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AP4523GH
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
简单的驱动要求
良好的散热性能
快速开关性能
符合RoHS
S1
G1
D1/D2
N型和P沟道增强
MODE POWER MOSFET
N-CH BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
40V
45mΩ
13A
-40V
60mΩ
-11A
D2
S2
G2
P- CH BV
DSS
TO-252-4L
R
DS ( ON)
I
D
D1
G1
G2
S1
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合,
加固装置的设计,低导通电阻和
成本效益。
S2
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
3
等级
N沟道
40
±10
13
8.1
50
7.8
0.0625
-55到150
-55到150
P沟道
-40
±20
-11
-7
-50
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
3
3
价值
马克斯。
马克斯。
12
110
单位
℃/W
℃/W
热阻结到环境
数据和规格如有变更,恕不另行通知
201124051-1/7
AP4523GH
N-CH电气特性@ T
j
=25
o
℃(除非另有规定)
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=250uA
分钟。
40
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.01
-
-
-
7
-
-
-
8
2
4
6
18
18
3
600
85
60
2
MAX 。单位
-
-
45
60
3
-
1
25
±30
13
-
-
-
-
-
-
900
-
-
3
V
V/℃
V
S
uA
uA
uA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
Ω
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ,我
D
=1mA
R
DS ( ON)
静态漏源导通电阻
2
V
GS
= 10V ,我
D
=8A
V
GS
= 4.5V ,我
D
=6A
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流(T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流(T
j
=70
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ,我
D
=7A
V
DS
=40V, V
GS
=0V
V
DS
=32V, V
GS
=0V
V
GS
=±10V
I
D
=7A
V
DS
=30V
V
GS
=4.5V
V
DS
=20V
I
D
=7A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=2.85Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= 7A ,V
GS
=0V
I
S
= 7A ,V
GS
=0V
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
16
9
MAX 。单位
1.3
-
-
V
ns
nC
2/7
AP4523GH
P- CH电气特性@ T
j
=25
o
℃(除非另有规定)
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=-250uA
参考25 ℃ ,我
D
=-1mA
V
GS
= -10V ,我
D
=-7A
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-5A
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -10V ,我
D
=-5A
V
DS
=-40V, V
GS
=0V
V
DS
=-32V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V
I
D
=-5A
V
DS
=-25V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-20V
I
D
=-5A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=-10V
R
D
=4Ω
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
2
分钟。
-40
-
-
-
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-0.01
-
-
-
5
-
-
-
12
2
6
8
14
27
15
820
140
110
5
MAX 。单位
-
-
60
75
-3
-
-1
-25
±100
19
-
-
-
-
-
-
1310
-
-
7.5
V
V/℃
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
Ω
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
静态漏源导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流(T
o
C)
j
=25
漏极 - 源极漏电流(T
o
C)
j
=70
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
测试条件
I
S
= -5A ,V
GS
=0V
I
S
= -5A ,V
GS
=0V
dI/dt=-100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
21
14
MAX 。单位
-1.3
-
-
V
ns
nC
反向恢复电荷
注意事项:
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ,占空比<2 % 。
3.N - CH , P- CH是一样的。
3/7
AP4523GH
N沟道
30
30
T
A
= 25
o
C
25
I
D
,漏电流( A)
20
I
D
,漏电流( A)
10V
7.0V
5.0V
4.5V
V
G
=3.0V
T
A
= 150
o
C
25
10V
7.0V
5.0V
4.5V
20
15
15
V
G
=3.0V
10
10
5
5
0
0
1
2
3
4
5
6
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
80
1.8
I
D
=8A
V
G
=10V
I
D
=6A
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
T
A
=25 C
归一化
DS ( ON)
10
1.5
o
55
1.2
0.9
30
2
4
6
8
0.6
-50
0
50
100
150
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
j
,结温( C)
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.5
12
10
1.3
8
T
j
=150
o
C
I
S
(A)
6
T
j
=25
o
C
归V
GS ( TH)
(V)
1.1
0.9
4
0.7
2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.5
-50
0
50
100
150
V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温( C)
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
4/7
AP4523GH
N沟道
f=1.0MHz
16
1000
V
GS
,门源电压( V)
C
国际空间站
12
I
D
=7A
V
DS
=30V
C( pF)的
100
8
C
OSS
C
RSS
4
0
0
5
10
15
20
10
1
5
9
13
17
21
25
Q
G
,总栅极电荷( NC)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
占空比系数= 0.5
归热响应(R
thJA
)
0.2
10
I
D
(A)
100us
0.1
0.1
0.05
0.02
P
DM
1
t
T
0.01
T
A
=25
o
C
单脉冲
0.1
0.1
1
10
1ms
10ms
100ms
1s
DC
100
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
,漏极至源极电压( V)
T,脉冲宽度(S )
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
30
V
DS
=5V
25
V
G
T
j
=25
o
C
T
j
=150
o
C
I
D
,漏电流( A)
Q
G
4.5V
20
15
Q
GS
Q
GD
10
5
收费
0
0
2
4
6
Q
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图11.传输特性
图12.栅极电荷波形
5/7
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封装
单价/备注
操作
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AP4523GH
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    -
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联系人:夏小姐/朱先生
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联系人:朱先生
地址:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
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联系人:刘先生
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地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
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A
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