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AP4501AGM-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
简单的驱动要求
低导通电阻
快速开关性能
符合RoHS
SO-8
S1
G1
D1
D2
D1
D2
N型和P沟道增强
MODE POWER MOSFET
N-CH BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
G2
S2
30V
28mΩ
7A
-30V
50mΩ
-5.3A
D2
P- CH BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
D1
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供设计师
快速切换的最佳组合,坚固耐用的设备的设计,
低导通电阻和成本效益。
在SO -8封装,广泛首选商业,工业
表面贴装应用,并适用于低电压应用
诸如DC / DC转换器。
G1
S1
G2
S2
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
30
+20
7.0
5.8
20
2
0.016
-55到150
-55到150
等级
N沟道
P沟道
-30
+20
-5.3
-4.7
-20
V
V
A
A
A
W
W/℃
单位
热数据
符号
Rthj -A
参数
最大热阻,结到环境
3
价值
62.5
单位
℃/W
1
201207173
数据和规格如有变更,恕不另行通知
AP4501AGM-HF
N-CH电气特性@ T
j
=25
o
℃(除非另有规定)
符号
BV
DSS
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=250uA
V
GS
= 10V ,我
D
=7A
V
GS
= 4.5V ,我
D
=5A
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ,我
D
=6A
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
GS
=+20V, V
DS
=0V
I
D
=6A
V
DS
=24V
V
GS
=4.5V
V
DS
=20V
I
D
=1A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=20Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
分钟。
30
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
6
-
-
-
8.4
1.4
4.7
5
8
18.5
9
485
80
75
1.8
MAX 。单位
-
28
42
3
-
1
25
+100
13.5
-
-
-
-
-
-
770
-
-
3
V
m
m
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
Ω
漏极 - 源极漏电流(T
j
=70
o
C)
V
DS
=24V, V
GS
=0V
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= 7A ,V
GS
=0V
I
S
=6A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
19
11
MAX 。单位
1.2
-
-
V
ns
nC
2
AP4501AGM-HF
P- CH电气特性@ T
j
=25
o
℃(除非另有规定)
符号
BV
DSS
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
o
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=-250uA
V
GS
= -10V ,我
D
=-5.3A
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-4.2A
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -10V ,我
D
=-5A
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
V
GS
=+20V, V
DS
=0V
I
D
=-5A
V
DS
=-15V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-15V
I
D
=-1A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=-10V
R
D
=15Ω
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
分钟。
-30
-
-
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
5
-
-
-
8
1.7
4.5
6.7
10
21
10
595
80
75
10
MAX 。单位
-
50
90
-3
-
-1
-25
+100
13
-
-
-
-
-
-
950
-
-
-
V
m
m
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
Ω
漏极 - 源极漏电流(T
j
=70 C)
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= -2.6A ,V
GS
=0V
I
S
=-5A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
18
11
MAX 。单位
-1.2
-
-
V
ns
nC
注意事项:
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse测试
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫; 135
℃/W
安装在最小的时候。铜垫。
本产品是敏感的静电放电,请小心处理。
将本产品作为一个重要组成部分在生命支持或其它相似的系统是不授权。
APEC并不承担因任何产品或电路的应用或使用描述任何责任
此处;它也没有传达根据其专利权的任何执照,也没有他人的权利。
APEC保留随时更改,恕不另行通知这里的任何产品,以提高权
可靠性,功能或设计。
3
AP4501AGM-HF
N沟道
40
40
T
A
=25
I
D
,漏电流( A)
30
I
D
,漏电流( A)
10V
7.0V
5.0V
4.5V
T
A
=150
30
10V
7.0V
5.0V
4.5V
20
20
V
G
=3.0V
10
V
G
=3.0V
10
0
0
1
2
3
4
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
34
1.8
I
D
= 5A
30
I
D
=7A
V
G
=10V
归一化
DS ( ON)
T
A
= 25
o
C
R
DS(ON0
(m
Ω
)
1.4
26
1.0
22
30
18
2
4
6
8
10
-30
0
50
100
150
0.6
-50
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
j
,结温( C)
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.4
10
8
1.2
T
j
=150 C
I
S
(A)
6
o
T
j
=25
o
C
归V
GS ( TH)
(V)
1.4
1.0
4
0.8
2
0.6
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.4
-50
0
50
100
150
V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温( C)
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
4
AP4501AGM-HF
N沟道
12
1000
f=1.0MHz
V
GS
,门源电压( V)
10
C
国际空间站
8
C( pF)的
6
I
D
=6A
V
DS
= 24 V
100
C
OSS
C
RSS
4
2
0
0
3
6
9
12
15
18
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
,总栅极电荷( NC)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
归热响应(R
thJA
)
占空比系数= 0.5
10
100us
I
D
(A)
1ms
1
0.2
0.1
0.1
10ms
100ms
0.1
0.05
P
DM
t
0.02
0.01
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
R
thJA
=135
o
C / W
T
A
=25
o
C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
1s
DC
100
30
0.01
0.0001
-30
单脉冲
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
,漏极至源极电压( V)
T,脉冲宽度(S )
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
5
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批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AP4501AGM-HF
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:280773285 复制 点击这里给我发消息 QQ:2748708193 复制
电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
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APEC
24+
20000
SOP-8
原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
AP4501AGM-HF
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电话:0755-82561519
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AP4501AGM-HF
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联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
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电话:021-51872165/51872561
联系人:陈小姐 付先生
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电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
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真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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电话:021-51875986/51872153
联系人:陈小姐 张先生
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