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AP4511GD
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
低栅电荷
▼
开关速度快
▼
PDIP - 8封装
G2
D1
D1
D2
D2
N型和P沟道增强
MODE POWER MOSFET
N-CH BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
P- CH BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
35V
25mΩ
7A
-35V
40mΩ
-6.1A
PDIP-8
S1
S2
G1
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，超低导通电阻和
成本效益。
G1
D1
D2
G2
S1
S2
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
3
等级
N沟道
35
±20
7
5.7
30
2.0
0.016
-55到150
-55到150
P沟道
-35
±20
-6.1
-5
-30
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -A
参数
最大热阻，结到环境
3
价值
62.5
单位
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
1
200805262
AP4511GD
N-CH电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
35
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.02
20
30
-
9
-
-
-
11
3
6
12
7
22
6
830
150
110
1.2
MAX 。单位
-
-
25
37
3
-
1
25
±100
18
-
-
-
-
-
-
1330
-
-
1.8
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
Ω
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
2
V
GS
= 10V ，我
D
=7A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流（T
j
=70
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=7A
V
DS
=35V, V
GS
=0V
V
DS
=28V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V
I
D
=7A
V
DS
=28V
V
GS
=4.5V
V
DS
=18V
I
D
=1A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=18Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= 1.7A ，V
GS
=0V
I
S
= 7A ，V
GS
=0V
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
18
12
MAX 。单位
1.2
-
-
V
ns
nC
2
AP4511GD
P- CH电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
参考25 ℃ ，我
D
=-1mA
V
GS
= -10V ，我
D
=-6A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-4A
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -10V ，我
D
=-6A
V
DS
=-35V, V
GS
=0V
V
DS
=-28V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V
I
D
=-6A
V
DS
=-28V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-18V
I
D
=-1A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=-10V
R
D
=18Ω
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
分钟。
-35
-
-
-
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-0.02
35
53
-
9
-
-
-
10
2
6
10
6
26
7
690
165
130
5.2
MAX 。单位
-
-
40
60
-3
-
-1
-25
±100
16
-
-
-
-
-
-
1100
-
-
7.8
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
Ω
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
静态漏源导通电阻
2
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流（T
o
C)
j
=70
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= -1.7A ，V
GS
=0V
I
S
= -6A ，V
GS
=0V
dI/dt=-100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
20
12
MAX 。单位
-1.2
-
-
V
ns
nC
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse测试
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫，T <10sec ;安装在分当90 ℃ / W 。铜垫。
本产品是敏感的静电放电，请小心处理。
将本产品作为一个重要组成部分在生命支持或其它相似的系统是不授权。
APEC并不承担因任何产品或电路的应用或使用描述任何责任
此处;它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
APEC保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品，以提高权
可靠性，功能或设计。
3
AP4511GD
N沟道
50
50
T
A
= 25 C
40
o
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
10V
7.0V
5.0V
T
A
= 150
o
C
40
10V
7.0V
30
30
5.0V
4.5V
20
20
4.5V
10
V
G
=3.0V
10
V
G
=3.0V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
80
1.8
I
D
=5A
归一化
DS （ ON）
T
A
=25 C
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
60
o
I
D
=7A
V
G
=10V
1.4
40
1.0
20
2
4
6
8
10
0.6
-50
0
50
100
150
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.6
6
归V
GS （ TH）
(V)
4
1.2
I
S
(A)
T
j
=150
o
C
T
j
=25
o
C
2
0.8
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.4
-50
0
50
100
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（ C）
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
4
AP4511GD
N沟道
f=1.0MHz
16
1000
V
GS
，门源电压（ V）
I
D
=7A
V
DS
=28V
12
C
国际空间站
C（ pF）的
C
OSS
100
8
C
RSS
4
0
0
5
10
15
20
25
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
归热响应（R
thJA
)
占空比系数= 0.5
0.2
10
100us
1ms
0.1
0.1
I
D
(A)
0.05
1
0.02
10ms
100ms
0.1
0.01
P
DM
0.01
单脉冲
t
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
R
thJA
= 90℃ / W
o
T
A
=25
o
C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
1s
DC
0.001
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
30
V
DS
=5V
I
D
，漏电流（ A）
V
G
Q
G
20
T
j
=25
o
C
T
j
=150
o
C
4.5V
Q
GS
Q
GD
10
收费
0
0
2
4
6
Q
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图11.传输特性
图12.栅极电荷波形
5
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AM2960-1DE
AD402M96RCA-5
AM29LV160BT70RSI
AM29LV160BT-70RSI
AD5232BRU50
A6300AKSO8B
ACT-5260PC-200F17Q
AT29LV1024-15JI
AM29LV642DU90RPAI
AD588JQ
AM28F020-150FEB
AM27C256-90LIB
AM29DL320GT40PCIN
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供货商
型号
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批号
数量
封装
单价/备注
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    AP4511GD
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AP4511GD
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联系人：销售部1部
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