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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第776页 > AP4503AGM
AP4503AGM
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
简单的驱动要求
D2
D2
D1
D1
N型和P沟道增强
MODE POWER MOSFET
N沟道
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
30V
28mΩ
6.9A
-30V
36mΩ
-6.3A
▼
低导通电阻
▼
快速开关性能
G2
S2
SO-8
S1
G1
P沟道
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师
快速切换的最佳组合，
坚固耐用的设备的设计，
低导通电阻和成本效益。
D1
D2
在SO -8封装，广泛首选商业，工业
表面贴装应用，并适用于低电压应用
诸如DC / DC转换器。
G1
S1
G2
S2
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
漏电流脉冲
1
3
等级
N沟道
30
±20
6.9
5.5
20
2
-55到150
-55到150
P沟道
-30
±20
-6.3
-5
-20
单位
V
V
A
A
A
W
℃
℃
总功耗
存储温度范围
工作结温范围
热数据
符号
Rthj -A
参数
最大热阻，结到环境
3
价值
62.5
单位
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
1
201126071
AP4503AGM
N-CH电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
V
GS
= 10V ，我
D
=6A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=4A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25 C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=70 C)
o
o
分钟。
30
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
6
-
-
-
8.4
1.4
4.7
5
8
18.5
9
485
80
75
马克斯。
-
28
42
3
-
1
25
±100
13.5
-
-
-
-
-
-
770
-
-
单位
V
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=6A
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
=24V ,V
GS
=0V
V
GS
=±20V
I
D
=6A
V
DS
=24V
V
GS
=4.5V
V
DS
=20V
I
D
=1A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=20Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
2
测试条件
I
S
= 1.7A ，V
GS
=0V
I
S
=6A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
19
11
马克斯。
1.2
-
-
单位
V
ns
nC
反向恢复时间
反向恢复电荷
2
AP4503AGM
P- CH电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25 C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=70
o
C)
o
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
V
GS
= -10V ，我
D
=-6A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-4A
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -10V ，我
D
=-6A
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V
I
D
=-6A
V
DS
=-24V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-15V
I
D
=-1A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=-10V
R
D
=15Ω
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
f=1.0MHz
分钟。
-30
-
-
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
6
-
-
-
12.4
2
7
8
7
34
26
860
150
140
马克斯。
-
36
55
-3
-
-1
-25
±100
20
-
-
-
-
-
-
1380
-
-
单位
V
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
测试条件
I
S
= -1.7A ，V
GS
=0V
I
S
=-6A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
23
14
马克斯。
-1.2
-
-
单位
V
ns
nC
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse测试
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫; 135
℃/W
安装在最小的时候。铜垫。
本产品对静电敏感的，请小心处理。
本产品已合格的消费市场。应用或使用AS严格标准组件生命支持
设备或系统都没有授权。
3
AP4503AGM
N沟道
40
40
T
A
=25
℃
30
I
D
，漏电流（ A）
20
I
D
，漏电流（ A）
10V
7.0V
5.0V
4.5V
T
A
=150
℃
30
10V
7.0V
5.0V
4.5V
20
V
G
=3.0V
10
V
G
=3.0V
10
0
0
1
2
3
4
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
34
1.8
I
D
= 4A
T
A
= 25 C
30
o
I
D
=6A
V
G
=10V
26
归一化
DS （ ON）
R
DS(ON0
(m
Ω
)
1.4
1.0
22
30
18
2
4
6
8
10
-30
0
50
100
150
0.6
-50
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.4
10
8
1.2
o
T
j
=150 C
6
T
j
=25
o
C
归V
GS （ TH）
(V)
1.4
1.0
I
S
(A)
4
0.8
2
0.6
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.4
-50
0
50
100
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（ C）
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
4
AP4503AGM
N沟道
f=1.0MHz
12
1000
V
GS
，门源电压（ V）
10
C
国际空间站
8
6
I
D
=6A
V
DS
= 24 V
C（ pF）的
100
C
OSS
C
RSS
4
2
0
0
3
6
9
12
15
18
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
归热响应（R
thJA
)
占空比系数= 0.5
10
100us
I
D
(A)
1ms
1
0.2
0.1
0.1
10ms
100ms
0.1
0.05
P
DM
t
0.02
0.01
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
R
thJA
=135
o
C / W
T
A
=25
o
C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
1s
DC
100
30
0.01
0.0001
-30
单脉冲
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
5
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AM50DL128BH70I
A54SX32P-1PL208M
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AME8500BEETDF29
AM-DS3-418
AF283C154T-20
AD401M94VPB-5
ATA6620_06
AME8501BEFVAE20
AM29F400BB-75DTC1
APE1085H50
AZ2101-1C-48D
AEB336M2VU44T-F
AMMC-5026-W50
ACT-9S512K8W-015L2T
AME8501CEFTDA21
AM9511A-1DC
AME8550BEEVD260L
AM4T-2412D
供货商
型号
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数量
封装
单价/备注
操作
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    联系人：杨小姐
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    AP4503AGM
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    -
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电话：0755-23612326
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AP4503AGM
APEC
2019
79600
SOP-8
原装正品 钻石品质 假一赔十
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电话：075584505750
联系人：刘生
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AP4503AGM
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22+
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原装代理现货，价格最优
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电话：0755-23914006/18318877587
联系人：陈佳隆
地址：深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
AP4503AGM
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真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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电话：0755-/83218466/83200833
联系人：销售部
地址：深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
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电话：0755-23996734
联系人：李先生
地址：深圳市福田区华航社区中航路4号都会100大厦A座11C
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联系人：刘先生
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