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AP4527GN3
初步
先进的电源
电子股份有限公司
▼
底部裸露DFN
▼
低导通电阻
▼
放低姿态
▼
符合RoHS
DFN3*3
G1
S1
D1
D1
D2
D2
N型和P沟道增强
MODE POWER MOSFET
N-CH BV
DSS
R
DS （ ON）
S2
G2
20V
35mΩ
4.7A
-20V
65mΩ
-3.3A
D2
I
D
P- CH BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
D1
G1
S1
G2
S2
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
3
等级
N沟道
20
±12
4.7
3.8
20
1.25
0.01
-55到150
-55到150
P沟道
-20
±12
-3.3
-2.7
-20
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
价值
马克斯。
100
单位
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200801062pre-1/7
AP4527GN3
N-CH电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
20
-
-
-
0.3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.1
-
-
-
3.5
-
-
-
9.5
1.2
4
8
10
17
6
600
140
110
MAX 。单位
-
-
35
52
1.2
-
1
10
±100
15
-
-
-
-
-
-
960
-
-
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=3.5A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=2A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=70
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 5V ，我
D
=3.5A
V
DS
=20V, V
GS
=0V
V
DS
=16V, V
GS
=0V
V
GS
=±12V
I
D
=3.5A
V
DS
=16V
V
GS
=4.5V
V
DS
=10V
I
D
=1A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=10Ω
V
GS
=0V
V
DS
=15V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
TRR
QRR
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
测试条件
I
S
= 1.2A ，V
GS
=0V
I
S
= 3.5A ，V
GS
=0V,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
20
14
MAX 。单位
1.2
-
-
V
ns
nC
反向恢复电荷
2/7
AP4527GN3
P- CH电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=70
o
C)
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-2.5A
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-1.5A
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -5V ，我
D
=-2.5A
V
DS
=-20V, V
GS
=0V
V
DS
=-16V ,V
GS
=0V
V
GS
=±12V
I
D
=-2.5A
V
DS
=-16V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-10V
I
D
=-1A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=-10V
R
D
=10Ω
V
GS
=0V
V
DS
=-15V
f=1.0MHz
分钟。
-20
-
-
-
-0.3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-0.1
马克斯。
-
-
65
100
-1.2
-
-1
-10
±100
17
-
-
-
-
-
-
1180
-
-
单位
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=-1mA
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
-
-
-
2.5
-
-
-
10.7
1.8
4.7
9
8
32
10
740
170
130
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
TRR
QRR
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= -1.2A ，V
GS
=0V
I
S
= -2.5A ，V
GS
=0V,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
28
19
马克斯。
-1.2
-
-
单位
V
ns
nC
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.表面安装FR4板，T ≦ 5秒。
3/7
AP4527GN3
80
50
T
A
=25
o
C
5.0V
4.5V
4.0V
I
D
，漏电流（ A）
V
G
=2.5V
40
T
A
=150 C
o
60
5.0V
4.5V
30
I
D
，漏电流（ A）
4.0V
20
40
20
V
G
=2.5V
10
0
0
1
2
3
4
5
6
7
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
100
1.8
I
D
=2A
T
A
=25 C
80
I
D
=3.5A
1.6
o
V
G
=4.5V
归一化
DS （ ON）
1.4
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
60
1.2
1.0
40
0.8
20
1
3
5
7
9
11
0.6
-50
0
50
100
150
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.6
100
1.4
10
1.2
T
j
=150
o
C
I
S
(A)
1
T
j
=25
o
C
V
GS （ TH）
(V)
1
0.8
0.6
0.1
0.4
0.01
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0.2
-50
0
50
100
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（
o
C )
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
4/7
AP4527GN3
10
1000
f=1.0MHz
西塞
V
GS
，门源电压（ V）
8
I
D
=3.5A
V
DS
=16V
6
C（ pF）的
100
科斯
CRSS
4
2
0
0
4
8
12
16
20
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
DUTY=0.5
归热响应（R
thJA
)
0.2
10
0.1
0.1
0.05
1ms
I
D
(A)
1
0.02
0.01
P
DM
t
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
Rthja = 180 ℃ / W
10ms
100ms
1s
DC
0.01
单脉冲
0.1
T
A
=25
o
C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
100
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
R
D
V
DS
对
示波器
D
V
DS
对
示波器
0.5倍额定V
DS
D
0.8倍额定V
DS
G
S
V
GS
R
G
G
+
10 V
-
S
V
GS
+
1 3毫安
-
I
G
I
D
图11.开关时间电路
图12.栅极电荷电路
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