【AP4513GD无铅电镀产品先进的电源电子股份有限公司▼低栅电荷▼开关速度快▼PDIP - 8封装▼】,IC型号AP4513GD,AP4513GD PDF资料,AP4513GD经销商,ic,电子元器件-51电子网

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AP4513GD

无铅电镀产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

低栅电荷

▼

开关速度快

▼

PDIP - 8封装

▼

符合RoHS

PDIP-8

G1

S1

G2

S2

D1

D1

D2

D2

N型和P沟道增强

MODE POWER MOSFET

N-CH BV

DSS

R

DS （ ON）

I

D

P- CH BV

DSS

R

DS （ ON）

I

D

35V

36mΩ

5.8A

-35V

68mΩ

-4.3A

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，超低导通电阻和

成本效益。

G1

D1

D2

G2

S1

S2

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@T

A

=25℃

I

D

@T

A

=70℃

I

DM

P

D

@T

A

=25℃

E

AS

I

AR

E

AR

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

3

连续漏电流

漏电流脉冲

1

总功耗

线性降额因子

单脉冲雪崩能量

4

雪崩电流

重复性雪崩能量

1

存储温度范围

工作结温范围

12.5

5

0.05

-55到150

-55到150

3

等级

N沟道

35

±20

5.8

4.7

20

2

0.016

12.5

-5

0.05

P沟道

-35

±20

-4.3

-3.4

-20

单位

V

V

A

A

A

W

W/℃

mJ

A

mJ

℃

℃

热数据

符号

Rthj -A

参数

热阻结到环境

3

马克斯。

价值

62.5

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

200615051-1/7

AP4513GD

N-CH电气特性@ T

j

=25

o

℃（除非另有规定）

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

j

参数

漏源击穿电压

2

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=250uA

分钟。

35

-

-

-

1

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

0.03

-

-

-

7

-

-

-

6

2

3

8

7

16

3

470

90

60

MAX 。单位

-

-

36

60

3

-

1

25

±100

10

-

-

-

-

-

-

750

-

-

V

V/℃

mΩ

mΩ

V

S

uA

uA

nA

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

pF

pF

pF

击穿电压温度系数

参考25 ℃ ，我

D

=1mA

R

DS （ ON）

静态漏源导通电阻

V

GS

= 10V ，我

D

=5A

V

GS

= 4.5V ，我

D

=3A

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流（T

j

=25

o

C)

漏极 - 源极漏电流（T

j

=70

o

C)

V

DS

=V

GS

, I

D

=250uA

V

DS

= 10V ，我

D

=5A

V

DS

=30V, V

GS

=0V

V

DS

=24V, V

GS

=0V

V

GS

=±20V

I

D

=5A

V

DS

=28V

V

GS

=4.5V

V

DS

=15V

I

D

=1A

R

G

=3.3Ω,V

GS

=10V

R

D

=15Ω

V

GS

=0V

V

DS

=25V

f=1.0MHz

栅源漏

总栅极电荷

2

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

2

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

源极 - 漏极二极管

符号

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

正向电压上

2

反向恢复时间

反向恢复电荷

测试条件

I

S

= 1.7A ，V

GS

=0V

I

S

= 5A ，V

GS

=0V

dI/dt=100A/s

分钟。

-

-

-

典型值。

-

17

11

MAX 。单位

1.2

-

-

V

ns

nC

2/7

AP4513GD

P- CH电气特性@ T

j

=25

o

℃（除非另有规定）

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

j

参数

漏源击穿电压

击穿电压温度系数

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=-250uA

参考25 ℃ ，我

D

=-1mA

V

GS

= -10V ，我

D

=-4A

V

GS

= -4.5V ，我

D

=-2A

V

DS

=V

GS

, I

D

=-250uA

V

DS

= -10V ，我

D

=-4A

V

DS

=-30V, V

GS

=0V

V

DS

=-24V, V

GS

=0V

V

GS

=±20V

I

D

=-4A

V

DS

=-28V

V

GS

=-4.5V

V

DS

=-15V

I

D

=-1A

R

G

=3.3Ω,V

GS

=-10V

R

D

=15Ω

V

GS

=0V

V

DS

=-25V

f=1.0MHz

2

分钟。

-35

-

-

-

-1

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

-0.03

-

-

-

6

-

-

-

6

1

4

8

7

20

4

410

95

70

MAX 。单位

-

-

68

100

-3

-

-1

-25

±100

10

-

-

-

-

-

-

660

-

-

V

V/℃

mΩ

mΩ

V

S

uA

uA

nA

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

pF

pF

pF

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

静态漏源导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流（T

o

C)

j

=25

漏极 - 源极漏电流（T

o

C)

j

=70

栅源漏

总栅极电荷

2

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

2

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

源极 - 漏极二极管

符号

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

正向电压上

2

测试条件

I

S

= -1.7A ，V

GS

=0V

I

S

= -4A ，V

GS

=0V

dI/dt=-100A/s

分钟。

-

-

-

典型值。

-

21

16

MAX 。单位

-1.2

-

-

V

ns

nC

反向恢复时间

反向恢复电荷

注意事项：

1.Pulse宽度有限的最大。结温。

2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％。

3.表面安装1

2

FR4电路板的铜垫，T <10sec ;安装在分当90 ℃ / W 。铜垫。

4.Starting牛逼

j

=25

o

C，V

DD

= 25V ，L = 1MH ，R

G

=25Ω

3/7

AP4513GD

N沟道

30

30

T

A

=25 C

o

10V

7.0V

I

D

，漏电流（ A）

5.0V

T

A

= 150

o

C

10V

7.0V

I

D

，漏电流（ A）

20

20

5.0V

4.5V

10

4.5V

10

V

G

=3.0V

V

G

=3.0V

0

0

1

2

3

4

5

0

0

1

2

3

4

5

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

105

1.8

I

D

=3A

85

T

A

=25

o

C

归一化

DS （ ON）

1.4

I

D

=5A

V

G

=10V

R

DS(ON0

(m

Ω

)

65

1.0

45

25

2

4

6

8

10

0.6

-50

0

50

100

150

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

j

，结温（ C）

o

图3.导通电阻V.S.栅极电压

图4.归一导通电阻

V.S.结温

1.5

5

4

3

T

j

=150

o

C

2

T

j

=25

o

C

1

0

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

归V

GS （ TH）

(V)

1.1

I

S

(A)

0.7

0.3

-50

0

50

100

150

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

T

j

，结温（

o

C)

图5.正向特性

反向二极管

图6.栅极阈值电压V.S.

结温

4/7

AP4513GD

N沟道

f=1.0MHz

12

1000

V

GS

，门源电压（ V）

I

D

=5A

V

DS

=2 8 V

9

C

国际空间站

C（ pF）的

6

100

C

OSS

C

RSS

3

0

0

4

8

12

16

10

1

5

9

13

17

21

25

29

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.典型的电容特性

100

1

归热响应（R

thJA

)

占空比系数= 0.5

10

100us

I

D

(A)

1

0.2

1ms

10ms

100ms

0.1

0.1

0.05

P

DM

t

0.02

0.01

T

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

j

= P

DM

个R

thJA

+ T

a

R

thJA

=90

o

C / W

0.1

T

A

=25 C

单脉冲

0.01

0.1

1

10

o

1s

DC

单脉冲

0.01

100

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

T，脉冲宽度（S ）

图9.最高安全工作区

图10.有效的瞬态热阻抗

V

DS

90%

V

G

Q

G

4.5V

Q

GS

Q

GD

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

收费

Q

图11.开关时间波形

图12.栅极电荷波形

5/7

AP4513GD

无铅电镀产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

低栅电荷

▼

开关速度快

▼

PDIP - 8封装

▼

符合RoHS

PDIP-8

G1

S1

G2

S2

D1

D1

D2

D2

N型和P沟道增强

MODE POWER MOSFET

N-CH BV

DSS

R

DS （ ON）

I

D

P- CH BV

DSS

R

DS （ ON）

I

D

35V

36mΩ

5.8A

-35V

68mΩ

-4.3A

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，超低导通电阻和

成本效益。

G1

D1

D2

G2

S1

S2

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@T

A

=25℃

I

D

@T

A

=70℃

I

DM

P

D

@T

A

=25℃

E

AS

I

AR

E

AR

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

3

连续漏电流

漏电流脉冲

1

总功耗

线性降额因子

单脉冲雪崩能量

4

雪崩电流

重复性雪崩能量

1

存储温度范围

工作结温范围

12.5

5

0.05

-55到150

-55到150

3

等级

N沟道

35

±20

5.8

4.7

20

2

0.016

12.5

-5

0.05

P沟道

-35

±20

-4.3

-3.4

-20

单位

V

V

A

A

A

W

W/℃

mJ

A

mJ

℃

℃

热数据

符号

Rthj -A

参数

热阻结到环境

3

马克斯。

价值

62.5

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

200615051-1/7

AP4513GD

N-CH电气特性@ T

j

=25

o

℃（除非另有规定）

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

j

参数

漏源击穿电压

2

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=250uA

分钟。

35

-

-

-

1

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

0.03

-

-

-

7

-

-

-

6

2

3

8

7

16

3

470

90

60

MAX 。单位

-

-

36

60

3

-

1

25

±100

10

-

-

-

-

-

-

750

-

-

V

V/℃

mΩ

mΩ

V

S

uA

uA

nA

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

pF

pF

pF

击穿电压温度系数

参考25 ℃ ，我

D

=1mA

R

DS （ ON）

静态漏源导通电阻

V

GS

= 10V ，我

D

=5A

V

GS

= 4.5V ，我

D

=3A

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流（T

j

=25

o

C)

漏极 - 源极漏电流（T

j

=70

o

C)

V

DS

=V

GS

, I

D

=250uA

V

DS

= 10V ，我

D

=5A

V

DS

=30V, V

GS

=0V

V

DS

=24V, V

GS

=0V

V

GS

=±20V

I

D

=5A

V

DS

=28V

V

GS

=4.5V

V

DS

=15V

I

D

=1A

R

G

=3.3Ω,V

GS

=10V

R

D

=15Ω

V

GS

=0V

V

DS

=25V

f=1.0MHz

栅源漏

总栅极电荷

2

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

2

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

源极 - 漏极二极管

符号

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

正向电压上

2

反向恢复时间

反向恢复电荷

测试条件

I

S

= 1.7A ，V

GS

=0V

I

S

= 5A ，V

GS

=0V

dI/dt=100A/s

分钟。

-

-

-

典型值。

-

17

11

MAX 。单位

1.2

-

-

V

ns

nC

2/7

AP4513GD

P- CH电气特性@ T

j

=25

o

℃（除非另有规定）

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

j

参数

漏源击穿电压

击穿电压温度系数

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=-250uA

参考25 ℃ ，我

D

=-1mA

V

GS

= -10V ，我

D

=-4A

V

GS

= -4.5V ，我

D

=-2A

V

DS

=V

GS

, I

D

=-250uA

V

DS

= -10V ，我

D

=-4A

V

DS

=-30V, V

GS

=0V

V

DS

=-24V, V

GS

=0V

V

GS

=±20V

I

D

=-4A

V

DS

=-28V

V

GS

=-4.5V

V

DS

=-15V

I

D

=-1A

R

G

=3.3Ω,V

GS

=-10V

R

D

=15Ω

V

GS

=0V

V

DS

=-25V

f=1.0MHz

2

分钟。

-35

-

-

-

-1

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

-0.03

-

-

-

6

-

-

-

6

1

4

8

7

20

4

410

95

70

MAX 。单位

-

-

68

100

-3

-

-1

-25

±100

10

-

-

-

-

-

-

660

-

-

V

V/℃

mΩ

mΩ

V

S

uA

uA

nA

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

pF

pF

pF

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

静态漏源导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流（T

o

C)

j

=25

漏极 - 源极漏电流（T

o

C)

j

=70

栅源漏

总栅极电荷

2

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

2

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

源极 - 漏极二极管

符号

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

正向电压上

2

测试条件

I

S

= -1.7A ，V

GS

=0V

I

S

= -4A ，V

GS

=0V

dI/dt=-100A/s

分钟。

-

-

-

典型值。

-

21

16

MAX 。单位

-1.2

-

-

V

ns

nC

反向恢复时间

反向恢复电荷

注意事项：

1.Pulse宽度有限的最大。结温。

2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％。

3.表面安装1

2

FR4电路板的铜垫，T <10sec ;安装在分当90 ℃ / W 。铜垫。

4.Starting牛逼

j

=25

o

C，V

DD

= 25V ，L = 1MH ，R

G

=25Ω

3/7

AP4513GD

N沟道

30

30

T

A

=25 C

o

10V

7.0V

I

D

，漏电流（ A）

5.0V

T

A

= 150

o

C

10V

7.0V

I

D

，漏电流（ A）

20

20

5.0V

4.5V

10

4.5V

10

V

G

=3.0V

V

G

=3.0V

0

0

1

2

3

4

5

0

0

1

2

3

4

5

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

105

1.8

I

D

=3A

85

T

A

=25

o

C

归一化

DS （ ON）

1.4

I

D

=5A

V

G

=10V

R

DS(ON0

(m

Ω

)

65

1.0

45

25

2

4

6

8

10

0.6

-50

0

50

100

150

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

j

，结温（ C）

o

图3.导通电阻V.S.栅极电压

图4.归一导通电阻

V.S.结温

1.5

5

4

3

T

j

=150

o

C

2

T

j

=25

o

C

1

0

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

归V

GS （ TH）

(V)

1.1

I

S

(A)

0.7

0.3

-50

0

50

100

150

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

T

j

，结温（

o

C)

图5.正向特性

反向二极管

图6.栅极阈值电压V.S.

结温

4/7

AP4513GD

N沟道

f=1.0MHz

12

1000

V

GS

，门源电压（ V）

I

D

=5A

V

DS

=2 8 V

9

C

国际空间站

C（ pF）的

6

100

C

OSS

C

RSS

3

0

0

4

8

12

16

10

1

5

9

13

17

21

25

29

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.典型的电容特性

100

1

归热响应（R

thJA

)

占空比系数= 0.5

10

100us

I

D

(A)

1

0.2

1ms

10ms

100ms

0.1

0.1

0.05

P

DM

t

0.02

0.01

T

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

j

= P

DM

个R

thJA

+ T

a

R

thJA

=90

o

C / W

0.1

T

A

=25 C

单脉冲

0.01

0.1

1

10

o

1s

DC

单脉冲

0.01

100

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

T，脉冲宽度（S ）

图9.最高安全工作区

图10.有效的瞬态热阻抗

V

DS

90%

V

G

Q

G

4.5V

Q

GS

Q

GD

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

收费

Q

图11.开关时间波形

图12.栅极电荷波形

5/7

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