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AP4506GEM
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
简单的驱动要求
低导通电阻
快速开关性能
S2
D2
D1
D1
D2
N型和P沟道增强
MODE POWER MOSFET
N-CH BV
DSS
R
DS ( ON)
G2
30V
30mΩ
6.4A
-30V
40m
-6A
I
D
P- CH BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
SO-8
G1
S1
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合,
加固装置的设计,低导通电阻和成本
有效性。
在SO -8封装,广泛首选商业,工业
表面贴装应用,并适用于低电压应用
诸如DC / DC转换器。
D1
G1
G2
D2
S1
S2
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
漏电流脉冲
1
总功耗
存储温度范围
工作结温范围
3
等级
N沟道
30
+20
6.4
5.1
30
2.0
-55到150
-55到150
P沟道
-30
+20
-6.0
-4.8
-30
单位
V
V
A
A
A
W
热数据
符号
Rthj -A
参数
最大热阻,结到环境
3
价值
62.5
单位
℃/W
数据和规格如有变更,恕不另行通知
1
200902103
AP4506GEM
N-CH电气特性@ T
j
=25
o
℃(除非另有规定)
符号
BV
DSS
R
DS ( ON)
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=250uA
V
GS
= 10V ,我
D
=6A
V
GS
= 4.5V ,我
D
=4A
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ,我
D
=6A
V
DS
=24V, V
GS
=0V
V
GS
=+20V, V
DS
=0V
I
D
=6A
V
DS
=24V
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V
I
D
=1A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=15Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
分钟。
30
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
17
-
-
-
8.3
1.5
4
6
5.6
17
3.6
575
100
70
MAX 。单位
-
30
36
3
-
1
25
+30
13
-
-
-
-
-
-
920
-
-
V
m
m
V
S
uA
uA
uA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
漏极 - 源极漏电流(T
j
=70
o
C)
V
DS
=24V, V
GS
=0V
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
2
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
测试条件
I
S
= 1.5A ,V
GS
=0V
I
S
= 6A ,V
GS
=0V
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
19
14
MAX 。单位
1.3
-
-
V
ns
nC
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
2
AP4506GEM
P- CH电气特性@ T
j
=25
o
℃(除非另有规定)
符号
BV
DSS
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
2
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=-250uA
V
GS
= -10V ,我
D
=-5A
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-3A
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -10V ,我
D
=-5A
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
V
GS
=+20V, V
DS
=0V
I
D
=-5A
V
DS
=-24V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-15V
I
D
=-1A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=-10V
R
D
=15Ω
V
GS
=0V
V
DS
=-20V
f=1.0MHz
分钟。
-30
-
-
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
12
-
-
-
12.6
2.4
6.2
7
5.6
24
35
220
150
MAX 。单位
-
40
52
-3
-
-1
-25
+30
20
-
-
-
-
-
-
-
-
V
m
m
V
S
uA
uA
uA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
漏极 - 源极漏电流(T
j
=70
o
C)
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
1045 1670
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= -1.5A ,V
GS
=0V
I
S
= -5A ,V
GS
=0V
dI/dt=-100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
23
15
MAX 。单位
-1.3
-
-
V
ns
nC
注意事项:
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse测试
2
3.表面装在1 FR4电路板的铜垫,T <10sec ;安装在分当135 ℃ / W 。铜垫。
本产品是敏感的静电放电,请小心处理。
将本产品作为一个重要组成部分在生命支持或其它相似的系统是不授权。
APEC并不承担因任何产品或电路的应用或使用描述任何责任
此处;它也没有传达根据其专利权的任何执照,也没有他人的权利。
APEC保留随时更改,恕不另行通知这里的任何产品,以提高权
可靠性,功能或设计。
3
AP4506GEM
N沟道
30
30
T
A
= 25 C
I
D
,漏电流( A)
o
I
D
,漏电流( A)
10V
7.0V
5.0V
4.5V
V
G
=3.0V
T
A
= 150 C
o
10V
7.0V
5.0V
4.5V
V
G
=3.0V
20
20
10
10
0
0
1
2
3
4
5
0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
28
1.8
I
D
=4A
26
T
A
=25
o
C
归一化
DS ( ON)
I
D
=6A
V
G
=10V
1.6
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
24
1.4
22
1.2
20
1.0
18
16
2
4
6
8
10
0.8
25
50
75
100
125
150
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
j
,结温( C)
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.6
10
8
归V
GS ( TH)
(V)
1.2
I
S
(A)
6
T
j
=150
o
C
4
T
j
=25
o
C
0.8
2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.4
-50
0
50
100
150
V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温( C)
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
4
AP4506GEM
N沟道
f=1.0MHz
12
1000
V
GS
,门源电压( V)
I
D
=6A
V
DS
=24V
8
C
国际空间站
C( pF)的
100
C
OSS
C
RSS
4
0
0
5
10
15
20
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
,总栅极电荷( NC)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
归热响应(R
thJA
)
占空比系数= 0.5
10
100us
I
D
(A)
1ms
1
0.2
0.1
0.1
0.05
10ms
100ms
0.1
P
DM
t
0.02
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
1s
T
A
=25
o
C
单脉冲
DC
1
10
100
0.01
单脉冲
R
thJA
=135
o
C / W
0.01
0.1
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
,漏极至源极电压( V)
T,脉冲宽度(S )
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
5
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数量
封装
单价/备注
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    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AP4506GEM
    -
    -
    -
    -
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电话:075582788161
联系人:王小姐
地址:深圳市华强北世纪汇都会轩4507
AP4506GEM
APEC/富鼎
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电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
AP4506GEM
APEC
21+22+
62710
SOP8
原装正品
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
AP4506GEM
APEC
08+
1981
SOP8
原装正品,支持实单
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电话:021-51875986/51872153
联系人:陈小姐 张先生
地址:上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
AP4506GEM
APEC/富鼎
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全新原装,欢迎订购!
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SOP-8
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联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
AP4506GEM
ANPEC
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联系人:夏小姐/朱先生
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AP4506GEM
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联系人:李
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AP4506GEM
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QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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AP4506GEM
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