AP4501GD
P- CH电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
V
GS
= -10V ，我
D
=-5A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-3A
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
o
C)
j
=25
漏极 - 源极漏电流（T
o
C)
j
=70
分钟。
-30
-
-
-
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-0.03
-
-
-
9
-
-
-
9
2
5
10
7
27
16
460
180
130
9
MAX 。单位
-
-
50
90
-3
-
-1
-25
±100
15
-
-
-
-
-
-
730
-
-
14
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
Ω
击穿电压温度系数
参考25
℃,
I
D
=-1mA
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -10V ，我
D
=-5A
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V
I
D
=-5A
V
DS
=-24V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-15V
I
D
=-1A
R
G
=6Ω,V
GS
=-10V
R
D
=15Ω
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
2
测试条件
I
S
= -1.7A ，V
GS
=0V
I
S
= -5A ，V
GS
=0V,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
21
18
MAX 。单位
-1.2
-
-
V
ns
nC
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫，T <10sec ;安装在分当90 ℃ / W 。铜垫。
3/7
AP4513GM
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
简单的驱动要求
▼
低导通电阻
▼
快速开关性能
▼
符合RoHS
SO-8
SO-8
D2
D1 D2
D1 D1
D1
D2
D2
N型和P沟道增强
MODE POWER MOSFET
N-CH BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
G2
G2
S2
S2
G1
S1 G1
S1
35V
36mΩ
5.8A
-35V
68mΩ
-4.3A
P- CH BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本
有效性。
在SO -8封装的普遍首选的所有commercial-
工业表面贴装应用，并适用于低电压
应用，如DC / DC转换器。
G1
D1
D2
G2
S1
S2
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
E
AS
I
AR
E
AR
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
4
雪崩电流
重复性雪崩能量
1
存储温度范围
工作结温范围
12.5
5
0.05
-55到150
-55到150
3
等级
N沟道
35
±20
5.8
4.7
20
2
0.016
12.5
-5
0.05
P沟道
-35
±20
-4.3
-3.4
-20
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
mJ
A
mJ
℃
℃
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
价值
62.5
单位
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200502053-1/7
AP4513GM
P- CH电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
参考25 ℃ ，我
D
=-1mA
V
GS
= -10V ，我
D
=-4A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-2A
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -10V ，我
D
=-4A
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V
I
D
=-4A
V
DS
=-28V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-15V
I
D
=-1A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=-10V
R
D
=15Ω
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
f=1.0MHz
2
分钟。
-35
-
-
-
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-0.03
-
-
-
6
-
-
-
6
1
4
8
7
20
4
410
95
70
MAX 。单位
-
-
68
100
-3
-
-1
-25
±100
10
-
-
-
-
-
-
660
-
-
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏源导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
o
C)
j
=25
漏极 - 源极漏电流（T
o
C)
j
=70
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
测试条件
I
S
= -1.7A ，V
GS
=0V
I
S
= -4A ，V
GS
=0V
dI/dt=-100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
21
16
MAX 。单位
-1.2
-
-
V
ns
nC
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫，T <10sec ;安装在分当135 ℃ / W 。铜垫。
4.Starting牛逼
j
=25
o
C，V
DD
= 25V ，L = 1MH ，R
G
=25Ω
3/7
QQ：2880707522 复制
