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AP4501SD
先进的电源
电子股份有限公司
▼
简单的驱动要求
▼
低导通电阻
▼
快速开关
G2
D1
D1
D2
D2
N型和P沟道增强
MODE POWER MOSFET
N-CH BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
P- CH BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
D1
30V
27mΩ
7A
-30V
49mΩ
-5A
D2
PDIP-8
S1
S2
G1
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本
有效性。
G1
G2
S1
S2
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
3
等级
N沟道
30
±20
7
5.8
40
2
0.016
-55到150
-55到150
P沟道
-30
±20
-5
-4.2
-30
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj - AMB
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
价值
62.5
单位
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200221031
AP4501SD
N-CH电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。典型值。马克斯。单位
30
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.03
-
-
27
50
3
-
1
25
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
=7A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5A
-
-
-
12
-
-
-
8.4
2.1
4.7
6
5.2
18.8
4.4
645
150
95
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=150
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=7A
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V
I
D
=7A
V
DS
=24V
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V
I
D
=1A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=15Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
±100
nA
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
V
SD
参数
连续源电流（体二极管）
测试条件
V
D
=V
G
=0V , V
S
=1.2V
T
j
=25℃, I
S
= 1.7A ，V
GS
=0V
分钟。典型值。马克斯。单位
-
-
-
-
1.7
1.2
A
V
正向电压上
2
AP4501SD
P- CH电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
参考25 ℃ ，我
D
=-1mA
V
GS
= -10V ，我
D
=-5A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-3A
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -10V ，我
D
=-5.3A
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
V
GS
=
±
20V
I
D
=-5.3A
V
DS
=-15V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-15V
I
D
=-1A
R
G
=6Ω,V
GS
=-10V
R
D
=15Ω
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
f=1.0MHz
2
分钟。典型值。马克斯。单位
-30
-
-
-
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-0.03
-
-
49
75
-3
-
-1
-25
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏源导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T = 25
o
C)
j
漏极 - 源极漏电流（T = 150
o
C)
j
-
-
-
8
-
-
-
9
3.5
2
12
20
45
27
760
330
90
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
±100
nA
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
V
SD
参数
连续源电流（体二极管）
测试条件
V
D
=V
G
=0V , V
S
=-1.2V
T
j
=25℃, I
S
= -1.7A ，V
GS
=0V
分钟。典型值。马克斯。单位
-
-
-
-
-1.7
-1.2
A
V
正向电压上
2
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
在3.Mounted 1
2
FR4电路板的铜垫;安装在分当90 ℃ / W 。铜垫。
AP4501SD
N沟道
40
36
10V
8.0V
6.0V
5.0V
30
10V
8.0V
6.0V
5.0V
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
24
20
V
GS
=4. 0 V
V
GS
=4.0V
12
10
T
C
=25
o
C
0
0
1
2
3
4
T
C
=150
o
C
0
0
2
3
5
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
100
2
I
D
=7.0A
T
C
=25
℃
I
D
=7.0A
V
GS
= 10V
40
归一化
DS （ ON）
2
5
8
11
70
1.4
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
0.8
10
0.2
-50
0
50
100
150
V
GS
(V)
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
AP4501SD
N沟道
2.4
8
6
1.8
I
D
，漏电流（ A）
P
D
(W)
4
1.2
2
0.6
0
25
50
75
100
125
150
0
0
50
100
150
T
c
，外壳温度（
o
C)
T
c
，外壳温度（
o
C)
图5.最大漏极电流V.S.
图6.典型功耗
外壳温度
100
1
占空比= 0.5
0.2
100us
归热响应（R
thJA
)
10
0.1
1ms
0.1
0.05
I
D
(A)
1
10ms
100ms
1s
0.02
0.01
P
DM
0.01
单脉冲
t
T
0.1
T
C
=25 C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
o
10s
DC
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
R
thJA
=90
o
C / W
0.001
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
(V)
T，脉冲宽度（S ）
图7.最大安全工作区
图8.有效的瞬态热阻抗
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AM29LV800DT-70ED
AM29LV800DT70ED
AD8314ACP-REEL
AT94K10AL-25AJC
AME8500BEFVCA46
AD9618TQ
AD8620ARZ-REEL
AM29F400BT-120SK
AS7C3364NTF36B-80TQIN
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