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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第933页 > AP4513GH
AP4513GH
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
简单的驱动要求
▼
良好的散热性能
▼
快速开关性能
S1
G1
S2
G2
D1/D2
N型和P沟道增强
MODE POWER MOSFET
N-CH BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
P- CH BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
35V
42mΩ
10A
-35V
75mΩ
-8A
TO-252-4L
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本
有效性。
D1
D2
G1
S1
G2
S2
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
3
3
等级
N沟道
35
±20
10
6
50
7.8
0.063
-55到150
-55到150
P沟道
-35
±20
-8
-5
-50
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
3
3
价值
马克斯。
马克斯。
16
110
单位
℃/W
℃/W
热阻结到环境
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200929041
AP4513GH
N-CH电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
35
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.03
-
-
-
10
-
-
-
6
2
3
8
7
20
4
460
85
60
1
MAX 。单位
-
-
42
60
3
-
1
25
±100
10
-
-
-
-
-
-
740
-
-
1.5
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
Ω
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10V ，我
D
=7A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=150
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=7A
V
DS
=35V, V
GS
=0V
V
DS
=28V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V
I
D
=7A
V
DS
=28V
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V
I
D
=1A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=15Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= 7A ，V
GS
=0V
I
S
= 7A ，V
GS
=0V
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
18
12
MAX 。单位
1.2
-
-
V
ns
nC
AP4513GH
P- CH电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
参考25 ℃ ，我
D
=-1mA
V
GS
= -10V ，我
D
=-5A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-3A
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -10V ，我
D
=-5A
V
DS
=-35V, V
GS
=0V
V
DS
=-28V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V
I
D
=-5A
V
DS
=-28V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-15V
I
D
=-1A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=-10V
R
D
=15Ω
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
2
分钟。
-35
-
-
-
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-0.03
-
-
-
7
-
-
-
6
1.2
3
7
7
16
3
400
90
60
7.2
MAX 。单位
-
-
75
105
-3
-
-1
-25
±100
10
-
-
-
-
-
-
640
-
-
11
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
Ω
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
静态漏源导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
o
C)
j
=25
o
漏极 - 源极漏电流（T
j
=150 C)
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= -5A ，V
GS
=0V
I
S
= -5A ，V
GS
=0V
dI/dt=-100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
21
14
MAX 。单位
-1.2
-
-
V
ns
nC
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.N - CH ， P- CH是一样的。
AP4513GH
N沟道
30
30
T
C
=25
o
C
10V
7.0V
I
D
，漏电流（ A）
5.0V
T
C
= 150
o
C
10V
7.0V
I
D
，漏电流（ A）
20
20
5.0V
4.5V
10
4.5V
10
V
G
=3.0V
V
G
=3.0V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
180
1.8
I
D
=5A
140
T
C
=25 C
归一化
DS （ ON）
1.4
o
I
D
=7A
V
G
=10V
R
DS(ON0
(m
Ω
)
100
1.0
60
20
2
4
6
8
10
0.6
-50
0
50
100
150
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（
o
C)
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.5
5
4
3
T
j
=150
o
C
2
T
j
=25
o
C
1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
归V
GS （ TH）
(V)
1.1
I
S
(A)
0.7
0.3
-50
0
50
100
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（
o
C)
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
AP4513GH
N沟道
f=1.0MHz
12
1000
V
GS
，门源电压（ V）
I
D
=7A
V
DS
=2 8 V
9
C
国际空间站
C（ pF）的
6
100
C
OSS
C
RSS
3
0
0
4
8
12
16
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
归热响应（R
thJC
)
占空比系数= 0.5
100us
10
0.2
0.1
I
D
(A)
0.1
0.05
P
DM
0.02
1
t
T
单脉冲
1ms
T
C
=25 C
单脉冲
0.1
0.1
1
10
0.01
o
10ms
100ms
DC
100
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
20
V
DS
=5V
15
V
G
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
I
D
，漏电流（ A）
T
j
=25
o
C
T
j
=150
o
C
10
5
收费
0
Q
0
2
4
6
8
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图11.传输特性
图12.栅极电荷波形
AP4513GH
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
简单的驱动要求
▼
良好的散热性能
▼
快速开关性能
S1
G1
S2
G2
D1/D2
N型和P沟道增强
MODE POWER MOSFET
N-CH BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
P- CH BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
35V
42mΩ
10A
-35V
75mΩ
-8A
TO-252-4L
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本
有效性。
D1
D2
G1
S1
G2
S2
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
3
3
等级
N沟道
35
±20
10
6
50
7.8
0.063
-55到150
-55到150
P沟道
-35
±20
-8
-5
-50
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
3
3
价值
马克斯。
马克斯。
16
110
单位
℃/W
℃/W
热阻结到环境
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200929041
AP4513GH
N-CH电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
35
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.03
-
-
-
10
-
-
-
6
2
3
8
7
20
4
460
85
60
1
MAX 。单位
-
-
42
60
3
-
1
25
±100
10
-
-
-
-
-
-
740
-
-
1.5
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
Ω
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10V ，我
D
=7A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=150
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=7A
V
DS
=35V, V
GS
=0V
V
DS
=28V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V
I
D
=7A
V
DS
=28V
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V
I
D
=1A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=15Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= 7A ，V
GS
=0V
I
S
= 7A ，V
GS
=0V
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
18
12
MAX 。单位
1.2
-
-
V
ns
nC
AP4513GH
P- CH电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
参考25 ℃ ，我
D
=-1mA
V
GS
= -10V ，我
D
=-5A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-3A
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -10V ，我
D
=-5A
V
DS
=-35V, V
GS
=0V
V
DS
=-28V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V
I
D
=-5A
V
DS
=-28V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-15V
I
D
=-1A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=-10V
R
D
=15Ω
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
2
分钟。
-35
-
-
-
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-0.03
-
-
-
7
-
-
-
6
1.2
3
7
7
16
3
400
90
60
7.2
MAX 。单位
-
-
75
105
-3
-
-1
-25
±100
10
-
-
-
-
-
-
640
-
-
11
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
Ω
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
静态漏源导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
o
C)
j
=25
o
漏极 - 源极漏电流（T
j
=150 C)
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= -5A ，V
GS
=0V
I
S
= -5A ，V
GS
=0V
dI/dt=-100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
21
14
MAX 。单位
-1.2
-
-
V
ns
nC
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.N - CH ， P- CH是一样的。
AP4513GH
N沟道
30
30
T
C
=25
o
C
10V
7.0V
I
D
，漏电流（ A）
5.0V
T
C
= 150
o
C
10V
7.0V
I
D
，漏电流（ A）
20
20
5.0V
4.5V
10
4.5V
10
V
G
=3.0V
V
G
=3.0V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
180
1.8
I
D
=5A
140
T
C
=25 C
归一化
DS （ ON）
1.4
o
I
D
=7A
V
G
=10V
R
DS(ON0
(m
Ω
)
100
1.0
60
20
2
4
6
8
10
0.6
-50
0
50
100
150
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（
o
C)
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.5
5
4
3
T
j
=150
o
C
2
T
j
=25
o
C
1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
归V
GS （ TH）
(V)
1.1
I
S
(A)
0.7
0.3
-50
0
50
100
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（
o
C)
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
AP4513GH
N沟道
f=1.0MHz
12
1000
V
GS
，门源电压（ V）
I
D
=7A
V
DS
=2 8 V
9
C
国际空间站
C（ pF）的
6
100
C
OSS
C
RSS
3
0
0
4
8
12
16
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
归热响应（R
thJC
)
占空比系数= 0.5
100us
10
0.2
0.1
I
D
(A)
0.1
0.05
P
DM
0.02
1
t
T
单脉冲
1ms
T
C
=25 C
单脉冲
0.1
0.1
1
10
0.01
o
10ms
100ms
DC
100
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
20
V
DS
=5V
15
V
G
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
I
D
，漏电流（ A）
T
j
=25
o
C
T
j
=150
o
C
10
5
收费
0
Q
0
2
4
6
8
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图11.传输特性
图12.栅极电荷波形
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