ω,V
GS
=-10V
R
D
=10Ω
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
f=1.0MHz
2
分钟。典型值。马克斯。单位
-30
-
-
-
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-0.028
-
-
70
90
-3
-
-1
-25
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏源导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
-
-
-
5
-
-
-
18.3
3.6
1.5
8
9
21
10
760
345
90
漏极 - 源极漏电流（T
j
=70
o
C)
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
+100
nA
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
V
SD
参数
连续源电流（体二极管）
测试条件
V
D
=V
G
=0V , V
S
=-1.2V
T
j
=25℃, I
S
= -1.7A ，V
GS
=0V
分钟。典型值。马克斯。单位
-
-
-
-
-1.7
-1.2
A
V
正向电压上
2
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
2
3.表面装在1 FR4电路板的铜垫，T <10sec ; 135
℃/W
安装在最小的时候。铜垫。
本产品是敏感的静电放电，请小心处理。
将本产品作为一个重要组成部分在生命支持或其它相似的系统是不授权。
APEC并不承担因任何产品或电路的应用或使用描述任何责任
此处;它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
APEC保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品，以提高权
可靠性，功能或设计。
3
AP4532GM
N沟道
70
50
T
A
=25 C
60
o
T
A
=150
o
C
10V
10V
40
50
8.0V
I
D
，漏电流（ A）
30
8.0V
I
D
，漏电流（ A）
40
6.0V
6.0V
20
30
20
4.0V
10
4.0V
10
V
GS
=3.0V
V
GS
=3.0V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
0
1
2
3
4
5
6
7
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
85
1.8
75
I
D
=5A
T
A
=25
℃
1.6
I
D
=5A
V
GS
=10
V
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
65
归一化
DS （ ON）
2
4
6
8
10
1.4
1.2
55
1.0
45
0.8
35
0.6
-50
0
50
100
150
V
GS
(V)
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
4
AP4532GM
N沟道
3
6
5
I
D
，漏电流（ A）
4
2
3
P
D
(W)
1
0
0
2
1
0
25
50
75
100
125
150
50
100
150
T
A
，环境温度（
o
C)
T
A
，环境温度（
o
C)
图5.最大漏极电流V.S.
图6.典型功耗
外壳温度
100
1
占空比= 0.5
归热响应（R
thJA
)
0.2
10
1ms
10ms
1
0.1
0.1
0.05
I
D
(A)
0.02
100ms
1s
0.1
0.01
P
DM
0.01
单脉冲
t
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
R
thJA
=135
o
C / W
T
A
=25
o
C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
10s
DC
0.001
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
(V)
T，脉冲宽度（S ）
图7.最大安全工作区
图8.有效的瞬态热阻抗
5
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推荐型号
AZ852S1-3
AD4016M42VLB-5
AO4702
ALDM75G
APL431AEI-TB
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ASPI-0403S-470M
AM1D-1209D-NZ
AD9250BCPZ-170
AP1302Q-SL
AM29C517PC
AM27X040-120PI
AM29LV400BB120FCB
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AD2C111
AME8550AEETB250
AD7574TQ
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    联系人：杨小姐
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    AP4532GM
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AP4532GM
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电话：0755-83244680/82865294
联系人：吴小姐
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电话：0755-83222787/23999932
联系人：林小姐 胡先生 张先生
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