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AP4528GM
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
简单的驱动要求
▼
快速开关性能
▼
低栅极电荷
D1
D2
D1
D2
N型和P沟道增强
MODE POWER MOSFET
N-CH BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
G2
S2
G1
40V
36mΩ
5.8A
-40V
60mΩ
-4.5A
P- CH BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
SO-8
S1
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师
与快速切换的最佳组合，
坚固耐用的设备
设计，
低导通电阻和成本效益。
D1
D2
在SO -8封装的普遍首选的所有commercial-
工业表面贴装应用，并适用于低电压
应用，如DC / DC转换器。
G1
S1
G2
S2
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
3
等级
N沟道
40
±20
5.8
4.6
20
2
0.016
-55到150
-55到150
P沟道
-40
±20
-4.5
-3.6
-20
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
价值
马克斯。
62.5
单位
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200914071-1/7
AP4528GM
N-CH电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=10mA
V
GS
= 10V ，我
D
=5A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=3A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=70
o
C)
分钟。
40
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
5
-
-
-
7
1.2
3.4
4
9
18
4
380
70
55
MAX 。单位
-
36
52
3
-
1
25
±100
12
-
-
-
-
-
-
610
-
-
V
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 5V ，我
D
=5A
V
DS
=40V, V
GS
=0V
V
DS
=32V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V
I
D
=5A
V
DS
=30V
V
GS
=4.5V
V
DS
=20V
I
D
=1A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=20Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
测试条件
I
S
= 1.5A ，V
GS
=0V
I
S
= 5A ，V
GS
=0V
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
19
13
MAX 。单位
1.3
-
-
V
ns
nC
反向恢复时间
反向恢复电荷
2/7
AP4528GM
P- CH电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=70
o
C)
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-10mA
V
GS
= -10V ，我
D
=-4A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-3A
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -5V ，我
D
=-4A
V
DS
=-40V, V
GS
=0V
V
DS
=-32V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V
I
D
=-4A
V
DS
=-30V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-20V
I
D
=-1A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=-10V
R
D
=20Ω
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
f=1.0MHz
分钟。
-40
-
-
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
4
-
-
-
8
2
4.7
9.5
6.4
24
8.5
530
110
75
MAX 。单位
-
60
98
-3
-
-1
-25
±100
14
-
-
-
-
-
-
850
-
-
V
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= -1.5A ，V
GS
=0V
I
S
= -4A ，V
GS
=0V
dI/dt=-100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
22
17
MAX 。单位
-1.3
-
-
V
ns
nC
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse测试
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫，T <10sec ;安装在分当135 ℃ / W 。铜垫。
本产品对静电敏感的，请小心处理。
本产品已合格的消费市场。应用或使用AS严格标准组件生命支持
设备或系统都没有授权。
3/7
AP4528GM
N沟道
20
20
T
A
=25 C
o
15
I
D
，漏电流（ A）
10
I
D
，漏电流（ A）
10V
7.0V
5.0V
4.5V
V
G
=3.0V
T
A
= 150
o
C
15
10V
7.0V
5.0V
4.5V
V
G
=3.0V
10
5
5
0
0
2
4
6
8
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
80
1.8
I
D
=3A
T
A
=25 C
o
I
D
=5A
V
G
=10V
归一化
DS （ ON）
60
1.4
R
DS(ON0
(m
Ω
)
40
1.0
20
2
4
6
8
10
0.6
-50
0
50
100
150
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.6
10
8
归V
GS （ TH）
(V)
1.2
T
j
=150
o
C
6
T
j
=25
o
C
1.2
I
S
(A)
4
0.8
2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0.4
-50
0
50
100
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（
o
C)
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
4/7
AP4528GM
N沟道
f=1.0MHz
12
1000
V
GS
，门源电压（ V）
I
D
=5A
V
DS
= 30 V
8
C
国际空间站
C（ pF）的
100
4
C
OSS
C
RSS
0
0
3
6
9
12
15
18
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
占空比系数= 0.5
10
100us
1ms
归热响应（R
thJA
)
0.2
0.1
0.1
I
D
(A)
0.05
1
10ms
100ms
0.02
0.01
P
DM
0.01
t
T
单脉冲
0.1
T
A
=25 C
单脉冲
o
1s
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
R
thJA
=135
o
C / W
DC
0.01
0.1
1
10
100
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
30
V
DS
=5V
I
D
，漏电流（ A）
T
j
=25 C
o
T
j
=150 C
o
V
G
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
20
10
收费
0
Q
0
2
4
6
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图11.传输特性
图12.栅极电荷波形
5/7
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A401-1505-19
A03BG
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AM29LV116BT-80REEB
AP1501A-12K5LA
AM29SL400CT150WAC
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AS432AR25ST
AW01-10
APL5312-20S5I-TRL
AT89C51-12PC
AX2000-2FG896I
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